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从CF2HCl裂解制备C2F4已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解[1]、分子束技术[2]、以及多光子解离[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO2激光为热源,研究了CF2HCl的非均相反应机理. 相似文献
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我们于1978年研制成功可实用的全固化W-1(图1)及W-1A型微波针灸仪共三套[1],该年10月通过全套例行试验[2],并获得医院的疗效观察报告[3].1979年《电子科学技术》杂志对此作了简短报导[4].1980年[5]及1981年提出的新型号,无论频率选择、方案确定,均以W-1A型的设计及电路为兰本. 相似文献
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聚四氟乙烯驻极体的电荷贮存与输运 总被引:2,自引:1,他引:1
通过在常温和高温下对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的恒压电晕充电,讨论了热处理对PTFE驻极体电荷贮存性能的影响和该材料在高温下突出的电荷贮存能力.利用热脉冲技术[1]和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)[2]组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型. 相似文献
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通过对于Lamb激光量子理论[3,4]的推广,S.Singh[1]和S.Chu[2]已研究了双模激光的量子统计性质.本文将使用Lamb的全量子理论处理方法,获得激光场密度算符非对角元的运动方程,进而求得激光在双模运转下的线宽并讨论模耦合对线宽的影响. 相似文献
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要将晶体的背射X射线劳厄衍射花样转化为极射赤面投影,常用格伦林格(Greninger)表[1]或"极射赤面投影尺"[2].但格伦林格表由于是由一些曲率不同的双曲线构成,若无标准的原样,往往很难制备;而一般书上印的这种表其大小常常是不正确的,不能作为依据. 相似文献
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随着科学技术的发展,人们越加重视对极性晶体表面层中极化子性质的研究[1~4].但对有限温度情况下表面极化子的研究很少.梁希侠和顾世洧[5]研究了在零温情况下半无限极性晶体内的极化子,本文将讨论有限温度下,半无限极性晶体内极化子的性质. 相似文献
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半无限极性晶体中强耦合极化子的温度依赖性 总被引:2,自引:0,他引:2
随着固体科学和技术的发展,晶体表面和界面极化子的性质,一直受到人们的重视[1,2].近年来,已有不少作者[3,4]研究了表面和界面极化子,其中很多工作集中于弱,中耦合的情形. 相似文献
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掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究.结果表明,薄膜中氮含量随工艺中氮气/甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和.光谱中CH键吸收峰(2859~3100cm-1)逐渐消失,而且CNH键(1600cm-1)、C≡N键(2200cm-1)和NH键(3250cm-1)对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加.拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应.偏振光谱分析认为,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由1.8降低到1.6. 相似文献
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绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视. 相似文献
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该文研究了不连续锡膜上覆盖铝膜的光学性质.发现覆盖铝对不连续锡膜的光学性质影响很大,增强了可见光区的光谱选择吸收和红外反射率.不连续锡膜的填隙因子对这种膜系的光学性质影响较大.应用所建立的结构模型和Maxwell-Garnett理论,计算了这种双层结构膜的反射曲线,结果与实验基本相符.这种膜系具有各种美丽的反射色,有可能作为新型的建筑、灯具、室内等装饰用的镜面材料. 相似文献
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使用反胶束方法,制备TiO2纳米溶胶和Fe元素掺杂TiO2纳米溶胶,通过提拉涂覆及热处理方法在玻璃基底上形成一定厚度的二氧化钛纳米薄膜和Fe掺杂二氧化钛纳米薄膜,并且在不同温度下对陈化干燥后的TiO2凝胶和Fe元素掺杂TiO2凝胶进行热处理,得到不同粒径的锐钛矿型二氧化钛纳米晶体和Fe元素掺杂TiO2纳米晶体.研究表明,700℃热处理纳米晶的晶粒粒径远远大于500°C纳米晶的粒径,500℃热处理得到的Fe元素掺杂TiO2纳米晶体薄膜的可见区光学活性不如未掺杂的TiO2纳米晶薄膜,而700℃热处理条件得到的Fe元素掺杂TiO2纳米晶体薄膜的在可见区光学活性远优于未掺杂的TiO2纳米晶体薄膜.高温处理得到的Fe元素掺杂TiO2纳米晶体薄膜将在太阳能光催化和光电转换等方面具有潜在的应用前景. 相似文献
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强脉冲电子束引发气相沉积过程的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
近年来,随着等离子体技术的迅速发展,等离子体化学气相沉积在微电子、超导、光纤通讯等新技术领域里被广泛用于材料表面改性,制备各种具有特殊性能的薄膜等.作者在这方面作了一些有意义的工作.本文将介绍一种类似于激光产生化学气相沉积的新手段,即在低压气体环境中,利用强脉冲电子束轰击靶物质,在衬底表面生成固体薄膜的实验结果,以及用AES,ESCA.电子显微镜等分析手段观察,探讨样品表面的化学组成和结构变化. 相似文献
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本文较详细地研究了采用HFCVD方法在Si、Mo等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜,讨论了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响.结果表明在HFCVD方法中,金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感,生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长. 相似文献
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作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17. 相似文献
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为了优化人工复合铁电薄膜的性能,建立三种材料复合而成的新型铁电薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,三种组元间采取不同的复合方式,同时引入一个分布函数来描述它们之间过渡层的性质,在不同的复合方式下,重点对复合铁电薄膜的极化性质展开了研究。研究表明复合方式的变化引起了薄膜内部极化强度分布的显著变化,该复合薄膜的平均极化强度随温度的变化与体材料的相应关系有显著区别。随着温度的逐渐升高,在未达薄膜相变温度前,平均极化强度出现了一处突降,这一性质在复合铁电薄膜热释电性质及其器件的应用上有十分重要的意义。 相似文献
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在谐振梁能量收集器中PZT膜材料的制备起着至关重要的作用,复合结构的锆钛酸铅(PZT)厚膜采用溶胶-凝胶方法旋涂在硅基的Au/Cr/SiO2/Si结构衬底的制备方法,主要因为溶胶-凝胶制备方法简单,成本低适合于集成制作.改进PZT组分和和0-3混合法及复合结构的Au/Cr/SiO2/Si衬底,使制备的PZT厚膜避免了厚... 相似文献