lμm MESFET/SOS 集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性

本文介绍的MESFET/SOS微波差分放大器是在蓝宝石衬底上硅外延薄膜内制备的.该电路特征线宽为1μm,制备工艺简单,仅需三块掩模,应用全离子工艺,具有足够小的漂移电压和失调电流.由于采用蓝宝石为衬底,大大减小了寄生电容,从而获得高的频率特性.在77K时对器件的测量结果表明,低温下器件的直流和微波特性均获得显著的改善.直流本征跨导增加了约46%,单位电流增益频率从4.9GHz增加到6.5GHz.作者认为这主要归因于低温下平均电子迁移率和电场漂移速度有很大的提高.     

掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响

半绝缘(S.I)GaAs材料既在微波MESFET器件中用作外延生长的衬底又在集成电路中用作直接离子注入的掺杂层材料,因此进一步了解S.I-GaAs材料的质量是十分重要的.本文将Si²⁸直接注入到不同质量的掺Cr.S.I-GaAs衬底,然后测量注入层的载流子浓度分布和迁移率,从而直接评价SI-GaAs材料的质量,并对实验结果进行了讨论.     

砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长Ⅰ.砷化铟的浅施主——总受主关系和剩余施主本性的推测

本文根据文献数据推导出InAs的浅施主N_D对总受主N_A的关系曲线,发现体单晶、气相和液相外延三种材料的数据能用一条曲线来表示.因此推测InAs体材料中的剩余施主应以化学杂质为主.     

InSb1-xBix的液相外延

本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb_1-xBi_x外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb_1-xBi_x电外延的初步试验.     

柔性衬底上三氧化钼正方形纳米片的低温制备及生长机制

采用热蒸发方法,以红外烧结炉为制备仪器,在聚酰亚胺柔性衬底上制备正方形纳米片.通过扫描电子显微镜、X-射线衍射谱表征产物的形貌、尺寸、成分及物相,并对纳米片的形成机理进行了探讨分析.研究表明,此纳米片为三氧化钼(MoO3)的正交结构.生长时间、衬底和蒸发源的间距对纳米片的尺寸有显著的影响.生长时间越长,衬底和蒸发源间距越小,纳米片的尺寸越大.     

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

硅烷外延生长速率和衬底取向的关系

用硅烷热分解方法生长硅膜时,硅膜的生长速率与衬底取向及材料无关.不同衬底在低温区具有相同的生长激活能.作者认为硅烷外延生长和四氯化硅外延不同,其生长机制是硅烷气相分解产物通过滞流层向衬底的定向扩散并在衬底上堆积.     

降低Si基有机光电探测器暗电流的研究

报道了以P型Si单晶为衬底,在其表面真空蒸发有机半导体材料苝四甲酸二酐（PTC-DA）,由此制作的异质结PTCDA/P-Si（有机/无机）光电探测器,通过Si单晶表面处理及衬底温度的控制可降低其暗电流提高灵敏度的方法.     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质

在高压液封直拉(LEC)法生长InP单晶时,利用杂质效应掺入硫,可以有效地降低位错密度.当载流子浓度达3×10¹⁸ cm^-3时,位错密度降低到108cm^-2左右,此时补偿比在0.1~0.3之间.硫在InP中的有效分配系数为0.68.掺硫InP单晶具有较好的径向及纵向均匀性,这将给稳定器件工艺及提高材料利用率带来好处.     

拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料

使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,x射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.     

AlGaN p-i-n型日盲紫外探测器

基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了AlGaN基p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.35Ga0.65N/n-Al0.45Ga0.55N结构材料,p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni/Au(5 nm/5nm)薄层叉指结构电极,制作了p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器.器件的峰值响应波长为273 nm.器件在零偏压下的暗电流很小,为nA量级,峰值响应度为8.5mA/W.器件在-5 V偏压下,峰值响应率32.5 mA/W,对应的外量子效率达到15%.     

光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料

转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.已有人用光致发光法研究GaAs材料性质.本文报道用光致发光法在线检测转移电子器件材料质量.测量结果表明,电学参数测量符合要求时,制备转移电子器件成品率较低的n-GaAs外延片中存在较高浓度的施主杂质与Ga空位的络合物.     

用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷

我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和Si.通过室温离子注入Si和退火处理,证明了GaAs中1.403eV光谱峰与Si及砷空位V_As有关,结合化学及离子微探针分析结果,对未掺InP晶体光谱曲线研究指出,~1.38eV光谱峰是C受主引起的,而1.08和~1.2eV峰分别与磷空位V_p及铟空位V_In有关.     

接触片冲压模具设计

接触片冲压模具加工零件简单,制造难度适中,为保证制件平整性以及制件上各个孔的位置精确度和凸凹模的强度,本设计采用级进模冲压。基于此,本文首先分析冲压件的工艺,然后探讨主要零部件设计。     

硅基/聚酰亚胺湿度敏感元件研究

硅基/聚酰亚胺湿度传感器是采用集成电路光刻工艺在硅衬底上制成了以PI材料为介质膜,以金、铝为电极的电容式湿度传感器。给出了聚酰亚胺(PI)材料的感湿机理,硅基/聚酰亚胺湿敏电容的结构,以及湿度传感器的制造工艺、湿敏特性、工作原理及应用等。测试结果表明,在相对湿度为10%-90%RH范围内C-%RH曲线线性度良好。     

含非线性介质的RLC电路与有腔全光学型双稳系统的相似性

从动力学方程上揭示了非线性RLC电路与本征型光学双稳系统的相似性.通过按一定实验数据拟合的磁导率函数,研究含铁磁质的RLC电路的双稳性及有关静、动态特性.     

用电导深能级谱检测砷化镓肖特基栅场效应晶体管中的深能级中心

用电导法检测了砷化镓肖特基场效应管中的深能级中心,测试样品有外延材料及全离子注入两种.#br#实验结果表明在所有的场效应管中都存在有E_V+0.91eV及E_V+0.52eV两个深能级中心.前者是铬产生的能级.在噪声很大的全离子注入场效应管中还发现有E_V十0.71eV能级.在一些噪声大的外延场效应管及性能已退化的场效应管的深能级瞬态谱上还有一很宽的大幅度的带,相应能级位置约在E_V十0.12eV到E_V十0.5eV之间.这可能是由界面态所引起的.测试表明全离子注入法制造的场效应管中的缺陷可少到最好的外延材料制造的场效应管水平.     

中空玻璃的失效原因及应对措施

中空玻璃作为新型高效节能材料在建筑上已被广泛应用.中空玻璃是两片或两片以上的玻璃中间用带有干燥剂的间隔框隔开周边密封的玻璃制品.影响中空玻璃有效使用时间的原因很多,如制造材料的性能、制造工艺及控制、安装方法等.