反相胶束软模板法合成Ag2S半导体纳米棒

利用反相胶束软模板法合成了直径30－50nm，长约1.5μm，晶胞常数a=0.423nm,b=0.693nm,c=0.786nm，单斜结构的Ag2S多晶纳米棒，并对纳米棒的产生机理进行了初步探讨。     

Ag2Se纳米晶的水热合成及表征

在低温水热条件下,以AgNO3、Na2SeO3或单质硒为反应物,制备了金属硫族化合物Ag2Se纳米晶.用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)分别对Ag2Se纳米晶的结构及形貌进行了表征分析.结果表明,所得样品为正交晶系的Ag2Se纳米晶,主要形貌为不规则的纳米颗粒;同时采用不同硒源及表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可以获得不同形貌的纳米晶.     

TiO_2纳米材料的可控合成方法研究进展

TiO2纳米材料的合成方法,按照反应物系的物理形态来分,可以分为固相法、气相法和液相法.着重讨论了液相合成方法的研究进展,对TiO2纳米材料的合成新方法给予了重点关注.     

多金属氧酸盐低维纳米晶的可控合成

通过表面活性剂智能化控制的软化学法，探索了多金属氧酸盐低维纳米晶的制备及尺寸和形貌的调控，产物的形貌对聚合物的自组装结构和反应试剂与聚电解质之间的配位作用有很强的依赖性，聚丙烯酸，聚乙烯吡咯烷酮这样的聚电解质中含有大量的氮、氧等高配位活性的原子，它们与银离子之间存在着较强的配位作用，在硝酸银的浓度很稀时，大部分银离子将被“吸附”，这样，相当于把反应物在空间位置上进行预置，从而完成了多金属氧酸盐低维纳米晶的形貌可控合成。     

不同形貌纳米SnS_2的溶剂热法合成及表征

以氯化锡和硫氰酸铵作为原料,溶剂热法分别合成SnS2纳米片,纳米颗粒及花状结构纳米晶体。采用XRD、TEM和FESEM等手段对粒子的结构与形貌进行表征,并研究了溶剂对SnS2形貌的影响。     

Ag2S纳米棒的制备与表征

本文以N-十二酰丙氨酸(LAA)在乙醇/水溶液中形成的水凝胶为模板,硫代乙酰胺(TAA)为硫源,在水凝胶体系中利用离子的原位自组装合成Ag2S纳米棒,并用透射电子显微镜及X射线粉末衍射仪对Ag2S纳米棒进行了表征.     

半导体发光Ag_2S量子点合成及应用

近年来窄带隙溶胶半导体纳米晶引起人们极大关注,该类纳米晶在光学、电学、生物医疗、材料科学等其他领域有着非常重要的应用.大量研究证实了Ag_2S量子点具有许多优异性能,比如:近红外荧光发射、低毒性、荧光量子效率高、稳定性好、成本低和合成设备简单.与传统的量子点(含有重金属Cd,Hg,Pb元素)相比,近红外发光的Ag_2S量子点避免了重金属离子本身固有的毒性,并且因其具有低毒性被用在生物医疗中.在本文中详细讨论了半导体发光Ag_2S量子点的性质、晶体结构和合成方法,并对Ag_2S量子点的生物相容性评价方法以及在生命科学领域的应用进行了阐述.     

纳米γ-Al_2O_3对Ag(Ⅰ)及其配合物的吸附性能表征

溶胶-凝胶法合成纳米γ-Al2O3,以透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、比表面积测定(BET)等手段对所得的纳米γ-Al2O3进行了表征,表明纳米粒子的直径在10~50 nm.并利用Zetaplus电位仪测定了其等电点为7.65.考察了纳米γ-Al2O3在静态吸附条件下对Ag(Ⅰ)及其配合物的吸附性能.结果表明,在pH值分别为5~6.5,8~9,2.5~9时,对Ag+,Ag(NH3)2+,Ag(S2O3)32-的吸附能力最强,且符合Freundlich吸附方程.吸附于纳米γ-Al2O3上的Ag(Ⅰ)及其配合物离子,可用0.1 mol.L-1HNO3溶液进行解脱,再生后的纳米γ-Al2O3吸附能力基本不变.     

Bi2S3纳米棒的可控合成和表征

采用水热法,以Bi(NO3)3·5H2O和Na2S·9H2O为前驱体,通过不同的反应条件合成出不同形貌的Bi2S3纳米棒.所得产物用XRD和TEM进行了分析和表征.结果表明,当Na2S·9H2O与Bi(NO3)3·5H2O的摩尔比为2∶1,水热合成温度为l50℃,前处理模式为超声振荡时,所得Bi2S3纳米棒结晶度较高,...     

枝状Ag/Au双金属纳米材料的合成及表征

利用Au离子与树枝状纳米Ag的置换反应,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,制备了树枝状Ag/Au双金属纳米材料.利用扫描电子显微镜、能量散射X-射线光谱、紫外可见光光谱仪对样品的形貌、成分进行了表征分析,研究了反应温度对产物的影响.结果表明,当反应温度为180℃,反应时间为30min时,可以得到形貌保持较好的纳米枝状结构.产物的UV-Vis光谱中只观察到一个位于单金属Ag和Au之间的吸收峰,表明形成了Au/Ag合金纳米结构.随着温度升高,置换速度加快,有利于Au的生成.     

