电沉积-热解法制备Ce2O3薄膜的抗氧化性能研究

采用电沉积-热解法在1Cr18Ni9Ti合金表面沉积氧化铈陶瓷薄膜,经过900℃下100 h的高温氧化实验及金相分析发现,氧化铈薄膜可显著降低合金的氧化增重和氧化膜剥落量,促进试样表面形成致密均匀的氧化膜,大大提高了合金的抗高温氧化性能,电沉积参数为25 V,60 s时,沉积的薄膜抗高温氧化性能略佳。     

热处理对铜基碳纳米管复合镀膜结构和性能的影响

研究热处理工艺参数对铜基碳纳米管复合薄膜的微观结构和性能的影响,采用超声辅助脉冲电流复合电沉积法在不锈钢基板上沉积制备铜基碳纳米管复合镀膜,再将制备的复合薄膜在H₂中进行热处理.利用X射线衍射谱仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（SEM）以及四探针电阻率仪等对热处理后的铜基碳纳米管复合镀膜进行了测试.结果表明,随着热处理温度和时间的变化,复合铜膜的结构、形貌及性能也相应变化;当热处理参数为400℃×2 h时,铜基碳纳米管薄膜的各项性能最佳.     

磁控溅射PP基氧化锌／铜层状膜性能研究

用磁控溅射法在PP非织造布表面沉积氧化锌/铜薄膜来增加抗静电、抗菌、抗紫外等性能．研究首先采用正交试验设计方法沉积铜薄膜,选择最优抗静电性效果的铜膜．铜膜参数为1Pa,20W,5min时,抗静电性能达到最好．接着在沉积最优铜膜的PP表面溅射不同参数氧化锌形成层状膜,并利用扫描电子显微镜进行表面分析．结果表明,ZnO／Cu层状膜比ZnO单层膜颗粒明显且更加致密．经过测试后,镀层状膜的PP具有良好的抗紫外透过性和良好的抗菌性．氧化锌参数为0．5Pa,75W,40min,铜膜参数为1Pa,20W,5min具有最好抗紫外性．     

电化学沉积Cu-In-Se薄膜

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu-In-Se薄膜,对电沉积的工艺参数进行了测试,发现Cu-In-Se是一种诱导共沉积,虽然沉积膜不具备化学计量比,但具有一定的光电性能.     

NiO电致变色薄膜的电化学制备和性能

以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂、NiCl2为主盐、LiClO4为支持电解质、FTO导电玻璃为基体.采用恒电位电沉积的方法制备了电致变色性能良好的NiO薄膜.实验过程中对溶剂脱水方法、电沉积电压等实验条件进行了研究.探索在此体系中电沉积的最佳条件,制备出电致变色性能和附着性良好的NiO薄膜;通过×射线衍射仪、扫描电镜、高分辨透射电镜和能谱仪等仪器.对膜的成分、结构和厚度进行了分析;采用紫外可见分光光度计,对膜的透光性能进行了表征;通过循环伏安法和双电位阶跃法,对膜的电化学稳定性和响应时间进行研究.     

电化学沉积Cu－In—Se薄膜

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu—In—Se薄膜，对电沉积的工艺参数进行了测试，发现Cu—In—Se是一种诱导共沉积，虽然沉积膜不具备化学计量比，但具有一定的光电性能。     

电沉积-热解法制备的Al_2O_3薄膜的抗高温氧化性能研究

采用电沉积-热解法在304不锈钢表面沉积了Al2O3薄膜,研究了电解液浓度、电沉积电压对Al2O3薄膜900℃抗高温氧化性能的影响。表面宏观形貌、XRD分析、氧化增重和氧化膜剥落动力学曲线结果表明电沉积-热解法制备的Al2O3薄膜降低了氧化初期基体表面的氧分压,促进了选择氧化的发生,因此显著提高了304不锈钢的抗高温氧化性能。在电沉积电压为25V、硝酸铝酒精浓度为0.10mol/L条件下制备的Al2O3薄膜抗高温氧化性能最佳。     

射频磁控溅射工作气压对涤纶面料表面镀膜的影响

运用射频磁控溅射技术在涤纶非织造面料表面进行溅射镀膜,采用金属和金属氧化物靶材,探讨工作气压对薄膜沉积速率的影响,寻求最佳的溅射工艺参数.用扫描电镜分析镀膜表面微观结构,并测量薄膜厚度,结果表明,沉积速率从大到小分别是铜膜、不锈钢膜、不锈钢氧化膜、铜氧化膜和二氧化钛膜.金属膜在工作气压1.0~1.2 Pa达到最大的沉积速率;而金属氧化物膜在工作气压大约为2.8 Pa时薄膜沉积速率最大.镀膜后的织物外观因薄膜材料不同而呈现不同的颜色:铜膜为黄棕色,不锈钢膜为淡土黄色,铜氧化膜为黑色,不锈钢氧化膜为咖啡色,二氧化钛膜为淡黄色.     

基于配位聚合物薄膜的电存储器件

研究发现,2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)的乙醚溶液能够与铜膜发生固-液界面反应,并在铜膜表面上形成了一层配位聚合物薄膜(Cu-DMcT).研究还发现,Cu/Cu-DMcT/Al器件具有一次写入、多次读取(WORM)的电存储性能,并有很好的成品率和信息保持性能.器件的高低阻态比可以高达106.     

