退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热触获得CdS薄膜，水热法合成CdS纳米晶，在氮气中做了退火处理，发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动；经暗电阻与温度关系测试，发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值，用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由；室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰。     

溅射制备NiTi薄膜的马氏体相变

研究溅射制备的ＮｉＴｉ薄膜的马氏体相变行为。电阻随温度的变化曲线以及变温Ｘ射线衍射实验表明,当温度由４００℃连续下降到－１８０℃时,ＮｉＴｉ薄膜发生了Ｂ２→Ｂ→Ｂ‘’以及Ｂ２→１９’相变。     

不同复合方式的铁电薄膜极化性质研究

为了优化人工复合铁电薄膜的性能,建立三种材料复合而成的新型铁电薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,三种组元间采取不同的复合方式,同时引入一个分布函数来描述它们之间过渡层的性质,在不同的复合方式下,重点对复合铁电薄膜的极化性质展开了研究。研究表明复合方式的变化引起了薄膜内部极化强度分布的显著变化,该复合薄膜的平均极化强度随温度的变化与体材料的相应关系有显著区别。随着温度的逐渐升高,在未达薄膜相变温度前,平均极化强度出现了一处突降,这一性质在复合铁电薄膜热释电性质及其器件的应用上有十分重要的意义。     

ITO退火膜的光学和电学特性

对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜进行退火处理,并对退火后ＩＴＯ薄膜的光电特性进行分析。结果表明,Ｎ２气氛下退火可以改善ＩＴＯ薄膜的结晶性,同时使ＩＴＯ薄膜质量得到优化,并显著提高ＩＴＯ薄膜的透明性和电导性。     

富Ti—TiNi形状记忆合金薄膜的析出相与相变

研究溅射富Ｔｉ－ＴｉＮｉ合金薄膜中的析出相及相变温度随退火温度手时间的变化规律;同时对富Ｔｉ－ＴｉＮｉ合金薄膜的马氏体相变温度比块材富Ｔｉ－ＴｉＮｉ合金及富Ｎｉ－ＴｉＮｉ合金薄膜低的原因进行讨论。     

离子取代对La2CuO4电学性质的影响

详细研究了多种离子取代对Ｌａ２ＣｕＯ４电学性质的影响。Ｚｎ＾２＋和Ｍｇ＾２＋分别取代Ｃｕ＾２＋都使Ｌａ２ＣｕＯ４的电阻率显著增加，并且Ｍｇ＾２＋的作用比Ｚｎ＾２＋大。Ｎｉ＾２＋取代Ｃｕ＾２＋后，总的趋势是样品的电阻率降低，但Ｌａ２Ｃｕ０．８Ｎｉ０．２Ｏ４的电阻率最高，这可能与相转变有关。结合Ｌａ２ＣｕＯ４的结构特征，文中对各种离子的取代作用进行了讨论。     

PTO种子层对PZT铁电薄膜结晶温度和电学性能的影响

该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善.     

不同原子比对固相反应制备方钴矿电学性质的影响

方钴矿(CoSb₃)是较为优秀的中温区热电材料之一,具有较好的应用前景。本研究采用高温固相反应法,在923 K、保温时间约30min的条件下,制备了钴锑不同原子比的方钴矿,考查了室温附近钴元素减小量对方钴矿的微观结构和电学性质变化影响。研究结果表明,当钴元素的减小量x≤0.5时,仍然可以合成单相的方钴矿,而当钴元素的减小量继续增大时,方钴矿的合成效果会急剧变差;样品Co_4-xSb₁₂具有许多微气孔,随着钴元素的减小,样品的结晶度明显变差,微气孔的数量和尺寸也明显增多;样品Co_3.9Sb₁₂获得的最大Seebeck系数的最大绝对值为375μV/K,样品Co_3.7Sb₁₂最小电阻率为74 mΩ·cm,样品Co_3.5Sb₁₂获得的最大功率因子为77.7μW/(m·K²)。     

