掺La透明陶瓷MgAl2O4正电子湮没寿命谱的研究

作者采用正电子湮没寿命谱的方法,研究了化学配比（Al2O3/MgO)为2．3和2的尖晶石透明陶瓷中,掺入不同量La后的正电子湮没特性及缺陷情况,并且研究了化学配比（Al2O3/MgO)为2 的尖晶石,在电子辐射后正电子参数的变化,发现化学配比为2．3的样品在低掺杂的情况下出现空位填充现象,而化学配比为2的样品未出现空位填充现象,并且发现,非化学配比的样品没有严格化学比样品的抗辐照性强。     

高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型

从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质,样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３,形变量分别为２．５％,５％,７．５％,１０％和１５％,室温正电子寿命测量结构显示,形变样品中有新的空间型缺陷产生,鉴定为空位团,根据塑性多变样品中空位团的正电捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断,在ｐ型ＧａＡｓ中,塑性形变产生的空位团的荷电性为正,正电子寿命温度实验显示,在低温下形变样品中还存     

我国正电子湮没技术研究的现状与展望

本文在论述正电子湮没技术的基本原理、实验方法及其应用领域的基础上,评介了目前国外正电子湮没技术的研究动态、发展趋势和我国正电子湮没技术研究的现状。为了开创我国正电子湮没技术的新局面,作者提出了一些有意义的设想。     

激光驱动产生正电子实验的数值模拟研究

激光尾波场电子束作用于固体金属靶产生正电子,是一种新兴的获取正电子的实验方法。文章对其实验方案进行详细地模拟分析。利用FLUKA蒙特卡罗程序开展数值模拟,研究激光尾波场正电子实验中靶材料的选择标准,提出引入平均角分布熵产额(mean angular entropy yield, MAEY)函数指标进行正电子的实验可用性评价;计算结果表明,原子序数高的固体金靶正电子产额和平均角分布熵产额均较高,正电子的可用性相对较好。对选用固体金靶的实验方案,构建蒙特卡罗物理模型开展模拟计算,研究正电子在输运过程中的空间分布特征;计算数据显示,金靶产生正电子的角分布范围在0°～70°之间,通过准直器后正电子数目减少到原来的1.05%,存在电子、光子和中子等干扰粒子,其中光子干扰最大,在通过偏转磁场后的正电子分布空间,光子密度仍比正电子密度高2个数量级。该文的研究对于激光驱动正电子实验固体靶材料的合理选用以及相关正电子测量与应用实验方案的优化设计具有一定的参考价值。     

金刚石膜微结构分析

对在Si(100)基底上利用化学汽相沉积(CVD)法制备的金刚石膜，采用X—射线衍射(XRD)技术和正电子湮没谱学(PAS)原理进行了有关物相成分和微结构的测量分析．研究发现，在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异．结果表明，金刚石膜体和表面的结晶、微晶和非晶结构与正电子谱分析的3种正电子态相符合．     

La_（3－x）／2Ba_（（3－x）／2）Ca_xCu_3O_y超导体正电子寿

用ｘｔ子寿命谱方法研究Ｃａ局域替换Ｌａ（３－ｘ）／２Ｂａ（３－ｘ）／２ＣａｘＣｕ３Ｏｙ中的Ｌａ和Ｂａ引起的电子结构变化；并结合氧含量和转变温度的测量，分析了电子密度增加的原因．实验表明，随着Ｃａ含量的增加，体系正常态的正电子寿命明显减小，这表明正电子探测的电子密度增加．     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．     

基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成

正电子湮没技术（PAT）是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术（PAT）是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV.     

安德森与正电子的发现

1932年,安德森通过对宇宙射线的仔细研究,发现了第一个反物质粒子——正电子,并因此获得1936年诺贝尔物理学奖.2012年恰逢正电子发现80周年,现在回顾正电子发现的历程以及对正电子发现做出贡献的科学家是很有意义的.本文围绕正电子的发现这一历史过程简要介绍安德森的生平以及狄拉克关于正电子存在的预言,并介绍了中国物理学家赵忠尧所做的工作.     