成膜工艺对sol-gel电致变色WO3薄膜的影响

以钨粉过氧化聚钨酸法配制溶胶,采用脉冲电泳沉积和浸渍提拉两种工艺在ITO导电玻璃基底上制备电致变色WO3薄膜,研究溶胶-凝胶成膜工艺对WO3薄膜微观结构、光学性能和电化学性能的影响.结果表明,两种成膜工艺制备的WO3薄膜均呈非晶态,薄膜厚度相近,约为252 nm.与浸渍提拉法相比,脉冲电泳沉积制备的薄膜具有更大的光学调...     

熔盐中用电解方法沉积碳薄膜

开发了一种新的、从熔盐中获得活性碳原子以制备碳薄膜的电解沉积方法,并在镍衬底上合成了碳薄膜．发现了碳酸盐离子的浓度是获得碳薄膜的一个重要因素,采用脉冲电解和适当减少碳酸盐离子浓度有利于获得活性碳原子、加速沉积涂层和提高涂层质量．在不同的衬底上的试验结果显示,适当的试验条件下碳膜能够在镍、铜、铁和钛衬底上用电解沉积方法获得．     

循环伏安法电沉积MnO2到TiO2纳米薄膜电极

利用循环伏安方法,从5.0mmol/L的硫酸锰溶液中在覆有纳米TiO2膜的导电玻璃上电沉积出MnO2.电化学分析显示,纳米TiO2薄膜上电沉积出的MnO2粒径均匀,该复合膜有较好的循环性能,且其质量比电容值(144.6F/g)明显高于电沉积有MnO2的导电玻璃.     

一种具有潜在的电致发光性能的苝酰亚胺衍生物的合成及其薄膜的电化学制备

以3,4,9,10-苝四酸二酐为原料,合成了苝酰亚胺衍生物—N,N’-二异辛基1,7-(对叔丁基苯氧基)-3,4,9,10-苝四羧酸二酰亚胺(PITD),利用傅立叶红外光谱(FT-IR),核磁共振氢谱(H1NMR)表征了中间产物及目标产物的化学结构。通过PITD在二氯甲烷稀溶液和滴膜的紫外吸收光谱和荧光光谱的分析,证明PITD是一种具有电致发光性能的化合物,然后通过水合肼的作用将PITD制成用于电沉积制膜的电解液,利用XRD和SEM研究了电沉积法制备PITD薄膜的结构及形貌。     

氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能

用PECVD法制备氮化硅介质薄膜 ,分析了沉积温度、本底真空度及气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜绝缘耐压性能的影响 ,制备出 0 .4 μm的性能良好的氮化硅介质绝缘膜     

电沉积纳米金属多层膜研究

分别采用单槽法和双槽法电沉积制备Cu/Ni多层膜。研究了两种电沉积方法制备多层膜的工艺条件,并利用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜（SEM）确定镀层结构。通过对比,分析了单槽法和双槽法制备多层膜的优缺点。     

聚苯胺电致变色薄膜的制备及性能

以苯胺单体为原料,采用电化学沉积法在玻璃衬底FTO导电薄膜上合成聚苯胺电致变色薄膜.采用恒电流法,研究苯胺单体浓度、酸的种类、电沉积时间、电流密度等对薄膜制备及电致变色性能的影响,确定合成聚苯胺薄膜的最佳条件.结果表明,聚苯胺电致变化薄膜的最佳制备条件是0.15,mol/L苯胺单体的1,mol/L硫酸溶液,以10,μA/cm2的电流密度电沉积40,min.该条件下制备的薄膜的着色效率较无机电致变色薄膜高,但仅能循环105次.     

沉积时间对锌掺杂氧化镍电致变色薄膜电化学性能的影响

本文利用有机体系电化学沉积法,以FTO导电玻璃为基底,从N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中制备出了锌掺杂氧化镍电致变色薄膜。在制备薄膜过程中,沉积时间是一个重要的工艺参数。本文用能谱对薄膜的组成进行了表征,并用电化学工作站考察了不同沉积时间所制备薄膜的电化学性能。通过对不同沉积时间薄膜电化学性能的比较,结果表明,镀膜时间为15 min的薄膜具有电化学较好的性能。     

具有纳米阵列结构的Cu_xO薄膜作为锂离子电池负极材料的电化学性能研究

利用磁控溅射薄膜沉积技术设计制备了具有纳米阵列结构的3种(Cu O、Cu_4O_3、Cu_2O)铜氧化物薄膜,将其直接用作锂电池负极材料进行电化学性质的表征测量.经循环200次之后,结果发现CuO负极薄膜虽然在前50次经历了容量衰减,但之后保持有最高的比容量.在此基础上,将CuO负极薄膜与商业钴酸锂正极匹配制作出软包薄膜全电池,并对其性能进行了表征测试,为设计高容量全电池薄膜负极材料提供一个可行的方案.     

Nd:YAG脉冲激光诱导化学沉积银

Nd:YAG脉冲激光扫描照射单晶Si基底表面AgNO3薄膜,薄膜热分解产生的Ag沉积在Si基底表面形成沉积线·在激光功率为28W,频率为35Hz时,最高扫描速度为9mm/s·SEM显示Ag颗粒均匀镶嵌在基底沉积线表面,AES研究沉积线表面元素随深度分布情况·以Ag颗粒为催化中心,在沉积线表面选区化学镀铜,超声振动显示镀铜膜与基底有良好的结合力·简单分析了沉积线表面Ag颗粒形状及表面凹坑出现的原因     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。