基于分布源边界点法的声散射场全息重建和预测理论

通过在边界结点法向方向上,背离分析域一定距离处构造虚构点源;用虚构点源在边界结点、全息测量点、重建点和预测点处产生的特解,形成满足系统方程的特解矩阵,来计算散射场声学量之间的传递矩阵;建立了基于分布源边界点法的声散射场重建和预测理论模型.该方法避开了基于边界元法的声全息重建和预测模型中的变量插值、数值积分和奇异积分的处理,具有计算速度快、计算精度高、计算稳定性好等优点.     

正弦全息光栅的衍射场

论述了正弦全息光栅产生衍射的原理，并定量的计算了衍射场的分布。     

磁镜场空间电荷透镜初步研究

提出了采用磁镜场约束电子云形成空间电荷透镜的新结构，分析了磁镜场中形成约束电子云的基本原理，通过近似数值计算，给出了电子云产生的空间电荷场的特征分布。     

超级栅板衍射强度角谱的数学探究

超级栅板是基于相位光栅的衍射效应得到的声学超表面,角谱方程是理论上研究超级栅板的关键,利用数学方法研究了超级栅板衍射强度的角谱.     

Ni^2＋离子3d能级在M型钡铁氧体中的晶场劈裂

根据量子力学理论，经过计算晶场系数，解久期方程，得到了Ｎｉ＾２＋在Ｍ型钡铁氧体中取代不同晶座后，于晶场作用下的劈裂能级。     

BaM中钴离子基组态的晶场能级

根据量子力学和晶场理论，计算晶场系数，解久期方程，得到了Ｃｏ＾２＋３ｄ能级在钡铁氧体中不同晶座的能级。     

稳态场中源的识别，设计与实验

应用优化方法给出了椭圆型方程反演问题的三种不同条件下的解法，还给出了物理实验方法及结果，说明所给方法不仅是可行的，还可推广应用于其他各类稳态场分布的源函数识别和设计中。     

旋转参照系中Maxwell方程的进一步讨论

应用结构方程的协变式，可以找到出现在介质中的辅助场跟基本场之间的关系，即结构方程．然后将结构方程代入旋转系中普遍的场方程之中，就得到了以基本场量表示的Maxwell方程．这里分两种情况进行了讨论．     

光干涉的量子电动力学理论

本文是根据狄拉克的思想,一个光子只与自身相干,用量子电动力学的方法,来计算单光子场,n光子场及相干光子场产生的干涉图,并讨论了相干长度。     

用椭圆高斯场近似计算领结型光纤的模场半径及接头损耗

本文用椭圆高斯场及标量变分原理计算领结型光纤的模斑.由于用了椭圆高斯近似,不仅使模斑计算变得简便而且方便地导出了领结型光纤各种接头损耗与模斑的解析关系.     

用云纹法获取面内静位移场的实验研究

本文要用４０ｘｇ线／ｍｍ的单线栅和正交栅分别获取面内静位移场；并在富里叶光学空间滤波系统中，用白光光源工激光光源，对正交位移位实现ｕ、ｖ场的条件分离；及对相应的实验技术进行了研究和探讨。     

Cd2O2S：Eu^3＋的荧光光谱及晶体场计算

在２１５００ｃｍ＾－１～１１５００ｃｍ＾－１区间内测量了红色荧光粉Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ的室温（３００Ｋ）及低温（７７Ｋ）荧光光谱，认定了Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＾３＋７７Ｋ的１２２条谱线和３００Ｋ的９６条谱线的跃迁属性，利用＾７ＦＪ的实验能级并考虑到中间耦合和Ｊ混杂效应，对Ｇｄ２Ｏ２Ｓ中Ｅｕ＾３＋的晶体场进行了计算，得到了７７Ｋ及３００Ｋ时的６个晶体场参数及晶体中的７个“自由离子能量”参数，拟合计算的均方     

连续群S—函数方法在配位场能谱分类中的应用

本文介绍了连续群S—函数分析方法,并利用S—函数计算了八面体强场d~n组态和弱场f~n组态子群链的分支律,表明联系一定修正规则的S—函数方法对配位场能谱分类处理是简便有效的。     

Er_2Fe_(17-x)Si_x(x=0,1,2)合金的分子场理论分析

用两格点分子场理论分析了合金 Er2 Fe17- x Six( x=0 ,1 ,2 )的饱和磁化强度随温度的变化关系 ,得到了分子场系数 n EE、n EF、n FF,计算了居里温度 ,给出了分子场强度 HEr( T)、HFe( T)随温度变化的曲线 .结果表明 ,当 x增加时 ,分子场系数 n FF明显增大 ,分子场强度 HFe( T)亦随之增大 ,而 HEr( T)在较低温区减小 ,在较高温区增大 ,并且 n FF的增大是居里温度提高的主要原因     

接地矩形导体槽电位分布的计算与分析

运用分离变量法和有限差分法分别对接地矩形导体槽内电位的解析解和数值解进行了分析，并通过MATLAB编程算出场域中一些点的电位值，比较它们的计算结果，其相对误差很小，表明数值解与解析解一样完全能够描述域中的电位分布．因此，在计算与分析过程中，可把两种方法结合起来，既加深对场域中电位分布情况的理解，又能起到相互验证的作用．     

新型T形边缘场致发射器件的静电分析

对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析,给出了一个三极管单元的数值计算结果,在静电场的计算中采用了一种新的数值方法－非正交有限差分算法,由于所取坐标轴与边界重合,所以方法能有效地处理任意形状的场致发射体。     

在电场作用下掺Ni的二氧化硅纳米多孔材料的制备

以正硅酸乙酯为硅源，以无水醇为溶剂，稀盐酸和稀氨水为催化剂，由溶胶－凝胶法制备出掺Ni的二氧化硅纳米多孔块体材料；在此基础上，应用高压电场制备出沿电场方向Ni离子呈梯度分布的材料；并对材料的结构、形态进行了初步的研究。     

关于谐振腔中的几个问题

论述了具有理想导体壁的谐振腔中各不同谐振频率的电磁场分量所满足的方程和边值条件，以及总能量与各不同频率的分量场的场能间的关系。结果表明：不同频率的谐分场间的互作用能对总场能没有贡献，总场能等于不同频率的场单独存在时的场能之和；且电场与磁场间有π/2的位相差，其场能的时间平均值相等。     

电流变流体在控制流动场中的电流变响应

电流变响应在控制流动场中的描述，是研究ＥＲ型流体控制技术的一个重要环节，理论和实验研究表明，恒定电场强度下电流变效应在控制流动场中表现出一种准稳定现象，指出控制流动场中的固相分率随时间发生变化，致使控制流动场的压降缓慢上升，即出现不利于电场对流体动力传输控制的“俘获效应”。     

原子与相关双模SU（1,1）相干态场模相互作用的熵演化

研究了二能级原子与相关双模ＳＵ（１，１）相干态中单模场相互作用的场熵特性，并讨论了场态参数和原子迭加态参数对场熵的影响。