卤化铵晶体STE辐射光谱和Vk心吸收光谱研究

采用扩展离子方法研究了卤化铵晶体中自陷态激子(STE)的辐射光谱和Vk心的吸收光谱,根据变分法原理确定STE系统的最小能量及其相应的离子位移场.用赝势方法确定缺陷电子的态和能量,研究结果表明STE辐射光谱和Vk心吸收光谱与实验符合得很好。     

MgF2中STE转化为F—H对微观机制的研究

章在单电子Hartree-Fork近似的基础上采用扩展离子方法研究了MgF2晶体中自陷态激子STE转化为F－H对的微观物理机制，结果发现稳定的F－H对只能由STE析空穴激发态产生，最后我们建立了激发态空穴跳跃扩散的模型来解释这种形成机制。     

MgF2中STE转化为F-H对微观机制的研究

文章在单电子Hartree-Fork近似的基础上采用扩展离子方法研究了MgF2晶体中自陷态激子STE转化为F-H对的微观物理机制,结果发现稳定的F-H对只能由STE的空穴激发态产生,最后我们建立了激发态空穴跳跃扩散的模型来解释这种形成机制。     

CsCl和CsBr中自陷态激子的研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究了ＣｓＣｌ型晶体中自陷态激子（ＳＴＥ）的结构，研究表明ＣｓＣｌ中三重态ＳＴＥ的位形是较强的ｏｆｆ－ｃｅｎｔｅｒ，ＣｓＢｒ中三重态ＳＴＥ的位形是较弱的ｏｆｆ－ｃｅｎｔｅｒ，ＣｓＢｒ中单重态ＳＴＥ的位形是ｏｎ－ｃｅｎｔｅｒ。对ＳＴＥ及Ｆ心的发光研究结果与实验符合较好。     

NH4F和Cs2ZnCl4中掺杂Cu2+离子各向异性g因子的研究

在一些四配位四面体的晶体中，过渡金属络离子(MLx)^n-往往具有较强的共价性和各向异性的EPRg因子，在晶体场理论基础上，研究了晶体NH4F以及Cs2ZnCl4中掺杂Cu^2 离子基态b2g的EPRg因子，理论计算与实验结果符合好。     

晶格振动对激子运动的影响

在本文中用Haga研究极化子时提出的微扰法讨论晶格振动对激子运动的影响。把作者过去的工作推广到电子和空穴质量不相等的普遍情形,在忽略反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,导出了激子的基态能量、有效质量、约化质量和内部势能。指出:激子的有效质量和电子、空穴与声子的相互作用有关;激子的约化质量不仅和电子、空穴与声子的相互作用有关,而且还和电子、空穴质量比有关;激子形成自陷态的条件并非由电子、空穴与声子相互作用的大小,而是由电子、空穴质量比决定,形成激子自陷的条件是电子、空穴质量比0.261<μ_e/μ_k<3.83。在μ_e/μ_k<0.261或μ_e/μ_k<3.83的情形,激子在极化晶体中并不形成自陷态。     

激子理论

本文综述了我们近年来在激子理论方面的部分工作。第二节中从Frohlich激子一声子系哈密顿出发,用Haga研究极化子时提出的微扰法导出了激子的基态能量、有效质量以及内部势能;对激子的自陷条件、Wannier激子的稳定性等问题进行了分析,对于大激子和小激子两种极限情形,导出了能量和波函数的解析式;对于激子半径与屏蔽长度相近的中间情形,计算了激子的结合能,与实验值作了比较,较之他人的结果有了很大的改进。第三节中计及离子晶体的原子结构,用紧束缚法导出了Frenkel激子的自陷能和有效质量,导出了有效质量与温度的关系,计算了小激子的自陷能并与第二节所得的结果作了比较。第四节中对压电晶体,考虑声学声子与电子、空穴的作用,异出了激子的有效哈密顿,对压电激子的自陷能、有效质量以及电子空穴有效作用势作了讨论。第五节中讨论极性晶体中的表面激子,计及表面光学声子与电子—空穴的作用,导出了极性晶体中理想表面激子的有效哈密顿,对表面激子的自陷条件、电子—空穴有效作用势作了分析,并和体激子作了比较。     

深水型湖泊底泥NH4＋-N吸附的环境因子影响实验研究

以福州市山仔水库为例，通过对底泥NH4＋N吸附的模拟实验，分析了环境因子对底泥NH4＋-N吸附特性的影响及其原因。得出了温度、上覆水本身NH＋-N浓度和底泥粒径对底泥NH4＋-N吸附的影响曲线。为深水型湖泊底泥疏浚和富营养化治理提供依据。     

极性晶体中界面强耦合激子的性质

采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。     

电子在水中产生Cherenkov辐射的Geant4模拟

用Geant4模拟能量分别为0.5,1.0,1.5,2.0,2.5 MeV入射电子在水中的Cherenkov辐射角和辐射光谱,分析电子产生Cherenkov辐射光子数与初级电子和次级电子的关系,并模拟Cherenkov辐射光在水中传输不同距离的吸收情况.结果表明:电子在水中产生的Cherenkov辐射角随入射电子能量的增加而增大;在Cherenkov辐射光传播过程中,水介质对紫外波段辐射光的吸收较大.     

