R20型锌—锰干电池放电过程交流阻抗研究

本文给出了R20型锌-锰干电池在不同放电状态下的交流阻抗图谱,解释了阻抗变化原因。分析表明,从阻抗半圆求得的电容值C_(?)与放电量之间存在明显的线性关系,这一规律对于Zn-MnO_2干电池电容量预测具有重要的参考价值。     

RLC阻抗特性的测量两种实验方法比较

分别采用实地法和虚地法测量电感、电容的阻抗特性,通过分析比较,发现采用实地法测量电感、电容的阻抗特性,所测得的阻抗、阻抗角测量值与理论计算值相比较误差较大;而采用虚地法测量电感、电容的阻抗特性,所测得的阻抗、阻抗角测量值与理论计算值相比较误差较小.     

基于超级电容的B/KNO3激光点火数值模拟

为了研究B/KNO₃（硼/硝酸钾）药剂基于超级电容驱动的激光点火规律,建立了从超级电容驱动激光二极管到激光辐照加热药剂全过程的激光点火时域模型,分析了放电电压和超级电容容值及等效电阻对激光点火延时的影响,基本揭示了基于超级电容的B/KNO₃激光点火特性和规律.仿真结果表明,随超级电容放电电压、容值的增加及超级电容等效电阻的减小,激光输出功率与能量均显著增加,激光点火延迟时间缩短,点火能量显著下降.仿真结果可为基于超级电容的激光快速点火设计提供依据及技术支撑.     

介质阻挡放电过程中相关参量的变化

在大气压、氮气条件下，对DBD相关放电参量随激励电压和激励频率的变化情况以及结构因素对DBD放电参量的影响作了实验研究．结果表明：当放电只发生在间隙局部时，电介质层等效电容、间隙等效电容和等效电场强度在不同频率时在数值上相差很大；当放电充满整个间隙时，各等效放电参量在相同激励频率下基本保持在一定值附近．能量密度随激励电压的增加而线性增加，随频率的增大而增大．各放电参量与电介质层放置的位置无关，与放电间隙宽度的变化密切相关．     

异步发电机空载建压电容值的确定方法

为使异步发电机建立数值给定的空载电压,采用了通过优化求取建压电容的新方法。以异步发电机基值频率所对应的等值电路为基础,令等值电路回路阻抗的实部与虚部分别为零作为异步发电机稳态运行的条件,并由此计算异步空载建压电容值。用Hooke-Jeeves提出的模式搜索法来求解有约束优化问题,从而克服了传统的Newton-Raphson法稳定性差与难于处理有约束条件之弱点。论文给出了空载时建立不同数值端电压所需的电容值,计算结果与实验结果的相互吻合说明了分析方法的正确性。计算结果同时验证了饱和程度对空载建压电容值的影响,表明随着饱和程度的增加,空载建压电容值的增加幅度越来越大。     

双向放电槽型铜离子激光器的研究

本文提出了一种双向放电槽型铜离子激光器结构,并给出了它的放电特性,阴极溅射、放电稳定性及激光输出特性的实验结果。     

相同放电面积不同边界介质阻挡放电

利用对介质阻挡放电装置,在放电电极上覆盖上相同面积不同边界的绝缘介质,观察它的放电的特性,对其放电模式及放电产生的等离子体重要参数电子激发温度进行了记录与计算.实验结果表明:由于放电具有相同的面积,导致间隙间的电容值相同,所以导致击穿电压、放电的模式、放电产生等离子体中的电子激发温度基本相同.     

基于阻抗匹配的IPT系统调谐电容特性

针对阻抗不匹配引起感应电能传输系统谐振频率不稳定的问题,提出了用于动态调谐的三电容组态阵列,分析了谐振电容与系统频率的关系以及电容阵列的容值分布、范围、输出精度,并采用遗传算法对三电容阵列的电容值进行优化.仿真实验结果表明,文中所提出的三电容阵列可获得较宽的输出电容范围及较高精度的可调电容值,适用于对输出电容值范围及可调精度要求较高的系统.     

LC共振增强巨磁阻抗效应

通过一种新的方法，直接在Fe基玻璃包裹丝外溅射一层铜.研究发现，玻璃绝缘层在复合结构丝中充当电介质的作用，内芯层与外层铜耦合形成附加电容，从而使复合丝形成LC回路,其巨磁阻抗效应从原先的250％增强到330％.通过改变外铜层长度，研究了共振频率对巨磁阻抗效应的影响.     

