场效应管与半导体三极管的比较

本文对场效应管与半导体三极管在结构、符号、性能、实际应用等方面做了详细的阐述,两种管子是不能混用的。     

结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。     

晶体三极管的结构与检测

本文介绍了三极管的结构与检测。介绍了三级管基极的判别,类型的判别,放大能力(β)的测量方法等。     

晶体三极管混频器性能仿真分析

利用LTspice软件对混频器进行了可视化仿真分析.通过改变晶体三极管外电路元件参数,对比分析了静态工作点、本振电压幅值和负载电阻等不同参数对输出中频信号的影响.通过改变波形坐标系,直接获得了参数与观测量的曲线,与时域波形共同说明参数对性能指标的影响.通过仿真实验,可以形象、直观地展示仿真结果,增强学生对抽象指标的感性...     

双极型三极管饱和状态的探讨

建立三极管的物理模型，分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律，进一步说明了此时三极管集电结正偏的正确性。     

三极管的工作状态及应用

半导体三极管是电子电路的重要元件,它在不同的外部条件下表现出不同的工作状态,从而具有多种不同的功能,因此得到了广泛的应用。本文主要阐述了三极管的工作状态及其在不同状态下的应用。     

三极管的偏置电路

本文首先概述了晶体管的发展历程和重要性,继而讨论了三极管作为晶体管的重要组成部分在电子电路中发挥的放大作用,最后以典型的三极管的偏置电路为例介绍了其电路原理,从而指出了在三极管的应用中设置偏置电路的重要意义。     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

改进的测三极管特性电路

指出了某电子线路基础实验教材中所给出的测三极管特的电路所存在的问题 ,并提出了合理的电路     

场效应管广义对象的数字公式表示方法

场效应管是放大器件。为学习掌握场效应管的特性，在教学中提出了数字公式表示场效应管规律的新方法。将场效应管的类型、沟道、开启或夹断电压、漏极电流或漏源电压以及转移特性的凹凸性表示成数字量，通过它们的关系建立了数字公式。数字公式的简洁方便，更利于通过数字化规律理解掌握场效应管的定性规律，增加学习兴趣，提高教学效率。     

葡萄糖离子敏场效应晶体管生物传感器

介绍以离子敏场效应晶体管(ISFET)和葡萄糖氧化酶膜组成的生物传感器的研制。根据实验结果,讨论了传感器的工作特性,利用此生物传感器检测葡萄糖溶液的浓度范围、响应时间及温度效应等工作曲线。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

Bi2Ti2O7薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

采用化学溶液沉积法，用价格低廉的原料成功地制备了Bi₂Ti₂O₇介质膜.制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO₂绝缘栅场效应管相比，前者具有较高的跨导和较低的开启电压.     

判断功率晶体管性能的方法

研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。     

HYNC-50D场效应管电火花脉冲电源

场效应管电火花脉冲电源,利用电流前沿斜率控制,实现了高效率低损耗放电加工模具,从而提高了模具的仿真度。电压控制型功率器件,利用场效应管实现了窄脉宽高峰值电流放电加工模具,取得了模具最佳加工表面粗糙度和提高去除率的统一。采用单片机和主振级两套脉冲发生器,进一步提高了电火花脉冲电源的可靠性和电火花机床的利用率。     

高保真音响中的胆石之争

分析jHi—Fi音响中胆机、石机的特点和差异．指出设计得当,胆、石机均可获得Hi—Fi。并指出在讨论胆石之争时,应考虑中国的国情。胆机不适合中国国情。     

折射率场中光线偏折的分析方法

本文分析了折射率场中偏折光线与未偏折光线在记录平面上的差异对几种情况下的偏折光线的分析方法进行了讨论,给出了相应的公式。     

栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子注入的影响

采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管,一个是底电极结构,另一个是倒置顶电极结构。文章通过对两个器件的电特性进行对比,分析出在倒置顶电极结构下栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子的注入有很大的帮助。