Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

用10.6μm红外激光辐照在硅中掺入铝和锑制备大面积p-n结的研究

用脉冲高能红外激光(波长10.6μm),在N型和P型单晶硅中分别掺入铝和锑,制备了最大面积可达φ20mm的p-n结.激光掺杂存在一个阈值能量密度.掺杂浓度和深度的分布与预热温度和杂质镀层厚度有关.并对p-n结的伏安特性,扩散层薄层电阻和光生电压进行了测试.     

硅晶体管禁带宽度的测定方法

禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况.     

发现“L层”的实验

P—N结不是P型半导体和N型半导体直接联接而成,而是用杂质的“补偿效应”,由一种型号半导体通过掺杂使其反型形成的。杂质分布是余误差函数或高斯函数分布。如图一所示。n型衬底中含磷(P),进行硼(B)扩散,生成P型,P—N结界面处杂质分布:     

有限群的阶与群的结构

给出了若有限群G的阶是p1p2…pn,其中P1,…,Pn是不同的素数,则G是超可解群.同时还给出了若群G的阶| G|=60p1p2…pn,其中p1,…,pn均是大于5的不同的素数,且G是极小单群,则G(=)A5.     

临界状态下中立型时滞差分方程解的振动性

考虑中立型时滞差分方程　　△ (xn-pnxn-k) qnxn-l =0 ,n =0 ,1,2 ,… ( )其中pn,qn(n =0 ,1,2 ,… )是实数且pn≥ 0 ,qn≥ 0 ,k和l是非负整数 ,获得了临界状态下方程 ( )所有解振动的一个充分条件 .     

2-(v,14,1)设计的可解点本原区传递自同构群

设G是一个2-(v,14,1)设计的可解点本原区传递自同构群,且G是非旗传递,则有v=pn,G≤AΓL(1,pn),其中p为奇素数.     

不定复空间型中具有常数量曲率的完备全实2-调和类空子流形

设CPn+pn2+p(4)是具有常全纯截面曲率4的复n+p维不定复空间形.Mn是CPn+pn2+p(4)中常数量曲率的完备全实2-调和类空子流形,H表示Mn的平均曲率.本文利用活动标架法和广义极大值原理研究了不定复射影空间中具有常数量曲率的2-调和类空子流形,得到Mn关于H的Pinching定理.     

扫描光荧光表征半导体材料特性

报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.     

大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用

在制造VLSI集成电路中,用快速的束退火技术代替常规的高温退火可以保证晶格损伤的恢复,而且杂质再分布大大减小.从而满足浅结和速度方面的要求,这种束退火技术日益为人们所重视.例如快速的电子束对VLSIMOS器件的快速退火;利用多次扫描电子束对As~+注入n-沟MOS器件的源漏的快速退火等.本文描述了用一种新型的低能大面积冷阴极电子束的退火技术,并在4ETPM-LSTL(低功能肖特基电路)制作中的应用.     

（HgCd）Te探测器的光吸收系数对其有效Franz—Keldysh偏移的影响

在讨论（ＨｇＣｄ）Ｔｅ探测器耗尽层宽ｄ和光吸收系α的基础上，导出了探测器截止波长的有效Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ偏低Δλｃｅ与α、ｄ的关系式，说明了实验测定的Δλｃｅ偏低的原因。     

一种GP参数优化的有效方法

本文提出了一种双极集成电路GP模型参数优化的有效方法.该算法对GP模型迭代方程的参数和节点电压初值的要求大为降低,同时代替非线性方程的求解,以确定本征结电压的多次迭代过程.另外,对优化过程中所采用的简单变换处理箱型约束的方法进行了分析,确定所存在问题并在优化过程中采用了Watchdog方法使这类约束问题得到方便地解决.实验表明,这些处理对GP参数的优化是极为有效的.     

硅光伏测量电池的设计原理

讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系.     

一类线性脉冲时滞差分方程的振动性和渐近稳定性

研究了如下形式的作为一阶线性脉冲时滞微分方程的离散情形的脉冲时滞差分方程xn+1-xn+pnxn-1=0(n>0,n≠m),lx,+1-xn1=btxnt(t=1,2,…).其中pn,k,n,,bt分别满足下列条件Received date 2001-07-06Foundation item This research is supported by the China Natural Science Foundation(10071018)Biography WANG Jun (1970-), male, male in Hunan Changsha, MS, research on differential equation.(H1){pn}是一非负实数列,k为一正整数;(H2)nt为脉冲点,且有①nt∈{,2,…},②0＜n1＜n2＜…＜nj＜nj+1＜…(H3)bt∈(-∞,-1)U(-1,+∞),t=1,2,…通过方程(1)的振动性与下列方程(2)的解的振动性、稳定性在一定条件下的等价性,我们获得了(D的解振动和渐近稳定的3个充分条件.     

用于热障涂层氧化测量的复阻抗谱中等效电路参数的确定

建立了热障涂层在不同氧化阶段的等效电路,确立了等效电路中各元件参数与阻抗表征值之间的关系,确定了各元件的参数值,以达到对热障涂层微观结构以及TGO(其界面氧化物称为热生成氧化物(TGO))生长过程的检测.运用EQU软件模拟发现,等效电路阻抗谱与实测阻抗谱有很好的一致性,同时等效电路中参数值的计算与模拟的结果符合得很好.     

激光照射下生物组织解冻过程的理论分析

将激光传输的七流模型和固液相变传热的等效热容法相结合,提出了激光照射下生物组织解冻过程的二维数值计算模型.数值计算结果与有关分析解进行了比较,吻合良好.最后,运用此模型考察了生物组织光学性质和激光照射参数对激光照射所引起的组织解冻过程的影响.     

下标公差为pn的4个Fibonacci数的恒等式

证明了下标公差为pn的4个Fibonacci数的恒等式,其中p为素数.     

P_skip模式提前判决的帧间编码算法优化

帧间预测编码主要消除视频图像在时间上的冗余度.介绍了运动估计的基本原理和块匹配准则,然后运用数学和统计相结合的方法,建立了在不同代价函数时与不同量化参数下的全零块阈值模型.利用这个阈值模型,可以在运动估计之前判断P_skip模式,从而提出了P_skip模式提前判决的帧间编码算法优化方案.实验结果表明:在几乎无图像质量下...