药物制剂杂质研究概述

目的对药物制剂杂质研究方法进行归纳和总结,对杂质的分析方法和标准建立做相关探讨方法通过查阅杂质分析研究方面的文献资料结果总结梳理了杂质的研究分析过程结论色谱条件、波长等关键因素的确认应合理。     

直拉单晶炉中碳氧含量的研究

晶体硅中的杂质会显著的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且做了相应的分析。     

硼扩散杂质分布研究

本文介绍了用阳极氧化和化学剥层技术测定硅中硼扩散杂质分布的方法．给出了几种不同扩散气氛下硼扩散杂质在硅中分布的实验曲线．并与高斯杂质分布函数做了比较．发现高斯理论杂质分布与实验结果有很大偏差．本文对产生这种偏差的物理机制做了较详细的讨论．     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响

采用连续电介质理论计入对材料介电常数的修正,利用变分法讨论半导体单异质结中界面附近的单电子束缚于施主杂质的基态结合能.对A lxG a1-xA s/G aA s和G axIn1-xN/InN等几种半导体异质结做了数值计算,给出杂质态结合能随杂质位置的变化关系.结果表明:当杂质处于垒材料中远离界面时,介电常数的修正对结合能无明显影响;当杂质靠近界面且组成异质结的两种材料的介电常数相差较大时,计入修正后的结合能低于已有的近似结果,最大降低可达5%~6%(x=0.3).     

量子波导理论下连一杂质的双环介观结构电子输运性质

利用量子波导理论研究连一杂质双环介观结构的电子输运性质,讨论了环臂长以及磁通量对电子透射几率和持续电流的影响。结果表明,在杂质位置、强度和磁通量一定时,透射几率和两环中的持续电流均随环臂长的改变做周期性振荡,且振荡周期相同;左环中持续电流的峰值明显大于右环中持续电流的峰值,而且左右两环持续电流的顺时针最大值明显比逆时针最大值大。当杂质位置、强度和环臂长一定时,透射几率和两环中的持续电流均随磁通量的改变做周期性振荡,左右两环持续电流的顺时针最大值与逆时针最大值相等。     

ICP-OES法同时测定RbCl产品中的14种杂质元素

研究了ICP-OES法测定RbCl产品中14种杂质元素的检测方法,确定了分析谱线、仪器的工作条件,分析了基体干扰和电离干扰的共同作用,确定以基体匹配做方法校正.该方法加标回收率为92％～107.1％,产品中杂质质量分数大于0.01％时,RSD≤5％;杂质质量分数在0.001％～0.01％时,RSD≤10％,准确度和精密度良好.     

水质对乳品质量的影响

本文根据黑龙江省部分地区水质分析的指标论述了水中杂质、耗氧量、硬度、硝酸盐及水中细菌对乳品质量的影响，并对消除办法也简要作了介绍，对控制水质质量与提高乳品质量的关系也做了说明。     

电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响

在连续介电模型和有效质量近似下,考虑电子有效质量随位置的变化,利用变分法从理论上研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的结合能.数值计算了AlxGa1-xAs/GaAs球形量子点杂质态基态结合能随量子点尺寸和垒材料Al组分的变化关系,讨论了有效质量随位置变化对基态结合能的影响,并与不考虑有效质量随位置变化做了比较.结果表明:当量子点半径较小时,电子有效质量随位置的变化增加了杂质态基态结合能,随量子点半径增大,杂质态基态结合能的增加幅度变小;量子点半径较大时,电子有效质量随位置变化降低了杂质态基态结合能.随着Al组分增大,杂质态基态结合能单调递增.     

天文用阻挡杂质带红外探测器

低温目标红外辐射的灵敏探测和成像在航天和深空探测中具有重要的应用价值.300 K以下低温目标的辐射强度很弱,辐射特征波长位于中远红外区.阻挡杂质带红外探测器是中远红外探测器中重要的一员,具有覆盖波段宽、灵敏度高、暗电流低、抗辐射性能高等优点,能够胜任空间技术和天文探测在中远红外波段探测的苛刻要求.本文以红外天文探测对红外探测器的应用需求作为出发点,主要就国内外红外天文学、红外天文探测器发展概况,阻挡杂质带红外探测器发展历史及其材料、器件结构等方面做了简要综述,并简明扼要地介绍了阻挡杂质带探测器的器件物理模型.     

电弧等离子体冶炼提纯工业硅(英文)

开发了一种把电弧等离子体冶炼和电磁感应搅拌熔体相联合的在高纯石墨坩埚内冶炼提纯工业硅的硅冶炼提纯技术.掺入到电弧等离子体工作气体流中的反应性气体在硅熔体液面处与杂质反应生成挥发性杂质化合物.工业硅中难去除的杂质是B,P和Al.用由水蒸气构成的反应性气体精炼熔融态工业硅来降低其中B和P的含量,随后定向凝固移除其他杂质.用此方法冶炼处理工业硅,其中的B,P,Al,Fe,Ti,Ca和Cu的含量从7.67,73,1931,2845,166,235和56mg/kg分别降低到5.85,29,202,676,36,89和9mg/kg.硅的纯度由原来的99.46%提纯高到99.93%.     

