正装连续工作的GaAs/GaAlAs阶梯衬底内条形激光器

本文报道了一种工艺简单、特性优良、可正装连续工作的半导体激光器——阶梯衬底内条形激光器,这种结构激光器由一次液相外延完成电流隔离层和四层双异质结构生长,电流通路在外延过程中自然形成,目前得到了正装室温连续激射,阈值为30～50mA的器件,其线性光输出和基横模工作范围达2倍阈值以上。     

激光二极管泵浦1319nm单频可调谐激光器技术研究

采用激光二极管泵浦单块非平面环形腔Nd：YAG激光器，获得了1319nm的单频可调谐激光输出。输出功率为99mW。斜效率为29％。用扫描F—P法和狭缝扫描法分别测量了激光器的纵模、横模特性。激光器为单纵模、基横模运转．用温度调谐方法研究了激光器的频率调谐特性，结果是调谐范围为14GHz。连续温度调谐系数为2．1GHz／C。     

LD泵浦NYAB自倍频激光器和双波长激光器

研制出国内第一台用ＬＤ泵浦的ＮＹＡＢ自倍频激光器和双波长激光器。采用直接耦合方式进行端面泵浦。自倍频激光器产生 ０．５３１ μｍ的绿色激光，基横模运转，阈值泵浦功率为 １４．３１ ｍＷ，输出功率达 ２．２ ｍＷ，斜效率达 ２．１％。双波长激光器同时产生 ０．５３１ μｍ的绿色激光和 １．０６２ μｍ的近红外激光，基横模运转，阈值泵浦功率为１４．８１ ｍＷ，输出功率达 ９．２ ｍＷ，斜效率达 ７％。     

对称共焦腔激光器横模光场分布的仿真研究

对方形和圆形腔镜对称共焦腔的横向光场分布进行了仿真研究,能够模拟任意横模的横向光场分布,而且能够对不同横模混合后的横向光场分布和光腔中的行波场进行模拟,并绘出光强分布和振幅分布的二维或三维图形。编写了简明的用户界面,能够选择腔镜类型、光腔参数、仿真对象等,使激光器横向光场的仿真可视化、简单化,有助于学生理解和掌握激光器横模的光场分布规律。     

宽温环境下半导体激光器加固研究

介绍了在宽温环境下光盘机中半导体激光器的加固技术，推导了半导体激光器热平衡方程，热加固结构主要由半导体制冷器和ＡＤ５９０传感器组成。设计了温度传感电路、单片机电路和驱动电路，组成了半导体激光器单片机温控系统。对加固的半导体激光器在－２０～＋５５℃环境下输出功率的变化进行了分析。     

压缩半导体激光器光斑的光路分析及数值计算

由于半导体激光器的发散角大，输出光束为椭圆高斯光束，若应用于实际必须解决半导体激光器高斯光束的准直和光斑校正的问题。利用高斯光束理论对压缩半导体激光器发散角的问题进行了讨论，并且给出了数值分析。     

宽温环境下半导体激光器加固研究

介绍了在宽温环境下光盘机中半导体激光器的加固技术，推导了半民地体激光器热平衡方程。热加固结构主要由半导体制冷器和ＡＤ５９０传感器组成。设计了温度传感感电路、单片机电路和驱动电路，组成了半导体激光器单片机温控系统。对加固的半导体激光器在－２０＋５５℃环境下输出功率的变化进行了分析。     

研究半导体激光器时间相干性的一种新方法

利用半导体激光器线性调频技术，研究了半导体激光器的时间相干性。其实验装置结构简单。     

广义两段式半导体激光器输出光谱的表达式

利用射线法导出了两段式半导体激光器输出光谱的表达式，把该式应用于光栅外腔式半导体激光器，还导出了激光器在任选波长振荡时，阈值载流子数密度的显函数形式的解析表达式     

用于激光器选模的屋脊棱镜

本文提出一种用于激光器选横模的屋脊棱镜,其选模能力与交叉棱镜腔同。     

半导体激光器行波速率方程的研究

考虑了ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器的俄歇效应后，对描述稳态运行的半导体激光器的行波速率方程组进行了修正，求得了隐函形式的解析解，并以此对激光器的一些重要持性进行了讨论。     

高功率半导体激光器阵列及其应用

介绍了高功率半导体激光器阵列的国内外研究情况,概述了高功率半导体激光器研究中所面临的关键性技术问题———半导体激光器阵列条、高功率半导体激光器阵列的散热技术及其光耦合技术,指出降低半导体激光器的生产成本是提高我国国际竞争力的重要手段。     

强调制半导体激光超短光脉冲

从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果．     

隧道级联大功率半导体激光器热特性分析

基于光谱法，通过测量靠近衬底的有源区波长的变化来表征其温度的变化，计算了隧道级联多有源区大功率半导体激光器的热阻。与普通半导体激光器相比，随着有源区数目的增多该热阻有增大的趋势，但并没有成倍增加，主要原因是隧道级联半导体激光器的串连电阻没有成倍增加。     

高速半导体激光器超短光脉冲产生及脉宽测试

报道了利用增压开关半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果，研制了适合测量半导体激光器超短光脉冲宽度的强度自相关测试系统，测得其脉宽为４０ｐｓ。     

1.3μmInGaAsP半导体激光器谱线展宽因子的研究

谱展宽因子是半导体激光器的重要参数之一，本文在分析了半导体激光器有区折射率和增益对载流子的依赖关系的基础上，给出了展宽因子α的定义式，实验测得１．３μmInGaAsP半导体激光的α因子的值约为３．９６。     

基于半导体激光器的快速成型能量源

针对快速成型技术中存在的问题，提出了一种可选址驱动的半导体激光器线阵能量源新方案．在计算机软件与硬件控制下，以带尾纤的低功率半导体激光器光纤输出端集成的方法设计和实现了选址驱动能量源线阵雏形．用两组半导体激光器光纤输出端线阵交错排列补偿以形成一维长度为10mm、宽度为0．25mm连续线阵能量源．该方案原理可行，为将来实现高功率半导体激光器阵列在快速成型技术中的应用提供了坚实的基础．     

半导体二极管泵浦在固体激光器中的应用

DPSSL（Diode Pump Solid State Laser）二极管泵浦固体激光器，利用输出固定波长的半导体激光器代替了传统的氪灯或氙灯来对激光晶体进行泵浦。是近年应用较广的新型激光器。本文介绍了激光二极管列阵的要求、封装结构，半导体二极管泵浦固体激光器的应用优势、发展方向、技术特点等。     

多环端镜激光谐振腔的探讨

多环端镜激光腔中各阶横模特性的一些计算结果表明:适当结构的这类新型腔与普通激光腔比较,可具有较大的横模选择性与基横模光斑半径.不考虑开孔衍射的准几何光学理论不适用于这类新型腔.新型腔可使某些单横模工作激光器的最佳输出功率约为应用相应的普通激光腔时的两倍或两倍以上.     

波导CO_2激光器的非匹配光腔

本文报道了波导CO_2激光器的一种选择横模的方法,该器件采用了大孔径波导和近场非匹配凹面镜,可得较高输出功率的基模激光.