铁元素掺杂TiO2纳米晶薄膜结构和光学性质研究

通过反胶束法制备掺铁（1%）的TiO2纳米溶胶,用浸渍提拉法在洁净的玻璃基底上形成不同条件下铁掺杂的TiO2（Fe-TiO2）纳米薄膜,分别在500℃和700℃温度下对陈化干燥的铁掺杂的TiO2凝胶进行热处理,得到不同粒径和不同堆积的铁掺杂TiO2纳米晶体.将不同制备条件下得到的（Fe-TiO2）纳米膜进行UV-可见光谱、SEM图像进行研究.实验表明：经过700℃热处理的铁掺杂的TiO2纳米晶粒比500℃铁掺杂的TiO2纳米晶粒大,且薄膜不同涂覆次数对TiO2纳米晶粒的大小与堆积均产生一定的影响;随着膜涂覆层数的增加,掺Fe-TiO2纳米薄膜的紫外可见吸收光谱出现明显红移,吸光度也大大增加。     

两参数马氏链的标准三点转移函数的微分性质

讨论了标准三点转移函数及其各阶偏导数的基本性质,求出了转移函数的一个开展式。     

LiTaO3晶体结构相变的等频喇曼光谱研究

本文分别在升温与降温过程中测量了10cm~(-1),30cm~(-1),50cm~(-1),80cm~(-1)处的等频喇曼光谱,并与理论计算的结果进行了系统的比较,基本上得到了定量的拟合。这一方法解决了普通喇曼光谱在分析高温下样品时所存在的中心峰干扰的难题,对结构相变的光谱研究开拓了一个新的领域。     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

相转移法合成肉桂酸苄酯

本文报道了以肉桂酸或肉桂酸钾盐、和氯苄为原料,以三乙胺、季铵盐和冠醚作为相转移催化剂,用液-液和固-液相转移催化方法合成肉桂酸苄酯的情况。介绍了在不同的相转移方法里,不同的反应条件对产率的影响。同时对季铵盐在固-液两相转移催化酯化中的情况进行了讨论。     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

层状晶体H2C4O4的反铁电相变理论

本文在赝自旋模型的基础上,根据H₃C₄O₄晶体的层状结构特点,用Green函数方法研究了它的相变性质.结果表明H₂C₄O₄的顺电-反铁电相变是一级相变.而Zinenko基于同样模型只得出二级相交的结论.求出了序参数随温度变化的关系,其结果与实验基本相符.     

离子束动态混合氮化钛薄膜生长及其组分和结构分析

用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击同时进行的动态混合方法制备了氮化钛薄膜.RBS组分分析结果表明,离子束动态混合制备的氮化钛薄膜中的氧含量比不用离子束轰击的显著减少,薄膜的组分与离子原子到达比关系不大,主要受长膜过程中吸附效应的影响.随着蒸发沉积速率的提高,膜中氮含量下降,提高样品温度可获得同样效果.采用TEM和XRD对薄膜的结构进行分析测定,发现离子束动态混合制备的氮化钛薄膜主要由面心立方结构的TiN相构成,晶体取向随离子原子到达比(N/Ti)的增加,由<111>择优取向变到无择优的随机取向,然后再转变到<200>择优取向,合成的氮化钛薄膜具有良好的抗磨损性能,划痕试验表明薄膜与基体间结合力极强,临界载荷达10-15kg.     

间硝基苯胺单晶电学性能研究

间硝基苯胺(m-NA)单晶是一种新型极性晶体材料.本文通过实验首次报道了它的非极性轴方向的介电常数、损耗角、交直流电导特性.同时阐明在熔点附近热释电行为.     

赤子爱胜蚓纤溶酶的活性及性质

采用纤维蛋白平板法测定赤子受胜蚓的纤溶酶活性,酶溶解纤维蛋白板的溶圈面积为35.0±4.2mm~2。纤溶酶在温度50℃以下,pH值4.0-10.0的范围内酶活性比较稳定。其最适温度为57°-59℃,最适pH值为8.0。也就是说纤溶酶在偏碱的条件下,活性最强。因此,纤溶酶制剂宜采用肠溶衣饭后半小时服用为佳。