冶金级硅酸洗提纯研究

冶金工艺被认为是非常有前途的一种有别于传统的西门子工艺而且能够满足市场对太阳能级硅需求的工艺.冶金级硅的预处理是冶金提纯工艺路径中非常重要的一个环节,因为酸洗可以有效地去除硅中的金属杂质例如铝、铁和钙等.通过系统性的对比试验对酸洗工艺去除硅中杂质的效果进行了详细的研究,分别探讨了酸的种类、酸的浓度、酸洗时间、酸洗温度以及硅粉颗粒粒径对杂质去除效率的影响.研究结果表明最佳的酸洗工艺参数为15%的盐酸,80℃,10h和100μm.在最佳酸洗工艺参数条件下金属杂质铝、铁和钙的去除率分别为70.90%、94.82%和82.69%.     

太阳能硅片切割工艺

铸造级太阳能多晶硅由于其原料纯度和制备过程中容易引入碳及氮化物杂质,引起硅片切割过程中出现跳线和断线现象,从而造成破片率偏高.通过金相显微镜和场发射扫描电镜测试硅片碎裂处表观形貌,结合X-射线能量色散谱对其进行微区元素分析,以期从原材料选择到工艺优化等方面降低硅片的破片率.     

熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅

采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.     

Effects of high temperature annealing on the dislocation density and electrical properties of upgraded metallurgical grade multicrystalline silicon

High temperature annealing was performed on upgraded metallurgical grade multicrystalline silicon (UMG multi-Si) wafers with a purity of 99.999%. The samples were mechanically polished and chemically etched, and then the microstructures were observed by a scanning electron microscope (SEM). The minority carrier lifetime and resistivity of the samples were measured using microwave photoconductance decay and four-point probe techniques, respectively. The results show that the electrical properties of the samples decrease rather than increase as the annealing temperature increases, while the number of dislocations in bulk Si reduced or even disappeared after annealing for 6 hours at 1100–1400°C. It is considered that the structural microdefects induced by the high concentration of metal impurities (including interstitial or substitutional impurities and nanoscale precipitates) determine the minority carrier recombination activity and thus the electrical properties of UMG multi-Si wafers rather than dislocations in bulk Si.     

金属硅的酸洗和氧化提纯

为了降低金属硅酸洗的后续工艺难度,在成熟的常温酸洗技术的基础上加上湿氧氧化新技术对金属硅进行提纯.酸洗主要作用是去除大部分裸露在金属硅颗粒表面的金属杂质;而湿氧氧化后,使颗粒内部分凝系数(在硅和二氧化硅系统中的分凝系数)较小的硼在高温下扩散进入二氧化硅中,再腐蚀去除氧化层和其中的杂质.实验表明该方法对硼杂质有明显的提纯作用,提纯后,硼杂质的含量最低为4×10-6.两种技术在工艺上兼容,在提纯目标上互补,是非常有效的低能耗和低成本的提纯方法.     

深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

使用深掺杂方法在Ｓｉ材料中掺入金原子后,其电阻随温度Ｔ的变化关系由主要依赖于Ｔ＾－３／２项的浅掺杂材料变成主要依赖于ｅｘｐ（－Ｅ／ＫＴ）项的深掺杂材料,从而大幅度地提高了掺金Ｓｉ材料对温度的敏感性。在理论上深掺杂Ｓｉ材料比浅掺杂Ｓｉ材料对温度的敏感性提高了约１０００倍。用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论。深掺杂Ｓｉ材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度,也大幅度地降低了其     

高灵敏度光伏硅杂质元素分析仪的研制

光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分析仪.仪器的性能测试中:能量线性偏差为0.23%,相对极差为0.06%,相对标准偏差为0.59%,同时探测器的能量分辨率为130 eV,均可证明满足光伏硅中Cr、V、Mn、Co、Ni、Fe等杂质元素的定量分析要求.同时,用该系统对某公司生产的光伏硅材料进行测试,结果与ICP-AES测试结果相吻合.     

太阳能级多晶硅制备技术研究进展

随着光伏市场需求不断增加,满足光伏电池技术经济指标要求的硅材料出现严重短缺,低成本提纯冶金硅至太阳能级多晶硅工艺技术越来越受到广泛重视,成为研究开发热点.综述了目前国内外太阳能级多晶硅的生产工艺和最新研究状况,并进行了比较分析,展望了应用前景.     

冶金级硅真空蒸馏除磷研究(英文)

近几年,光伏产业以30%的速度持续强劲增长。作为原料的半导体工业副产品供应的不足并且在未来10～15年内也不能显著增加的情况下,建立独立的太阳能级高纯硅原料供应体系是不可避免的。从理论上分析了利用真空蒸馏的方法除磷提纯冶金级硅的可行性,并进行了真空条件下脱磷的实验研究。