半无限晶体中强耦合表面磁极化子的回旋共振性质

本文研究半无限晶体中强耦合表面极化子在磁场中的性质，采用线性组合算符法导出强耦合表面磁极化子的有效哈密顿量和回旋共振频率，并讨论这些量和磁场的关系。     

磁场中强耦合表面极化子有效质量的温度关系

本文研究磁场中强耦合表面极化子的性质，采用改进的线性组合算符法导出了有限温度下强耦合表面磁场化子的有效质量。文中对ＡｇＢｒ晶体进行了数值计算。结果表明，强耦合表面磁极化子的有效质量随温度的升高而减少．而极化子的平均数随温度的升高而增加。     

强耦合表面磁极化子的温度效应

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符法，研究了磁场中强耦鸽有面极化子的性质，得到了有限温度下强耦合表面极化子的自陷能，并对ＡｇＢｒ晶体进行了数值计算。结果表明，磁场中强耦合表面极化子的振动频率和自限能随温度的升高而减少。     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅰ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节中从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿出发，用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的振动频率，基态能量和有效质量与磁场的关系。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强，与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效相互作用势的磁场依赖性。第四节中用线性组合算符和微扰法研究电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

强耦合表面自旋磁极化子的有效质量

本文采用么正变换和线性组合算符法导出了强耦合表面自旋磁极化子的有效质量,对ＲｂＣｌ晶体作了数值计算,研究了强耦合表面自旋磁极化子的有效质量ｍ＊与磁场Ｂ和坐标Ｚ之间的依赖关系。     

磁场中的强耦合表面(或界面)极化子

采用动量和坐标的线性组合算符,同时考虑体内及表面纵光声子与电子的相互作用,计算了磁场中的强耦合表面(或界面)极化子的基态能量、有效质量。结果表明:表面(或界面)极化子基态能量在磁场较弱时,随磁场抛物线性增大。而当磁场较强时随磁场线性增大。对于中间磁场,对表面极化子的基态能量和有效质量作了数值计算。其结果对于解释表面极化子在磁场中的行为是有帮助的。     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅱ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的温度效应。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的温度特性,研究了表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性。第四节用线性组合算符和拉格朗日乘子法研究了二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面磁极化子的性质。     

有限温度下极性晶体中表面磁极化的有效质量

在磁场中有不少的极性晶体，电子和体纵光学声子的耦合弱，而与表面光学声子的耦合强。本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱，与表面光学声子耦合强时温度对表面磁极化子的特性的影响，用改进的线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性。对AgCl晶体进行了数值计算，结果表明，极化子的振动频率和有效质量随温度的升高而减小。     

多原子晶体中表面磁极化子的回旋共振性质

本文研究磁场中多原子晶体中表面电子和表面光学声子相互作用的性质。采用改进了的线性组合算符分别导出强、弱耦合情形下表面磁极化子的振动频率和回旋共振质量。     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.     

自旋对表面磁极化子自陷能磁场特性的影响

讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响.以TlB r晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使Etr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,Etr随B的加强而增大,mS取1/2时Etr随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大.     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

磁场中束缚极化子的声子平均数

研究磁场中束缚极化子声子平均数的性质，采用线性组合算符和变分法讨论了磁场中强、弱耦合极化子的振动频率和光学声子平均数与磁场B和库仑势的关系，以RbCl晶体为例进行了数值计算，结果表明：强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和声子平均数N随磁场B和库仑势的增加而增大。     

双层垂直耦合量子点研究

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中两层单电子垂直耦合量子点系统.发现在强耦合情况下,随着外磁场的增加,系统基态的角动量会发生跃迁;而在弱耦合的情况下,基态角动量L和自旋都不会随着外磁场的变化而改变,L=0的自旋单态始终为基态.     

四层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中四层单电子垂直耦合量子点系统.我们以总自旋S=0为例计算了基态跃迁随外磁场的变化关系.我们发现在强耦合情况下基态会随着外磁场的增大出现不连续跃迁,而在弱耦合情况下就不会产生基态跃迁.     

N层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中的N层单电子垂直耦合量子点系统,计算了基态跃迁随外磁场的变化关系. 结果表明量子点与量子点之间的距离和电子与电子之间的相互作用对耦合量子点的低激发态有比较大的影响,在强耦合情况下基态会随着外磁场的增大出现不连续跃迁,而在弱耦合情况下就不会产生基态跃迁,角动量为零的态始终为基态.     

离子晶体外表面极化子的回旋共振

本文讨论离子晶体外表面极化子在磁场中的回旋共振。在中耦合小磁场情况下,得到了回旋共振的Landau能级。由于表面镜像势的作用,还出现了一维类氢原子能级。     

量子点中双极化子和磁双极化子的研究进展

综述了近年来对抛物线性限制势量子点中强耦合双极化子和磁双极化子的部分研究工作。从抛物量子点中2个电子-声子体系的哈密顿量出发,采用Lee-Low-Pines-Huybrechts变分方法,研究了量子点中强耦合双极化子的振动频率、诱生势和有效势随电子-声子耦合强度、两电子相对距离和量子点半径的变化规律;采用Tokuda改进的线性组合算符法研究了温度和LO声子效应对强耦合双极化子的有效质量和平均声子数的影响。基于Lee-Low-Pines幺正变换,采用Pekar类型变分法研究了抛物量子点中强耦合磁双极化子的内部激发态性质,当考虑自旋和外磁场影响时,研究了二维量子点中强耦合磁双极化子基态的能量、声子平均数以及第一激发态的能量、声子平均数随量子点受限强度、介电常数比、电子-声子耦合强度和磁场的回旋共振频率的变化规律。     

极性晶体中强耦合磁极化子的性质

本文利用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ的线性组合算符法和一简单的么正变换研究了极性晶体内强耦合磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量和回旋共振频率。并对晶体作了数值计算,从而对强耦合晶体进行了定量的探讨。结果表明：磁极化子的基态能量随磁场Ｂ的增加而减少,回旋共振频率随磁场Ｂ的增加而加大     

外场中半无限向列相液晶体系的相变

考虑半无限向列相液晶体系在外加场和衬底非线性作用下的相变特征,包括远离衬底的液晶(体液晶)和表面的液晶的相变情况,得到三维体液晶和表面液晶的相变曲面.研究表明:体液晶的相变只和外磁场和温度有关系,而且发生相变的温度和外磁场是呈线性增大的;表面液晶的相变除了与外磁场和温度有关外,还与衬底和表面液晶的耦合强度,以及衬底的序参数有关系.