低维半导体GaAs圆形和矩型量子线的能带结构

利用量子力学方法对低维半导体GaAs无限深势阱圆型量子线和有限深势阱矩型量子线的能带结构进行了详细的分析研究,分别得出系统各自的能量表式和波函数表式,并对其束缚态能量存在的必然性和物理意义进行了进一步的分析探讨。     

超宽禁带二维半导体材料与器件研究进展

超宽禁带二维半导体作为二维材料研究领域的前沿之一,在紧跟第三、四代半导体朝着大带隙、大功率方向发展的同时,也为集成电路往小体积、高集成度方向的探索提供了思路.根据晶体堆积是否为范德华层状结构,超宽禁带二维半导体在材料层面的研究内容一方面是将已有的或成熟的非层状材料通过各种限制手段将第三维度压制在纳米量级,另一方面则是探索新型的范德华层状材料通过生长或剥离的方式得到其单层或少层结构.从器件层面看,超宽禁带二维半导体无论是以独立形式还是两两组合叠成异质结,形成的器件大多都以探测紫外波段的电磁辐射为目的,进一步可以做成包括成像系统、数字通讯等在内的光学传感器.若是辅助以柔性衬底,那么二维材料将发挥天然的可弯折优势,被广泛应用到柔性场效应晶体管、柔性紫外探测器、显示器等可穿戴电子器件中.而当材料有对外界刺激(如光照)表现出“记忆”特性时,说明可以将材料用于类神经突触传感或神经网络学习.此外,超宽禁带二维半导体中具有超大带隙的部分材料是极具潜力的电介质,它们往往拥有远比氧化硅大的介电常数与击穿电压,在减薄器件体积的同时也优化了器件的性能.最后,少数超宽禁带二维半导体是许多材料制备过程中的衬底,它...     

中英稀磁半导体和低维磁性功能材料研讨会在我校召开

2007年4月6日，由我校“分子磁体与磁信息材料山西省重点实验室”举办的中英稀磁半导体和低维磁性功能材料研讨会（China-UK Workshop for Diluted Magnetic Semiconductots and Low Dimensional Magneto-Functional Materials）在我校化学与材料科学学院化学楼一层报告厅成功举办，校长武海顺教授致开幕词。     

硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型

采用高温氧化（800℃）和激光辐照低温氧化（300℃）的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光（PL）在可见光范围。其中在606nm处有很尖锐的发光峰。经比较发现：低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强。提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化。     

激光辅助刻蚀硅锗合金样品生成低维片状结构的PL发光

我们用激光辐照辅助电化学刻蚀法在硅锗合金上形成了多种氧化低维纳米结构,特别是硅锗合金薄膜裂解后生成条形片状结构,其条形片表面有纳米颗粒分布。发现这些纳米颗粒经空气氧化后在波长为760nm和866nm处有较强的光致荧光(PL)峰,高温退火后其PL峰(643nm和678nm)有明显的蓝移。实验结果支持量子受限(QC)发光模型。该项工作为制备硅和锗的强发光材料提供了新的方法。     

低维准晶结构及其衍射特性

讨论几类低维准晶的结构、理论模型、有序度及其X 射线衍射特性。     

低维李超代数的确定

设F是特征数不为2的任意域,L是F上的二维或三维李超代数.按照L的换位子代数的维数,用待定系数法得到了L的一组结构常数,进而确定了F上的二维与三维李超代数的类型.     

Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性

为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构然后对发生在Ｇｅ和表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动和了介绍，最后阐述了决定Ⅲ族金属／Ⅳ族金属半导体界面的结构的３个共同要素。     

零维纳米结构中的量子限制——光学和输运性质的探讨

本文在描述量子箱（点）的模型化和箱中受限激子的基础上，着重讨论了量子箱的光学性质和共振隧道效应。     

稳态基本半导体方程的差分离散化

本文采用有限差分法对稳态基本半导体方程进行了离散化,并从减小离散引起的局部截断误差入手提出了一种合理的自动建网策略。模拟计算的结果表明了该方法的正确性、合理性。     

退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响

采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状的纳米结构. 用荧光光谱仪测其光致荧光谱,在705 nm处出现较强的光致荧光谱（PL）. 对片状结构在800 ℃下进行退火20 min后,其PL光谱明显蓝移至575 nm. 退火40 min后,在725 nm处有较宽的PL光谱,同时,在606 nm处有一尖锐的PL光谱. 利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生.     

低维材料热膨胀系数测量装置

准确测量不同材料的热膨胀系数，是航天和超导等领域中大型工程项目进行材料选择和结构设计的前提．对于具有一定厚度的三维结构材料，目前有多种测量热膨胀系数的方法．其中应变片法是一种较为简单且常用的方法．但由于低维材料(一维线材和二维带材)自身强度低和不能承压，目前只有测量薄膜厚度方向热膨胀系数的方法，     

半导体制冷器件的开发利用

半导体制冷又称“热电制冷”、“温差电制冷”,是一种采用半导体制冷元件,利用热电制冷效应的特殊制冷方式.因为其没有运动部件,也没有磨损、震动和噪声,工作可靠且不受重力影响,向小型化发展不受限制,改变电流方向可以从制冷转换到加热工况,因此,可用于电器和仪表的微型冷却或恒温装置,特别适宜于要求消除振动和噪声的工作环境,不能使用常规制冷系统的高压和水下环境,以及失重或移动的环境.尽管半导体制冷的效率较低,它已在实验技术、医疗技术、宇航、海洋和国防工程等领域得到了广泛的应用,已能达到140K低温和产生35.2KW空调制冷量,并在微型制冷装置中处于不可缺少的地位.最近,由于环境保护问题越来越受到人们的重视,半导体制冷由于不使用制冷剂,将作为取代传统的制冷剂——氟里昂的一种新型材料,其产品在民用领域的应用日显重要性.     

幂零矩阵与低维幂零代数

讨论了幂零矩阵的性质,给出了低维幂零代数的分类。