Ag2S选择性电极用于水中As3+的测定

本文对Ag2 S选择性电极 (PAg)用于硝酸银滴定亚砷酸作了初步探讨 ,并与银电极作了对比。实验指出用PAg电极测定亚砷酸的最低浓度可达 5× 10 - 5mol .L- 1 ,而银电极为 5× 10 - 4mol .L- 1 。     

纳米掺杂Ag/SnO2触头材料的制备及电弧侵蚀性能研究

以CuO和La2O3为掺杂剂,采用高能球磨法制备掺杂纳米SnO2粉体,再采用热挤压工艺制成银含量88%的纳米掺杂Ag/SnO2触头材料,利用扫描电子显微镜、电导率测试仪、显微硬度计对该触头材料进行了微观组织表征及性能测试,随后,利用该触头材料在10A交流电流条件下进行电弧侵蚀性能测试.结果表明,触头材料中氧化物在银基体上分布均匀;Ag/SnO2触头材料的密度、硬度和电导率分别为9.704 1g/cm^3,104.2和75;电弧烧蚀速率为103.65μg/C,并研究了熔层表面的微观组织结构.     

纳米级羟基磷灰石粒子的可控制备

文中以硝酸钙和磷酸氢二铵作为前驱体,在水溶液体系中成功合成出纳米级羟基磷灰石粒子。研究了溶液的pH值、陈化时间、反应温度、热处理温度、Ca-P摩尔比、加料方式及速度等因素对所制得粒子颗粒大小、晶型、分散度、纯度等性能的影响,探索出制备纳米级羟基磷灰石粒子简单的工艺条件,基本实现了纳米级羟基磷灰石粒子的可控制备。     

SnP2S6半导体层数依赖的压电效应

二维压电材料在能源、电子和光电子学方面的应用引起了越来越多的关注.从实验合成的压电晶体SnP₂S₆出发,我们系统研究了单层、双层、三层和块体SnP₂S₆的压电效应.第一性原理计算表明：层状SnP₂S₆具有良好的热力学和动力稳定性,其带隙和载流子有效质量与层数无关,而压电性质具有明显的层数依赖性;单层SnP₂S₆的压电系数(d₁₁)高达14.18 pm/V,远大于MoS₂、h-BN和InSe的压电系数,双层SnP₂S₆的面外压电系数(d₃₃)大于12 pm/V.优异的压电性能使SnP₂S₆在二维压电传感器和纳米发电机等器件中的应用成为可能.     

硫化镉量子点的可控制备及荧光性能研究

采用溶剂热法,以Cd(NO3)2·4H2O和升华硫为镉、硫来源,油胺为反应溶剂和表面活性剂,制备了硫化镉量子点(CdS QDs),并研究了反应温度、反应时间对硫化镉量子点尺寸的影响.通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对所制备产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所制备的硫化镉量子点结晶度较高,单分散性好,尺寸均一.通过紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)表征了硫化镉量子点随反应温度和时间的变化,结果发现,随反应温度的升高和反应时间的延长,其吸收峰出现了明显的红移,即通过控制反应温度和时间可以控制硫化镉量子点的尺寸和发光颜色.     

Ag/SiO2复合纳米粒子的超声化学合成

本文中首先利用正硅酸乙酯(TEOS)的碱性水解制备了均匀分散的S iO2微球(粒径约70 nm),然后采用超声辐射与红外辐射结合的方法在其表面包覆了一层分布均匀的Ag纳米粒子(粒径约8 nm).研究了实验条件对产物的影响,并通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见吸收光谱(UV-vis)、差示扫描量热法(DSC)和红外吸收光谱(FT-IR)对产物的形貌及性质进行了表征.     

微波辅助合成一维氧化锌纳米棒及其表征

采用微波辅助快速高效制备出具有高比表面积的花状结构一维氧化锌纳米棒.初步探讨了醋酸锌与六亚甲基四胺(HMTA)投料比、氨水(或氢氧化钠)的用量和微波加热时间对最终产物的形貌及粒径分布的影响.合成样品通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)等方法对其结构、组成及形貌进行了表征,结果显示:氧化锌纳米棒为纯六方纤锌矿晶体结构,纳米棒直径为30～45 nm,长1～2μm.     

Ag修饰的纳米ZnO的合成、表征及光催化特性

采用水热合成和光合成法制备了ZnO纳米粉体及不同Ag修饰量的纳米ZnO(Ag/ZnO),并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析了它们的物相结构和晶粒形貌.以亚甲基蓝为污染物模型,在紫外光照射下考察了ZnO纳米粉体及不同Ag修饰量的纳米Ag/ZnO的光催化活性.结果表明,Ag能成功地负载到ZnO表面,且Ag/ZnO的光催化性能与Ag的负载量有关.当Ag修饰量为1.0%时,光催化能力高于ZnO纳米粉体;Ag修饰量为5.0%时,光催化能力最高;Ag修饰量为8.0%时,光催化能力反而降低.