DNA生物传感器研究进展

概述DNA生物传感器的构建方法,主要包括光学传感器、电化学传感器和信号放大型DNA传感器,以及近年来DNA生物传感器技术的研究进展.     

DNA电化学传感器的研制

在固定电压下，将单链DNA固定在活化的碳糊电极（CPE）表面，以电活性物质Co(bpy）3（ClO4）3为指示剂，研究了单链DNA电极(ssDNA/CPE电极），双链DNA电极（dsDNA/CPE电极）的指示剂还原峰电流变化；并利用其差值（△ip）与互补DNA浓度成线性关系以待测DNA浓度进行定量，制成DNA电化学传感器，该传感器可用于特定DNA序列的识别和测定。     

DNA传感器技术概况

DNA传感器是基于DNA分子相互作用原理设计而成的一种新型的检测技术，具有快速，简单等优点，在基因分析及其他应用领域已显示出越来越重要的价值。本文就DNA传感器近年来出现的新概念、原理、方法和应用特点进行了概述。     

杂交型DNA电化学生物传感器研究进展

杂交型DNA电化学生物传感器是一类利用核酸互补配对杂交原理检测和分析特定DNA序列的电化学生物传感器.由于其具有快速简便、选择性好、灵敏度高等优点,在临床医学、遗传工程、环境检测、食品安全监测和生物科学等领域有着重要的应用价值.简述了杂交型DNA电化学生物传感器的一般原理,对共价键结合法、自组装法、生物素-亲和素法、电聚合法以及吸附法等单链DNA的固定方法和DNA杂交信号的直接和间接电化学转换机制的近期研究进展进行了深入探讨,并对其在医疗检测和转基因植物检测等基因检测方面的最新应用和发展趋势进行了论述.     

面向穿戴或植入式临床应用的ssDNA-GFET纳米生物传感器发展现状

单链DNA探针-石墨烯场效应管（ssDNA-GFET）纳米生物传感器在可穿戴或可植入式临床应用领域有着广泛前景。介绍了现有ssDNA-GFET的应用、标志物检测性能提升方法、真实人体样本溶液中标志物检测,以及面向可穿戴或可植入式临床应用的柔性化研发现状,总结了ssDNA-GFET在投入实际可穿戴或可植入式临床应用前有待解决的问题。     

尼古丁-FET传感器的研制

尼古丁是烟草中最重要的生物碱。本文报导以四苯硼酸尼古丁缔合物为活性材料,研制了尼古丁场效应管传感器,测试了器件的性能参数,获得满意的结果。其线性范围在10~(-1)～10~(-4)mol/l,斜率为56±1mV/pc,适用的 pH 范围在5.5～7.5之间。     

基于石墨烯-金纳米粒子复合材料的DNA生物传感器

以柠檬酸钠为还原剂和稳定剂制备石墨烯 金纳米粒子复合材料, 复合材料被柠檬酸钠羧基化后与末端氨基修饰的DNA发生键合, 制备DNA探针, 并以蒽醌-2-磺酸钠（AQMS）为杂交指示剂检测DNA序列的特异性. 结果表明: 基于石墨烯-金纳米粒子修饰的DNA传感器可选择性区分单碱基错配的目标DNA序列; 该传感器具有较高的特异选择性.     

电化学DNA传感器研究进展

电化学DNA传感器是一种新型的生物传感器，对其基本原理、组成及其在基因检测、基因疾病诊断药物机理研究等方面作了介绍，并对其发展趋势进行了展望．     

一种检测电芬顿体系下DNA损伤的电化学生物传感器的研制

为了检测电芬顿体系下DNA的损伤,先采用石墨烯制备了一种致密的rGO/Fe₃O₄复合材料;再将复合材料和DNA修饰到玻碳电极上,利用电化学还原作用释放游离态Fe²⁺,并加入H₂O₂形成电芬顿体系;最后构建了一种检测电芬顿体系下DNA损伤的新型电化学生物传感器。检测结果表明,检测DNA损伤的最佳时间为30 min,最佳pH值为7.0。     

电化学DNA传感器研究进展

电化学DNA传感器是一种新型的生物传感器,对其基本原理、组成及其在基因检测、基因疾病诊断药物机理研究等方面作了介绍,并对其发展趋势进行了展望.     

Synthesis and Field-effect Transistor Behavior of New Oligo-selenophene Derivatives

1 Results In recent years,interests in organic semiconductor have increased due to the applications in optoelectronic devices such as organic light-emitting diodes (OLEDs)[1],field-effect transistors (FETs)[2],and photovoltaic devices[3]. These organic electronics have several advantages over conventional inorganic electronics including facile processability,chemical tunability,compatibility with plastic substrates,and low cost to fabricate. Selenophene-based molecules show good π-conjugating electron o...     

栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子注入的影响

采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管,一个是底电极结构,另一个是倒置顶电极结构。文章通过对两个器件的电特性进行对比,分析出在倒置顶电极结构下栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子的注入有很大的帮助。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

GaN基场效应器件Monte Carlo模拟

基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Monte Carlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布,最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.     

绝缘栅场效应管工作原理的统一表述

关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层（它不应该与耗尽层混同）。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV‘DS|是各个不同VGS时,击穿电压的最大值。     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

面向SWCNT-FET制造的介电泳装配技术

针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场,并做了大量装配实验,获得了高效装配SWCNT所需的实验参数.AFM扫描观测及电特性测试验证了这种方法的有效性,同时也为其他一维纳米材料纳电子器件的装配制造提供了借鉴.     

Organic Field-effect Transistors Based on Tetrathiafulvalene Derivatives

1 Restults Tetrathiafulvalene (TTF) and its derivatives have been extensively investigated in the field of organic conductors and superconductors since 1973. Recently, their application in organic field-effect transistors (OFETs) has attracted considerable attention. So far, on the one hand, the fabrication techniques of the TTF-based FETs have been primarily limited to high vacuum evaporation, which is a relatively expensive process. On the other hand, low FET performances, such as the low on/off ratio...     

低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现

基于SMIC 0.18gm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构。通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流。所设计像素尺寸为3.6μm×3.6μm,并将其应用于一款648×488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42dB,在25℃下表面暗电流为25mV／s（转换成电压表示的）。所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流。     

约翰·巴丁对点接触晶体管发明的贡献

文章从少数载流子注入、点接触晶体管发明、晶体振荡器和放大器电路、点接触晶体管的重要性方面阐述了约翰·巴丁对发明第一只半导体晶体管的重要贡献.