一种无定形SiO2上沉积含氢的非晶硅氧改善硅平面管特性的方法

本的是在无定形ＳｉＯ２上沉积含氢的非晶硅氧修复特性较差的硅平面管的方法，该方法可使特性较差的管子起死回生。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

Tm^3＋掺杂3CdO·Al2O3·3SiO2玻璃的合成及光谱特性

合成了Ｔｍ＾３＋掺杂的３ＣｄＯ·Ａｌ２Ｏ３·３ＳｉＯ２玻璃，对其吸收光谱、激发和发射光谱进行了测试与分析，并根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了该玻璃中Ｔｍ＾３＋离子的辐射跃迁几率、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数。     

AlF3—PbF2—SiO2系红外玻璃的研究

以（ＮＨ４）３ＡｌＦ６、ＰｂＦ２及ＳｉＯ２为原料,制取了一种新型红外玻璃体系,并对该玻璃的成玻区域、Ｘ－射线、红外光谱、热稳定性和稳定性性进行了研究报道。     

高比表面SiO2微粉的制备及微孔形成机理

采用化学沉淀法合成超细ＳｉＯ２，并用氮吸附静态容量法测量了样品的氮吸附等温线，计算出ＢＥＴ比表面和孔分布，用透射电镜观测了微孔的形态，对高比表面和微孔的形成进行了初步的探讨。     

表面修饰钴的SiO2复合体制备及应用

比高比表面多孔型ＳｉＯ２为载体,用等体积浸渍法制得表面修饰钴的ＳｉＯ２复合体。经ＸＲＤ,电子能谱,ＴＥＭ检测发现表面修饰组分钴在ＳｉＯ表面均匀坦协,且复合体在丙烯还原一氧化氮的反应中表现出良好的催化活性。     

纳米SiO2／环氧树脂复合材料的制备和性能

通过超声波分散和偶联剂处理的方法使纳米 Ｓｉ Ｏ２ 粒子在环氧树脂中充分分散,制得了纳米 Ｓｉ Ｏ２／ 环氧树脂复合材料．利用拉伸测试 、冲击测试、热失重分析等方法对该复合材料的性能进行了研究,结果表明,纳米 Ｓｉ Ｏ２ 粒子较大地提高了环氧树脂的拉伸强度、冲击强度、断裂伸长率、热稳定性等性能．     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构

使用N离子（能量分别为10keV,60keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜,用Raman光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构。结果表明,金刚石膜经10keVN离子注入后,在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰（1332cm^-1)和一个弱的石墨峰（G带,-1550cm^-1)。而XPSN1s资料显示两个主峰分别位于～398.5eV和～400.0eV。金刚石膜经60keVN离子注入后,N1sXPS光谱中的主峰位于～400.0eV;相应地,Raman光谱中的石墨峰变得较强,通过比较,对注入样品的XPS谱中N1s的成键结构作如下归属：～400.0eV属于sp^2C-N键;～398.5eV则属于sp^3C-N键。     

醋酸酯淀粉／PVA复合泡膜材料的燃烧及热降解性能研究

用醋酸酯淀粉和PV A为主要原料,在其他助剂的作用下,制备了淀粉基泡沫材料,研究表明：PV A含量为30份时,泡沫材料的密度最小为02．61 g/cm3,此时,泡沫材料的泡孔分布均匀。氢氧化镁含量在20份时泡沫材料的垂直燃烧达到了V -0级,并且热稳定性好。     

快速溶胶-凝胶法制备SiO2气凝胶的研究

以正硅酸乙酯（TEOS）为原料，以乙醇为溶剂，以盐酸和氨水为催化剂，用溶胶－凝胶法制得了SiO2气凝胶，大大加快了溶胶－凝胶的反应速率，使得凝胶时间减少至几分钟甚至于更短，TEM测试结果表明所制备的SiO2气凝胶具有纳米多孔结构（骨架颗粒为80nm)实验对溶胶－凝胶过程在不同条件下进行了研究，并对其凝胶过程作了初步探讨，得出了最佳工艺条件。     

二氧化硅簿膜驻极体的电荷动态特性

系统地研究了二氧化硅薄膜驻极体的负表面电荷和正表面与体电荷受激脱阱后在体内的输运规律。并考察了这种驻极体的放电特性，化学表面处理对该驻极体的电荷稳定性及电荷层在体内的迁移规律的影响。充电后的适当老化程序，可使电荷重心从样品的自由面附近向体内迁移，由此导致的二氧化硅的体内负电荷具有极好的稳定性。这一结果对正在研制中的二氧化硅微型传感器的质量改善是十分重要的。     

Fe/SiO2催化剂的快速制备及催化生长碳纳米管

以纳米二氧化硅吸附和分散FeCl3.6H2O,采用旋转蒸发-高温还原法合成出Fe/SiO2催化剂。采用化学气相沉积法制备碳纳米管,使用SEM和TEM对产物进行了表征。结果表明,当Fe/(SiO2 Fe)(物质的量比)为17.5%时,能够制备出高质量的直径为30~50nm的多壁碳纳米管。     

附载光催化剂TiO／活性炭光催化氮化NO2^—的研究

探讨了光催化剂TiO2/C的制备条件和不同制备条件对NO2^-的光催化氧化效果，研究表明，制备TiO2／C的最佳条件为：Ti（OCH3）4的用量为10ml，附载光催化剂样品在400℃下焙烧5hTiO2／C的用量为0．5g时光催化效果最好。     

二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

采用火焰水解法（FHD）在Si片上快速演积出SiO2厚膜材料,材料膜厚40μm以上,生长速率8μm/min。将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理,获得各种形状的二氧化硅厚膜材料。利用XRD,SEM,电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行测试分析。     

Gd2O3-MgF2膜的正电子湮没研究

用²²Na正电子湮没寿命谱学法检测石英片上Gd₂O₃-MgF₂膜.阐明了正电子湮没参数和膜结构的关系.     

热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性

对用热阴极辉光ＰＡＣＶＤ方法合成的金刚石厚膜，采用扫描电子显微镜进行了观察，研究了金刚石的生长机制。     

温度对钛合金膜电阻及其电化学腐蚀特性的影响

根据钛合金的电流响应曲线和Ｔａｆｅｌ曲线。测得钛合金在Ｈ２ＳＯ４溶液中的钝化膜电阻和电化学腐蚀速率结果表明，稳定钛合金钝化膜只能在较低温度下形成，温度越高，钝化膜越不稳定，自腐蚀电位越低，自腐蚀电流越大，电化学腐蚀速度也越大。     

金属/电介质多层膜的光学特性

在Ｄｒｕｄｅ模型的基础上,计入金属薄膜表面对传导电子弛豫时间的影响,计算了金属的介电函数和光学常数,并利用结构特性矩阵方法计算了金属／电介质多层膜的反射率和吸收率,讨论了金属层厚度、层数对反射率和吸收率的影响     

用于分离水—乙醇的醋酸纤维素膜的渗透气化特性

本文研究了二醋酸纤维素(CA),三醋酸纤维素(CTA)均质致密膜及CA反渗透膜对水-乙醇混合液的分离特性,发现这三种膜均呈现出良好的水优先透过性,展示了潜在的应用前景.CA与CTA对不同水-乙醇混合液的渗透气化速率J及选择分离比α,呈现出相同的变化趋势,但在各组成比,CA比CTA致密膜的J值要小,α则大.CA反渗透膜对水-乙醇混合液的渗透气化特性与CA致密膜不同,与操作温度之间的关系也不呈现Arrhenius指数变化规律.对上述透过现象,从膜的溶胀度及形态结构的角度进行了理论探讨.