射频溅射LaNi_5薄膜的吸氢性能研究

LaNi_5是一种研究最活跃的储氢材料,同时LaNi_5薄膜在氢分离、氢电池和氢探测器等领域内呈现出较有希望的应用前景.国外对此已经开始广泛的研究,而国内对储氢薄膜的研究尚未起步.     

非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备和性能

钴基非晶合金薄膜是一种优良的软磁材料,它具有非常高的磁导率和极为优良的高频特性,是制做薄膜磁头,薄膜电感的理想材料,已受到人们的很大重视。在钴基非晶合金中加入Nb,可以提高材料的物理特性,提高晶化温度,改善材料的温度稳定性。CoFeNiNbSiB非晶薄带是一种性能十分优良的软磁材料,它的磁致伸缩系数近于零,具有优良的软磁特性及     

CoMnNiO非晶薄膜的退火性质

一、引言 CoMnNjO非晶薄膜是一种宽温区热敏材料。它不仅可用于一般测控温元件的制作,而且对于快速响应的测温元件具有独特的优点。目前,对于这种材料的结构及各种性质有待研究,国内外尚无有报道。非晶材料是一种亚稳态结构。若要使其具有稳定的结构和电学性质,便于实际应用,须对其退火性质进行分析和研究。本文报道用X射线衍射(XRD)和扩     

强磁场中射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的结构及磁性

研究了强磁场对射频溅射沉积Ｆｅ－Ｓｉ－Ｏ薄膜的微结构和磁性能的影响,在Ｏ２流量比小于１．０％,外加磁场低于１．０Ｔ的溅射条件下,得到了中孔型,相分离型和混合型３种典型的样品宏观形貌,表明强磁场不但影响等离子体的分布而且影响溅射原子的角分布,在Ｏ２流量比大于２．０％,外加磁场高于２．０Ｔ的条件下制备的Ｆｅ－Ｓｉ－Ｏ薄膜中,经Ｘ射线衍射分析发现了强（１１０）取向的Ｆｅ３Ｏ４相;磁性测量发现垂直膜面方向     

强磁场中射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的结构及磁性

研究了强磁场对射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的微结构和磁性能的影响. 在O2流量比小于1.0%、外加磁场低于1.0 T的溅射条件下, 得到了中孔型、相分离型和混合型3种典型的样品宏观形貌, 表明强磁场不但影响等离子体的分布而且影响溅射原子的角分布. 在O2流量比大于2.0%,外加磁场高于2.0 T的条件下制备的Fe-Si-O薄膜中, 经X射线衍射分析发现了强(110)取向的Fe3O4相;磁性测量发现垂直膜面方向上的剩磁和矫顽力大于平行膜面情况. 这些结果表明在薄膜沉积过程中, 强磁场不但使磁性薄膜取向, 而且在膜中诱导出了显著的垂直磁各向异性.     

聚合物&软磁纳米晶/非晶复合材料的研究现状

文章介绍了聚合物&软磁纳米晶/非晶复合材料的研究背景、市场前景,并通过一些主要的研究成果重点阐述了目前国内外聚合物&软磁纳米晶/非晶复合材料的制备和性能研究的现状。     

聚合物&软磁纳米晶/非晶复合材料的研究现状

文章介绍了聚合物&软磁纳米晶/非晶复合材料的研究背景、市场前景,并通过一些主要的研究成果重点阐述了目前国内外聚合物&软磁纳米晶/非晶复合材料的制备和性能研究的现状.     

Tb-Fe非晶薄膜的反常低温电阻率

引言非晶材料低温电阻率反常,在许多材料中都已观察到,它成为探索非晶材料电子输运性质颇有意义的实验数据。稀土-铁族磁性合金非晶材料无论从潜在的应用价值和其内壳层未填满的过渡金属特性的理论上的意义都有它值得研究的价值。对溅射的Gd-Co两类薄膜,垂直     

Co基非晶薄膜旋转场热处理

引言 非晶态磁性材料具有高电阻率、高磁导率、低矫顽力、低损耗以及耐磨损、耐腐蚀等优异特性。尤其是Co基非晶薄膜磁导率高频特性优于坡莫合金,是一种理想的薄膜磁头材料。但是制备态的非晶膜存在很大的内应力,σ约为10~9～10~(10)dyne/cm~2,即使对λ_s为10~(-7)的Co基膜,其应力各向异性K_σ仍有10~2—10~3erg/cm~3。再加上由于材料成分、密度涨落,原子偏聚,指向有序化造成的内部结构各向异性,表面形貌不平产生的表面各向异性,使制备态样品     

Tb-Fe合金系非晶薄膜的电子输运性质

引言非晶材料的电子输运性质已成为人们感兴趣的研究课题。我们对稀土—铁族非晶薄膜开展了一些观察电子输运性质的工作。在对溅射的Gd-Co薄膜观察到低温电阻率反常之后,对用蒸发淀积方法制备的Tb_(36)Fe_(64)非晶薄膜,也观察到低温电阻率反常。在此基础上,我们在一般真空度(2×10~(-5)—6×10~(-6)mmHg)的条件下,制备了一组Tb_xFe_(100-x)(at.％)合金非晶薄膜,20≤x≤75,进一步探讨稀土一铁族非晶薄膜的电子输运性质。     

