表面驰豫效应对界面区域CBED的影响

对Ａｌ２Ｏ３颗粒增强铝复合材料与Ｋ２ＴｉＯ１３晶须增强铝复合材料中的增强相／金属界面区域点阵位移场进行ＣＢＥＤ研究，并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算，结果表明：表面驰豫效应对晶须／铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著，而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决ＣＢＥＤ法测量界面应变场时遇到的表面驰豫效应问题是有意义的。     

弛豫InAs（110）表面的电子结构理论研究

采用最近邻的紧束缚的ｓｐ＾３．ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，计算了ＩｎＡｓ（１１０）弛豫表面的电子结构给出了表面投影能带和Ｍ占的层态密度，分析了产生表面态的原因和轨道特性以及弛豫引起表面态的变化，所得结论与实验和其他理论结果相符合。     

Ti原子位置对立方SrTiO3电子结构的影响

基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势计算方法,计算分析了Ti原子Z轴分数坐标的移动对立方SrTiO 3的能带结构、能态密度和Mulliken电荷布居方面的电子结构的影响。计算结果表明,随着Ti原子Z坐标的上移,O原子的电子逐渐转移到Ti原子上,使得O的部分电子能量升高,Ti的部分电子能量降低,价带与导带渐渐重叠,能隙消失,即Ti原子位置可以强烈影响SrTiO 3的电子结构。     

非晶态Ni—Si—B系合金结构驰豫的电阻法研究

本文通过精密测定非晶态Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂ系合金的电阻率在不同温度下等时退火后的变化，研究了该合金的结构驰豫过程，得到其电阻率变化随退火温度而作振荡性起伏的关系曲线，并利用作者提出的结构缺陷形成机制对该振荡性曲线作出了比较合理的微观机理解释。     

衬底表面生长Pb膜的量子尺寸效应及驰豫结构研究

项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响.这是当前凝聚态物理中两个重要方向———量子尺寸效应和薄膜驰豫结构的交叉点.到目前为止,还没有发现有人开展这样的工作.因此,该项目的研究必将会对凝聚态物理的发展产生一定的影响.     

辐射场中二能级原子的电子平均位置特征

根据量子力学理论，采用微扰方法，推导出辐射场中二能级原子的偶极矩变化规律式，从而研究其电子位置特征，得到辐射场中原子的电子位置平均值和一个受激发的阻尼谐振子相似的结论。     

钛原子位置对立方CaTiO3电子结构的影响

基于广义剃度近似（GGA）的从头算平面波超软赝势方法,计算了CaTiO3晶体的晶格常数、总能量以及结合能,得到了与实验相一致的结果。分析了Ti原子Z坐标位置对CaTiO3能带结构、态密度（DOS）等的影响。Ti原子位置强烈地影响CaTiO3的电子结构。随着Z坐标的增大,Ti的部分3d电子能量降低,O的部分2p电子能量升高,使价带与导带重叠,禁带消失。     

Cu_(73)Sn_6Ni_6P_(15)非晶的微观结构和驰豫过程

用X射线衍射方法测定了Cu_(73)Sn_6Ni_6P_(15)非晶的结构参数,利用电阻法对其结构驰豫过程进行了研究,并给出了结构驰豫激活能。     

Ta原子位置改变对立方NaTaO3电子结构的影响

基于密度泛函理论(DFT)的第一原理方法,运用CASTEP计算了Ta原子位置的改变对立方相NaTaO3电子结构的影响.结果显示Ta的位置变化导致晶格畸变,使电子结构发生变化,影响能带结构、能态密度(DOS)、Mulliken 布居、电子密度等.Ta原子的Z坐标分数由0.5变至0.8,即随着畸变程度提高,电子转移逐渐增强, 主要是由于导带中Ta的d电子能量升高,O的p电子能量降低,Na的p部分电子能量降低,致使导带能量升高,使禁带宽度增大.     

BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

本文利用形式散射理论的格林函数方法，采用考虑最紧邻的sp^3s^*模型描述体带，计算了BN（110）面的电子结构，分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度，并进行了较详细的讨论。结果表明：BN（110）DM面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的（110）面的电子结构定性上是类似的，但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别。这与它的反常弛豫有一定的关系。     

用正电子湮没研究γ辐照和压力驰豫对聚苯乙烯自由体积特性的影响

在γ辐照０～４０Ｍｒａｄ的范围内测量了高强度聚苯乙烯（ｈｉｇｈｉｍｐａｃｔｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ，ＨＩＰＳ）的正电子湮没寿命谱，发现随着辐照剂量的增加，ｏ－Ｐｓ寿命τ３基本不变（约为１．９８ｎｓ），而ｏ－Ｐｓ强度Ⅰ３下降；当辐照剂量由２０Ｍｒａｄ上升到４０Ｍｒａｄ时，自由体积孔洞的半径分布宽度变窄；此外，还测量了在压力驰豫期间ＨＩＰＳ的正电子湮没寿命谱，施加的静态压力为０，２５，５０ＭＰａ，发现τ３不随驰豫时间ｔ变化（约为２．０ｎｓ），但Ⅰ３随时间下降。     

Cr原子链的几何结构与电子性质研究

基于第一性原理方法研究Cr原子链可能形成的几何结构与电子性质.计算表明:Cr原子链可形成线性型、二聚化型、平面之字型和梯型等一维原子链.梯型结构的原子链结合能最大,稳定性最好,二聚化型结构次之,然后是大角度的之字型结构、小角度的之字型结构,线性结构的结合能最小.其中二聚化结构原子链的能带表现出间接带隙的特征,大角度之字型结构原子链为半金属性,小角度之字型结构原子链的能带则表现为较强的金属性.同时还讨论了这些结构的相对稳定性以及各链式结构的电子能带、电荷密度等性质.     

GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究

用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 ,形成共振表面态     

W原子链的结构稳定性和电子性质

使用基于密度泛函理论的第一原理平面波赝势法,研究了W原子链的结构稳定性和电子结构性质.计算表明:W原子可以形成线性链、平面之字型、二聚化以及梯子型等一系列的一维链式结构.之字型结构最稳定,其他结构为亚稳定.通过对计算所得的电子结构的讨论,发现这种现象与Peierls畸变有关,同时还讨论了这些结构的相对稳定性以及各链式结构的电子能带、态密度和电荷密度等.     

基本电子结构（修订版）

本书提供了一个对解析的电子结构的说明，以便与计算的电子结构相互区分。这两者都是建立在单电子近似、局部密度理论和量子机理电子态确定的基础之上的。这两种方法都是以这些状态为基础。寻求合成的固体或者分子性质的预测。本书是1999年出版的教课书《固体的电子结构与性质》一书的修订版。书中增加了有关玻璃的一章，并且重新撰写了有关旋转轨道耦合、磁合金与锕系元素的章节。     

非晶态Ni－Si－B系合金结构驰豫的电阻法研究

本文通过精密测定非晶态Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂ系合金的电阻率在不同温度下等时退火后的变化，研究了该合金的结构驰豫过程，得到其电阻率变化随退火温度而作振荡性起伏的关系曲线，并利用作者提出的结构缺陷形成机制对该振荡性曲线作出了比较合理的微观机理解释。