CMOS-DRAM的性能和设计

本文对近期发展起来的ＣＭＯＳ－ＤＲＡＭ的设计方案和性能优点进行了全面的分析。做在Ｎ阱内的单元阵列在抗α软失效方面有很大的好处。利用ＣＭＯＳ的特点使外围电路静态化既可以简化电路，又能提高电路速度和可靠性。对Ｓ／Ｒ放大器，时钟电路和行译码器等关键电路进行了较详细的分析，显示出ＣＭＯＳ－ＤＲＡＭ比ＮＭＯＳ－ＤＲＡＭ的优越性。     

CMOS反相器在低电压低功能模拟系统中的应用研究

研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波经具有工作电压低、功耗极低、动态范围宽、元件新少等特点，同时提出了由ＣＭＯＳ反相器的能工作在±１Ｖ电源下阈值电压可调的神经元器件，文中所有的电路均经ＰＳＰＩＣＥ软件验证。     

CMOS反相器在低电压低功率模拟系统中的应用研究

研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压低功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波器，它具有工作电压低（±１Ｖ）、功耗极低、动态范围宽、元件数少（仅２个ＭＯＳ管）等特点，同时提出了由ＣＭＯＳ反相器构成的能工作在±１Ｖ电源下阈值电压可调的神经元器件，文中所有的电路均经ＰＳＰＩＣＥ软件验证．     

单片程控双二次CMOS OTA—C可变迟延均衡器

报导了由ＣＭＯＳ跨导运算放大器（ＣＭＯＳ ＯＴＡ）和电容（Ｃ）实现的双二次可变迟延均衡器,其迟延曲线形状和最大迟延频率可分别由各自控制电流调节。该电路中无电阻,易于单片集成。设计了具有新型输入级的ＯＴＡ,它大大扩展了线性输入范围和改善了非线性误差。详细分析了双二次迟延均衡器的原理,提出了实现均衡器的电路结构,给出了电路的计算机模拟结果。     

新型CMOS数控振荡器

提出了一种新型ＣＭＯＳ数控振荡器的设计．该振荡器由一个结构简单的电流控制振荡器和一组可数控的电流源电路构成,电路结构简单,非常适合作为ＡＳＩＣ单元电路使用,既可单独作为数控振荡器使用,也可用作为数字锁相环中的一个部件．计算机电路模拟结果表明,新型ＣＭＯＳ数控振荡器具有较高的自激振荡频率、较宽的频率变化范围及较高的频率控制精度等特性,在计算机接口电路中有着良好的应用前景．     

CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术, 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明, Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路; 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ 电路的快速恢复     

一种实用模糊控制器的研制

针对一个磁场中悬浮金属小球的控制问题，设计了有两输入一输出和九条规则的模糊控制器。控制器采用了一种新的模糊化和去模糊方法，它克服了通常的模糊化方法中由于把精确量分等级而带来的信息损失。模拟结果表明模糊控制与常规 Ｐ Ｉ Ｄ 方法相比，具有过渡时间短、超调量小和稳定性好的特点。用 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ电流型电路进行了设计，并用改进型 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ工艺流水，结果表明该电路较好地达到了设计要求。全部电路近 ３００ 个 Ｍ Ｏ Ｓ管，面积为 １１ ｍ ｍ ２， 功耗为１０７ ｍ Ｗ 。     

神经网络并行算法型CMOS模数转换器设计

基于神经网络和开关电容技术提出了一种行算法型ＣＭＯＳ模数转换器电路结构，文中详细分析了电路的工作原理，并采用通用电路模拟程序进行了仿真，结果表明转换功能正确，输入电压递增和递减均无错码，转换过程中不需要复位，该转换器充分发挥开关电容精确处理和神经网络并行处理的优点，因而精度高，速度快，而且所需元件少，工艺完全与常规ＣＭＯＳ兼容，是一种有巨大发展潜力的新型ＣＭＯＳ转换器。     

对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

Fieldbus网络通信模型中的MAC层

针对现场总线网络模型的实时特征，讨论了其ＭＡＣ层中的通信协议问题，包括有ＦＢＣＯＳ／ＭＡＣ协议族的优先决策、实时虚电路和预约协议；ＦＢＣＬＳ／ＭＡＣ协议族的ＭＬＦ窗口协议和虚时间ＣＳＭＡ协议．在此基础上，概括和推广了基于ＭＬＦ窗口协议既支持ＦＢＣＯＳ又支持ＦＢＣＬＳ的统一窗口协议．不但完成了对ＦＢＣＯＳ／ＭＡＣ，而且也完成了对ＦＢＣＬＳ／ＭＡＣ通信协议的实时性、时间确定性和网络开销等通信模型进行了仿真分析，并且给出了数值结果．     

应用CIM—OSA方法进行CIMS设计初探

本文论述了ＣＩＭ－ＯＳＡ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｏｐｅｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）的内容及特点，详细介绍了齐齐哈尔第一机床厂在ＣＩＭＳ设计中应用ＣＩＭ－ＯＳＡ的构想。     

远方终端装置（RTU）的软硬件设计方法

本文介绍以ＩＮＴＥＬ公司ＭＣＳ－５１系列单片微机为主机芯片，配以３２ＫＥＰＲＯＭ和３２ＫＲＡＭ以及各种接口电路组成ＲＴＵ的软硬件设计方法．     

CCⅡ实现的全集成MOSFET—C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路，Ⅱ型电流传送器和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块－理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等。其中由笔者首次给出了基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现的了基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连纽时间滤波器。     

CCⅡ实现的全集成MOSFET－C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路（ＭＲＣ）、Ⅱ型电流传送器（ＣＣⅡ）和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块──理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等；其中由笔者首次给出基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现了一个基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器．这种滤波器不仅与基于运放的ＭＯＳＦＥｔ－Ｃ连续时间滤波器一样可以单片集成化，而且比后者具有更优越的高频性能．     

微机电源的操作干扰及防护

本文对直流稳压电源的操作瞬态过电压，及其对负载──ＣＭＯＳ电路的危害进行了研究，并设计出了相应、有效的防护电路。从根本上克服了操作过电压干扰对负载的危害。     

十二路AV切换控制器

介绍了由ＣＭＯＳ集成电路构成的多路音视频切换电路原理及构成。     

全集成MOSFET－C精确连续时间滤波器平衡结构［CCⅡ±］实现及仿真

以全集成ＭＯＳＦＥＴ电流传输器［ＣＣⅡ±］为基础提出了一种积分电路平衡结构，并对其消除非线性因素进行了理论分析，同时提出了相应的基本电路元件的有源ＲＣ双Ｔ滤波器平衡模式。利用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，对以［ＣＣⅡ±］为基础的一个全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构６阶低通切比雪夫滤波器输出电压幅频特性和相频特性进行了仿真分析，得到了实用的结论。     

利用数字技术的延时电路

本根据ＣＭＯＳ数字ＩＣ原理,详细讨论了利用ＣＤ４０６０集成电路的１４级分频,实现延时的一种电路。     

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．对ＭＯＳ电路中的小跨导器件图形的设计及ＶＤＭＯＳ与Ｅ／ＥＭＯＳ的界面设计进行了分析和讨论