金属蒸汽激光进展

本文评述了金属蒸汽激光（ＭＶＬ）的最新进展：横向放电与金属卤化物激光，概述了Ｗａｌｔｅｒ判据，描述了ＭＶＬ近年来的应用，讨论了ＭＶＬ今后的发展方向。     

分抗在正弦电压源中的功率与电学性质研究

为得到分抗、分抗逼近电路在正弦电压源中的功率,从功率角度探究分抗的电学性质。给出了分抗在正弦电压源激励下的功率因数、有功功率等数学表达式;并与电阻、电容和电感比较,得到统一表达式。设计半阶感性与半阶容性Oldham分形链分抗逼近电路,计算并电路仿真验证阶频特征与F特征以及在正弦电压源激励下的有功功率。结果表明:容性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电容之间,感性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电感之间;电阻、电容、电感可看做分抗阶数延伸到整数阶的特殊情况。     

一种基于调谐频率设计双调谐滤波器的新方法

针对双调谐滤波器的参数设计问题,提出一种基于调谐频率设计双调谐滤波器的方法.利用双调谐滤波器与2个并联的单调谐滤波器阻抗等效的原理,研究双调谐滤波器中串联谐振支路电感、电容和单调谐滤波器谐振频率、电容的关系,从而确定双调谐滤波器串联支路和并联支路的谐振频率.利用单调谐滤波器的谐振频率是双调谐滤波器的零点,确定并联支路的电感,结合并联支路的谐振频率确定并联支路的电容.该方法可以简化双调谐滤波器的设计运算,实例展示了该方法双调谐滤波器阻抗特性曲线,仿真分析表明:依据该方法设计的双调谐滤波器的滤波效果良好.     

模拟电容与电感及其仿真分析

模拟电容与模拟电感在集成电路中得到了广泛的应用．本文引入模拟电容与模拟电感模型，对两模型电路作了详细的时频分析和EWB(Electronics Workbench)软件仿真分析．以五阶Butterworth滤波器电路为例，通过对滤波器电路及其仿真电感替换电路的仿真对比分析，进一步验证了仿真电感模型的电感特性．     

对LC并联电路谐振频率的分析

在由电感线圈L和电容C组成的各种并联电路中,当电路发生谐振时,电路中谐振频率的大小与电源在该电路的位置无关,而只能由L和C的大小来决定。本文通过几个具体电路说明此结果的正确性。     

电动汽车双向DC/DC变换器的设计

采用全桥谐振C LCLC变换器和模糊PID控制的半桥Buck Boost变换器,组成两级式双向DC/DC变换器拓扑;并根据等效模型计算出谐振元件参数,即变压器的匝比为1∶1,输入输出电压为400 V,谐振电感为100 μH,谐振电容为253 μF,半桥Buck Boost变换器中的滤波电感为5 000 μH,滤波电容为127 μF。仿真结果表明,全桥谐振C LCLC谐振变换器输入电压与输出电压一致;模糊PID控制策略可有效降低充电状态下电压超调量,缩短调节时间,提高系统的抗扰动能力,说明所采用的设计工艺能有效提高电动汽车变换器的动态、稳态性能和抗扰动能力。     

交流电路中欧姆定律的典型应用

在电子线路实验及其应用中,对于电感器件的电感量或电容器件的电容量不便于进行直接测量．本文通过对交流电路特定条件下的公式推导,介绍了一般应用情况下对电感量和电容量的测量方法     

压缩真空态的激发态下介观互感电容藕合双谐振电路的量子涨落

对介观互感电容耦合电路作双模耦合谐振子处理，将其量子化．通过三次幺正变换，将体系的哈密顿量对角化，给出了体系的本征能谱．研究了压缩真空的激发态下回路中电荷和电流的量子涨落．结果表明：这种量子涨落不仅与电路器件的参数、激发量子数、压缩参数有关，而且还和彼此的互感、电容耦合有关．     

压缩真空态的激发态下介观互感电容耦合双谐振电路的量子涨落

对介观互感电容耦合电路作双模耦合谐振子处理,将其量子化.通过三次幺正变换,将体系的哈密顿量对角化,给出了体系的本征能谱.研究了压缩真空的激发态下回路中电荷和电流的量子涨落.结果表明:这种量子涨落不仅与电路器件的参数、激发量子数、压缩参数有关,而且还和彼此的互感、电容耦合有关.     

一种CMOS集成MEMS片上螺旋电感设计与仿真

 设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值。设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1nH电感模型。使用HFSS软件对该电感模型进行仿真,结果表明,该电感在仿真频率为6.6GHz和10GHz时Q值分别达到了22.37和20.74,且自谐振频率大于20GHz,较传统的CMOS片上集成电感有明显改善;同时随着电感线圈厚度的增加,电感的Q值增加,而电感值(L值)则减小,且在仿真频段内电感值的变化小于5.5%。     

功率超声珩磨谐振系统电匹配技术研究

针对功率超声珩磨谐振系统阻抗匹配性差的问题,提出了在超声珩磨谐振系统中接入由串联电感和并联电容构成的匹配电路。采用Matlab仿真平台得到了不同参数匹配系统阻抗特性曲线,分析了串联电感、并联电容对系统阻抗、谐振频率的影响规律。在此基础上,采用PV70A阻抗分析仪进行了试验研究。结果表明:仿真结果与试验结果基本吻合,匹配元件参数的合适选择使超声珩磨谐振系统获得了最大效率、最小输出阻抗,接入匹配电路后的超声珩磨谐振系统基本避免了因匹配差引起的加工不稳定甚至无法加工的现象。