求解带均衡约束多目标规划问题的一种方法

讨论约束是非线性不等式和变分不等式的多目标规划问 题（简记为VPEC问题）, 即目标为多个均衡约束的数学规划. 给出了多目标VPEC问题的最优 性必要和充分条件, 利用充分性条件将多目标VPEC问题转化为一个与之等价的一般形式的约 束优化问题, 并建立了求解此问题的l₁罚函数方法.     

不稳定流动中的非线性问题的处理

在非牛顿流体管内不稳定动中,由于本构方程的复杂性和流动的不稳定性,该问题就归结为一个非线性问题,即归结为一个非线性高阶微分方程的求解问题,本文采用谱方法来处理该非线性问题,并成功地将其化为线性问题求解。     

CVRP中二维装载问题的研究

二维载重量限制的VRP（2L-CVRP）问题是一种新的组合优化问题,是VRP问题的一个现实延伸。2L-CVRP问题中包含了物流配送中的两个子问题：装载问题和路由选择问题。很多VRP的研究,往往只致力于在路由选择方面进行优化,而忽略装载问题。针对这个问题,本文阐述了三种常用的装载算法,通过提高车辆装载率,减少车辆数目,从而降低成本。最后给出了三种算法的实验对比。     

模拟电路单支路故障诊断的理论和方法

本文就一般情况研究了模拟电路单支路故障可诊断性的必要和几乎充分的拓扑条件，给出了相应的结论，并作出了严谨的证明。文中还研究了单支路故障的诊断方法。     

网络最短路的提速问题

网络最短路提速问题起源于交通运输、计算机信息传输等领域,具有重要的理论和实际应用意义.对一般网络来说,该问题是NP-完全的.对(0,1)-提速问题的指定路线的提速问题两种情况分别进行了研究,证明了(0,1)-提速问题是NP-完全的、一般网络在指定路线情形下的提速问题是多项式可解的,给出了单源多汇网络G中提速问题的O(nm log n)算法.     

求解推广k-CARD问题的一种变邻域搜索方法

k—CARD问题是在一个无向网络G中寻找一棵k条边的子树,使得这棵树的权和最小。目前有很多启发式算法用来解决这类NP难问题。一般的研究都只考虑点带权或边带权的k—CARD问题。将k-CARD问题进行推广,考虑边和点都带权的情况。该推广模型不仅统一了传统的边或点带权的问题,更重要的是,它在现实中有着一定的应用背景。针对推广模型的特点,提出了一种变邻域搜索（VNS）方法进行求解。数值实验结果表明此VNS方法求解推广k—CARD问题是有效的。     

交换机中周期流优化调度问题的复杂性

研究了交换机中周期流量的优化调度问题,着重讨论了该问题的复杂性.依据呼损率定义了交换机周期流量调度的最优化问题,并对其子问题,嵌套周期流优化调度的复杂性进行了研究.证明了一种受限Max2Sat问题的NP完全性,并通过将该问题多项式归约到交换机周期流量调度的最优化问题,由此证明了仅有1和2周期的交换机周期流优化调度问题是强NPC问题.并利用该结果证明了任意嵌套周期的优化调度问题也是强NPC的.这表明对于任意嵌套周期流优化调度问题不存在伪多项式算法.     

线性互补问题的一种混合整数线性规划解法

经典算法一般采用迭代过程求解线性互补问题,研究了线性互补问题的直接求解方法。把线性互补问题转化为一个混合整数线性规划,然后采用数学软件进行求解;数值实验结果表明,所给出的方法能够准确快速地求得原问题的最优解。     

Hamming距离下的最短路逆问题

针对Hamming距离下的最短路逆问题,分析了最优解的性质,给出并证明了问题存在可行解的充分必要条件;利用把背包问题的实例多项式归约到该问题的实例,证明了该问题为NP困难的,为设计该类问题的近似算法提供了理论依据.