电子产品SMT生产过程中的ESD

在电子产品SMT生产过程中,静电放电往往会损伤器件,甚至使器件失效,造成严重损失,因此SMT生产中的静电防护非常重要。本文介绍并分析了电子产品制造中的静电产生源及静电防护原理,较详细地介绍了SMT生产中的一些静电防护技术基础与相应措施。     

微电子器件工业生产中的静电防护研究

从ESD过程分析入手,对微电子器件工业生产中的静电来源以及泄放途径进行了剖析,介绍了4种静电放电模型,进而阐述了微电子器件工业生产中的静电防护技术以及静电防护体系,以确保静电防护的有效性。     

微电子器件静电防护探讨

随着我国IT产业的迅速发展和技术水平不断提高,高分子材料、微电子器件广泛应用于各领域及其产品,静电放电损伤给企业造成了重大的危害,因此,静电防护受到企业的普遍重视。研究了微电子器件静电防护的相关内容,提出了静电防护措施,以期为相关工作者提供借鉴。     

浅析我国炼油企业仪表控制系统如何预防雷击

随着现如今炼油化工企业现代化仪表更新换代,在实现优化控制和生产管理中起着重要作用。由于大多采用集成电路、微处理设备,但集成电路抗雷击、静电能力十分脆弱。为了满足在全天候气温下炼油化工装置安全运行,炼油仪表系统的抗雷击、静电预防工作显得尤为重要。     

ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。     

集成电路静电放电电压与注入能量的相关性研究

为了研究静电放电注入时损伤电压与损伤能量之间的关系,本文进行静电放电电压与注入的平均峰值能量之间的对应关系研究.实验采用静电放电模拟器在人体模型下对几种集成电路器件进行注入放电,通过Agilent inifniium示波器记录并计算得到静电放电注入时相应的能量波形,取五次能量峰值的平均值记为该电压下注入的峰值能量,采用曲线拟合的方法,得到注入的静电电压与平均峰值能量之间的关系表达式.     

静电对微电子产品的危害及防护原则

静止的电荷有了接地通路时产生静电放电(ESD),在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂化,更易受ESD的攻击,电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低生产成本,提高产品质量,赢得用户信誉的必由之路。     

静电放电电磁脉冲理论建模与作用机理研究进展

通过静电放电效应实验和理论分析,研究了IEC6100042标准规定的实验方法与实验平台的局限性,提出了改进的ESD电磁场理论模型,探讨了静电放电电磁脉冲对微电子器件作用机理,提出了相应防护对策。     

MOS器件静电放电潜在性失效概述

各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效,而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效,是目前最具争议的一种失效模式,也最具威胁性。国内外研究人员在此方面积极开展了多项研究并取得了较大的进展,他们的研究结果表明:在MOS器件中确实存在静电放电潜在性失效问题。同时,在他们的研究中对MOS器件静电放电潜在性失效的损伤机理、检测方法等进行了相应研究。     

航空电子设备维修中静电危害及防护措施探讨

现阶段,社会经济发展比较快,城市交通建设项目不断增长,在科技不断发展的新时期,航空事业也得到了大发展,航空设备中包含的电子设备和集成电路越来越多。这使得在开展航空电子设备维修工作中,静电影响无法完全避免。静电放电可能导致电子设备故障和误动作,这些会造成电子元件老化,不利于航空安全。静电还具有一定隐蔽性,导致其防护存在一定难度。对此,在航空电子设备维修工作中,需要切实把握静电产生的机理和危害,这样才能够针对性地研究静电防护措施,消除静电带来的不利影响。对此,该文介绍了航空电子设备维修中的静电危害,分析航空电子设备维修中静电防护对策。     

气体微机电传感系统中的片上ESD保护

本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构。这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1）输入/输出防护,2）电源钳位3）微机电处理过程中的内部传感器电极。本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局。这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实。测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试。     

静电纺丝法制备金属氧化物纳米纤维的研究

在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切.纳米线/管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要.静电纺丝法是一种能够连续生产直径在纳米级的高聚物纤维的方法.本文主要介绍利用静电纺丝方法制备金属氧化物纳米纤维的研究进展,并展望了其可能的应用.     

静电放电抑制器的时域矩量法分析

静电放电抑制器是一种静电放电保护电路,在射频和微波集成电路中起到非常重要的保护作用。给出了静电放电抑制器的理论模型。利用时域矩量法分析了三种结构的超低电容静电放电抑制器的电容、电场与电荷分布。数值计算结果表明放电时产生的最大电场均大于空气中击穿的阈值电场,其中弧线形放电抑制器的电场最大,而锯齿形放电抑制器可发生多点击穿,提高了系统设计的可靠性。     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。     

静电测量与防护

在日常工作、生活中,尤其是在干燥的环境中,由于物体之间相互摩擦、接触分离等原因,产生电荷转移,若在此过程中电荷难以中和,电荷就会积累产生静电,当静电积累到一定程度时就会发生放电。静电放电的最高电压可达几千乃至几万伏,其产生的电磁波会直接干扰电子设备的正常运行。随着现代化半导体器件的规模不断扩大,工作电压越来越低,半导体器件对外界电磁干扰敏感程度大大提高,静电的存在势必会对电子设备中元器件、CMOS电路及接口电路带来潜在的危害。因此,静电的测量与防护已经开始成为人们关注和研究的焦点。     

用IR2110设计的静电高压直流电源电路

利用美国国际整流器公司的IR2110器件,设计半桥驱动静电除尘高压电源,电路简洁可靠;输出级采取无电感形式的电压输出叠加方式,特别适用于静电除尘场合吸尘电极肥大的工况.     

浅谈静电危害与静电防护

综述了形成静电危害的基本条件、放电类型、静电测试技术、静电放电理论模型,提出了防护静电的具体措施。     

关于静电危害与静电防护的探讨

本文论述了形成静电危害的基本条件、放电类型、静电测试技术、静电放电理论模型与静电防护理论与技术,并提出了防护静电的措施。     

卫星在发射场的静电分析与防护策略

为提高卫星的可靠性,减少静电对卫星的危害,对卫星在发射场装运、测试各个环节的静电数据进行了分析,找出卫星静电防护的薄弱环节,并从防止静电电荷积累、建立电荷泄放通道、静电屏蔽等方面对卫星的静电防护制订了详细的防护策略。实践证明,这些防护策略对消除卫星静电是可行的。     

静电放电保护器件性能测试技术研究

为准确测试静电放电(ESD)保护器件的性能、解决ESD产生的辐射场及其高频反射对测试结果的影响,本文研制了基于微带设计和电磁场屏蔽理论的专用测试夹具,评价了该夹具的传输特性,建立了由高频脉冲模拟器、专用测试夹具和示波器等组成的测试系统.利用该系统测试了某型号ESD保护器件的限幅响应时间、箝位电压和峰值电流等性能参数.测试结果表明,该测试系统能够满足ESD保护器件性能测试要求,可广泛应用于ESD保护器件设计和优化研究.