非晶形铁的氧化物薄膜的激光化学气相沉积

激光化学气相沉积(LCVD)是通过激光光分解气相有机化合物分子,分解出金属原子沉积在基片表面的一种新型的薄膜制备技术,与传统制备薄膜方法相比,这种方法可在室温下一步完成制备过程,不需要掩膜版,便于对沉积过程进行控制。用这种方法,沉积速率高,膜层的纯度高,并且目前已实现了0.2微米量级的空间分辨率和3.5微米量级大小的光斑。所以LCVD作为一种新的手段,在微电子学工业上将有重要的应用价值。     

非晶态软磁材料的损耗分析

Fe_(82)Si_5B_(13)、(Fe_(0.06)Co_(0.85)Ni_(0.06)Nb_(0.03))_(75)Si_(10)B_(15)和(Fe_(0.8)Ni_(0.15)V_(0.05)_(78)Si_8B_(14)是三种典型的低矫顽力非晶态软磁材料,经过适当热处理后,都有很低的磁损耗。本文的目的是,利用计算机拟合这三种非晶态合金的总损耗与频率的关系曲线,从而给出了损耗与频率的关系式,并对总损耗进行了分离。     

TbFe_3、GdFe_2和GdCo_2非晶薄膜的X射线光电子能谱研究

一、引言 稀土(RE)——过渡族金属(TM)非晶态合金的研究一直是比较活跃的领域之一。近十年来,在原子结构,电子输运,磁性和力学性能等方面开展的工作较多,但对其内禀特性,如电子能谱和光学特性等方面的研究尚少,最近才开始。     

金属非晶的抗菌作用

实验研究了Fe基、Ni基和Cu基金属非晶的抑菌效果,发现3种金属非晶都能抑制大肠杆菌的生长,用比浊法测定光密度值比正常培养时最多下降约65%,比加入纯铁时下降约57%.金属非晶不同成分对抑菌效果的影响无显著差异(σ=0.05),Cu基非晶的抑菌效果与Fe基和Ni基相近.该实验结果将会影响对抗菌材料抑菌机理的认识和金属非晶的应用.     

大块非晶合金的研究进展

本文介绍了大块非晶合金研究领域里一些最新进展 ,综述了大块非晶合金的形成机制、制备方法及其优异的性能和应用前景     

非晶合金塑性研究的新进展

大块非晶合金（或大块金属玻璃）由于其独特的结构具有许多优异的力学性能,如高强度和硬度、耐磨、抗疲劳等。由于大块非晶合金的塑性高度局域在～20nm的剪切带中,造成大块非晶合金材料的结构软化,从而导致脆性断裂。脆性严重限制大块非晶合金作为工程材料的广泛应用。如何克服大块非品合金材料的脆性,一直是该领域的羲要研究方向。目前主要采用的是复合方法,即在大块非晶合金中复合第二相如纳米颗粒、枝晶相等,     

Ni对FeNiBPNb非晶合金非晶形成能力及软磁性能的影响

研究了Ni元素对(Fe1-xNix)75.5B14.5P7Nb3(x=0～0.6)系合金非晶形成能力及其软磁性能的影响.结果表明,添加Ni能有效地提高该合金系过冷液相区的稳定性,并使其更接近共晶点,非晶形成能力和软磁性能明显提高.随着Ni含量的增加,过冷液相区从49增加到75K,约化玻璃转变温度从0.540增加到0.594,γ参数从0.373增加到0.405.当Ni含量为0.5和0.6时,采用铜模铸造法成功制备了直径为1mm的块体非晶.该非晶合金系具有优异的软磁性能,其饱和磁感应强度为0.37～1.20T,矫顽力为1.4～3.3A/m,在1kHz频率时的有效磁导率为13100～20900,为开发新型FeNi基软磁块体非晶合金提供了良好的前景.     

非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应

报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后，薄膜的光学透射边均出现绿移，这种绿多在预先退火后的薄膜中是可逆的，即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置。通过透射电子显微镜测试，在光照后的GeS2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象。利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料。     

非晶半导体超晶格研究进展

自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还不够长,人们在那期间的认识还欠充分。非晶半导体超晶格这个术语出现在科学文献上,还仅仅是最近     

薄膜

薄膜,在现代科学技术中占据着重要地位,它是不少研究领域和技术领域所共同关心的课题.近十几年来,薄膜科学与现代固体物理的一个前沿——表面物理互相促进,薄膜技术的应用得到了迅速的发展. 为了说明薄膜的重要性,先让我们看一个例子.1946年,世界上制成的第一台数字电子计算机的体积约90立方米,重达30吨,耗电140千瓦,运算速度为5000次/秒(加法).三十年后,用几块大规模集成电路装配成的微处理机,功能与上述数字电子计算机相当,体积仅0.003立方米,为前者的三十万分之一,