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砷化镓双面抛光片的平整度不仅影响光刻过程中的对焦精度,而且双抛过程中的边缘过抛现象,即砷化镓晶片边缘去除速率增加,使得在后续应用过程中晶片边缘需去除2~3,mm,造成材料及生产成本的浪费。实验主要设计对抛光盘转速和内外齿圈转速影响双抛片表面平整度情况进行验证,结果显示抛光盘转速对抛光去除速率的影响较内外齿圈转速更为显著,而晶片的运动轨迹主要集中在抛光布中部的环状范围内,当抛光盘转速增加就造成抛光布中部的集中磨损,影响晶片的连续抛光稳定性,使晶片中心去除速率降低,而边缘过抛,增加双抛片的表面平整度。 相似文献
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随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 mm的硅晶片,提出高精度双面研磨抛光机在机械结构和控制系统等方面的改进措施,很好地解决了国内目前对大尺寸硅晶片加工难、加工精度不高等难题。 相似文献
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《西北大学学报(自然科学版)》1974,(2)
砷化镓是一种新型的无机材料,由于其本身具有许多优良的特性,在微波和某些光学方面的应用都显示出优点,所以受到国内外广泛的重视。制备砷化镓单晶所涉及的许多有关反应条件,影响单晶质量的因素及反应机理的问题还远没有弄清。根据国内外工作,水平布里吉曼法制备砷化镓单晶,其主要缺点是在制备过程中严重引起硅沾污。近几年来,针对这一问题,国内外均将二温区的水平布里吉曼法发展成三温区法,从而较为理想地克服了硅沾污的现象。我们参照了兄弟单位的有关经验,改装了三温区炉(其结构与温度分布见文献5),并用该炉作了体积比对砷化镓单品质量的影响的条件实验。 相似文献
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损伤层深度和翘曲度是鉴别晶片加工质量好坏的2个重要指标。用x射线回摆曲线法和非接触式电容法分别测量了砷化镓(GaAs)材料在线切割中的损伤层深度和翘曲度,分析了引入损伤和翘曲的主要因素。随着切割速度的降低,损伤层厚度略有减小。随着钢丝张力的增加和切割速度的降低,翘曲度明显改善。 相似文献
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当电子迅速通过半导体时,半导体纯度的重要性仅次于电子运动速度。因此,在材料中的杂质越少,电子的移动速度就越快。这一法则已由一个研究小组用于砷化镓的研究中(砷化镓是激光唱机中所用的一种半导体材料)。如将生长的砷化镓晶体 相似文献
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《科技信息》2001,(1):29
回顾半导体的发展历程,随着不同时期新材料的出现,半导体的应用先后出现了几次飞跃。首先,硅材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展,日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的应用。而后,砷化镓材料的研究则使半导体的应用进入光电子学领域。用砷化镓基材料及其类似的一些化合物半导体,如镓铝砷、磷镓砷、铟镓砷、磷化镓、磷化钠和磷砷化镓等,制备出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到不可替代的作用,由此也带来了VCD和多媒体等的飞速发展。 目前,人们又开始研究新一代的宽禁带半导体材料。其中最有意义的是碳化硅、氮化镓和氧化锌。这些材料的共同特点是它们的禁带宽度在3.3到3.5电子伏之间,是硅的3倍,比 相似文献
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向若 《科技导报(北京)》1980,(1)
微处理机(microprocessor)是七十年代大型集成电路工艺飞速发展的成果。顾名思义,它是把一个小型或中型计算机的中央处理机(central processing unit)(包括2千到10万个晶体管)整个集缩在一个大约5毫米见方的硅晶片上。也就是说,在一片100毫米直径的硅晶片上可以制作200个这样的处理机。一个中等规模的半导体工厂,每周可以生产3,000片100毫 相似文献
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何祚庥 《渤海大学学报(自然科学版)》2012,33(1):74-82
本文较系统地介绍了当代"第三代"光伏发电技术的发展,指出这一技术将取代现在正在迅速发展的"第一代"晶体硅和"第二代"薄膜光伏发电技术。在国外发展的"第三代"是"400倍、1000倍、2000倍聚光+高精度跟踪+高转化率、耐高温砷化镓聚光电池"的技术路线。在中国发展的是"太阳能炼硅+低倍聚光+跟踪+高效硅基聚光电池"的技术路线,其成本电价已下降到0.7元/千瓦时。 相似文献
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红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。 相似文献
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从研制空间用高效太阳电池出发,比较了双面钝化硅太阳电池相对于砷化镓太阳电池的优势,提出了一种新型双面钝化高效硅太阳电池的设计思想和研制方法.给出电池样品的测试结果,该电池在AM0,25℃下光电转换效率为18.7%. 相似文献
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从研制空间用高效太阳电池出发,比较了双面钝化硅太阳电池相对于砷化镓太阳电池的优势,提出了一种新型双面钝化高效硅太阳电池的设计思想和研制方法。给出电池样品的测试结果,该电池在AM0,25℃下光电转换效率为18.7%。 相似文献
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天津赛法晶片技术有限公司处在半导体照明产业链的起始环节——衬底材料的生产(晶片加工),是目前国内唯一的蓝宝石晶片生产厂家。说起蓝宝石,我们首先想到的是首饰上熠熠放光的晶体,而蓝宝石材料,是氮化物半导体衬底、集成电路衬底的首选材料。α-Al2O3单晶,即蓝宝石晶体,是目前最常用的GaN的外延衬底材料。众所周知,GaN是直接带隙材料, 相似文献
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通过研究微电子材料化学机械平坦化(CMP)加工过程中磨料颗粒在晶片加工表面的运动规律,得到磨料颗粒在晶片表面的运动轨迹方程.当晶片和垫板的转动角速度相同时,得出材料去除率(MMR)与垫板和晶片相对速度成正比的结论.给出了磨料颗粒在晶片加工表面形成的刮痕迹线实例.其结果对于正确理解微电子材料CMP加工中的材料去除机理具有实际意义. 相似文献
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《大连理工大学学报》1975,(2)
本文介绍了用平面工艺,用液态源气相扩散的方法试制的三公分微带型硅超突变结变容二极管。它具有结电容小,电容变化比大,电压与频率的线性关系较好等优点,与砷化镓变容二极管相比它的工艺简单。 相似文献
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该文主要介绍近几年来太阳能电池的最新研究进展,结合不同种太阳能电池的效率走势图分析了影响单晶硅太阳能电池.多晶硅太阳能电池.硅基薄膜电池,铜锢镓硒薄膜电池,碲化镉薄膜电池,运用新技术制造的聚光砷化镓电池和多结太阳能电池效率的主要因素还有未来的发展趋势以及未来发展中可能会面临的一些问题。 相似文献