琼脂凝胶中氯化铵结晶生长的形态转化

为了在同一系统中通过改变外部条件得到目前所报道的一些典型的远离平衡态下的几种凝聚形态，研究了NH4Cl在琼脂凝胶中的枝晶生长，实现了在其生长过程中通过改变条件得到不同的形态变化．结果表明，NH4Cl起始质量分数对其结晶形态产生明显的影响，随着起始NH4Cl质量分数的减少，晶体生长形态的不规则程度增加，逐渐由枝晶过渡到密枝；在一定条件下，普通枝晶生长完成以后其生长形态转变为近来人们很感兴趣的曲折(zigzag)结构．产生这种形态转化的原因是琼脂中的NH4Cl结晶有分层生长的现象，随着琼脂凝胶水分的不断蒸发和琼脂表层的干燥和收缩，NH4Cl先在琼脂表层形成枝晶，然后过渡到在琼脂下面结晶成zigzag结构，在不同的结晶层面，生长的结晶体形态不一样．     

簇合物[Et4 N]8[Mo2 S4(SCH2 CH2 S)2]4的合成及其结构

在室温无水无氧充氮条件下,以(NH4)2MoS4,Et4NBr和HSCH2CH2SH为原料,合成[Et4N]8[Mo2S(SCH2CH2S)2]4簇合物,用X射线衍射法测得其晶胞参数为:a=2.604 4 nm,b=1.986 6 nm,c=2.630 2 nm,V=13.585 81 nm3,Z=4,晶体属单斜晶系.晶体结构经块状矩阵最小二乘法修正后,最终偏离因子R=0.088 7.研究结果表明,[Mo2S4(SCH2CH2S)2]2-为含Mo-Mo金属健的双核阴离子;每个Mo原子被5个硫原子配位,构成近四棱锥配位的几何构型,2个四棱锥共1条底边,每个四棱锥的1个顶点被1个端基硫原子占有,形成环笼状结构.[Et4N]8[Mo2S4(SCH2CH2S)2]4簇合物红外光谱的主要特征波出现在渡数为510,460,430和340 cm-1处;紫外可见光谱在波长为305,380和435 nm处有吸收峰出现.     

Xa交换参数的自洽场模型和钠原子激发态能级计算

根据自由电子气模型，提出了一种用于计算原子激发态能级的Xa交换参数的理论模型。用该模型计算了Na原子主线系4p～15p的激发态能级，计算结果基本符合实验测量值。     

(NH4)2CO3与NH4HCO3水解相对强度的研究

仅就弱酸弱碱中（NH4）2CO3与NH4HCO3水解相对强度，做了较为深入的研究。研究发现水解相对强度是很有规律的，在浓度相同的情况下，其水解相对强度为一定值。文章中还讨论了AgCl、AgBr的溶解度在溶液中的变化，与其水解相对强度的相关性。     

氨水团簇(H2O)n(NH3)m的稳定结构

利用Hartree-Fock方法对氨水团簇(H2O)n(NH3)m(m n=6)的一些可能构型进行了结构优化和频率分析;进一步用MP2方法计算了这些优化结构的能量和结合能.通过构型体系能量和结合能的比较,得到了这些团簇的最稳定结构;在此基础上还计算了这些团簇的电离势、电子亲和势,对(H2O)n(NH3)m团簇体系的结构和性质的进一步研究是有益的.     

离子液体中(NH4)ZnPO4分子筛的合成及其表征

采用离子液体热合成方法,在氯化胆碱/尿素低共熔混合物体系中合成了(NH4)ZnPO4-HEX分子筛,并系统地考察了反应物组成、晶化时间对合成(NH4)ZnPO4-HEX分子筛结构性能的影响,利用XRD,SEM以及FT-IR分析手段对合成样品的结构和性能进行了表征。     

外源添加物对秸秆还田土壤中无机氮转化影响

采用室内培养方法,研究秸秆不同还田方式土壤中加入无机氮肥和玉米秸秆对无机氮转化的影响。在田间秸秆不同还田处理的土壤中加入氮肥(硫酸铵)培养,初期土壤NH_4~ -N的含量较高,随着培养时间延长,NH_4~ -N的含量下降,培养15天后NH_4~ -N的含量趋于平衡;而土壤中NO_3~--N含量在培养期间逐渐增加,培养30天后NO_3~--N含量趋于平衡;秸秆不同还田处理土壤中添加秸秆培养,粉碎还田处理的土壤中NH_4~ -N的含量在整个培养过程中处于最低,培养后期覆盖还田和高茬还田的土壤NH_4~ -N的含量略有下降。     

有限厚势垒量子阱中杂质态结合能

利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算,给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系,且与无限厚势垒情形进行比较.结果表明,有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时,在中间阱宽时,这两种情形的杂质态结合能差别最大,在宽阱时,差别最小.此外,还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响.