多层瓷介电容器专利题录

1:多层瓷介电容器导电浆料(日本,1992)2.多层瓷介电容器内电极导电浆料(日本,1992)3.多层瓷介电容器的制造方法(日本,1992)4多层瓷介片式电容器的制造(日本,1992)5.多层瓷介电容器的生产旧本)6.多层瓷介电容器(美国,1992)7,独石多层瓷介电容器(美国,1992)8.多层瓷介电容器(加拿大,1992)9.不需高温烧结的多层瓷介电容器(日本,1991)10.多层瓷介电容器的生产(日本,1992)n.高介电常数瓷料(日本,1992)12.多层瓷介电分层电容器的生产(日本。1992)13.叠层瓷介电容器(日本,1992)14.叠层瓷介电容器内电极浆料(日本,1992)巧.高介电常数介电瓷料(日本,1…     

中温烧结（BaLa）（TiNb）O_3基铁电材料的研究

本文简要探讨高价阳离子Ａ、Ｂ双位取代ＢａＴｉＯ３系固溶体的中温烧结机制，以及其所形成的复合缺陷机构对介电特性的影响，并从实用出发，研制开发了（ＢａＬａ）（ＴｉＮｂ）Ｏ３系ＸＬ１０３片式多层瓷介电容器（ＭＬＣ）资料，其主要的特征参数为：ε（２０℃，１ｋＨｚ）≈１００００；在－２５～＋８５℃范围内　Ｔｓ＝（１１１０±２０）℃     

“X7R抗还原片式电容器介质材料”通过成果鉴定

华南理工大学材料学院卢振亚副教授课题组和广东风华高新科技集团公司共同承担的广东省“十五”重大科技专项项目“片式电容用抗还原介质瓷料的研制”于2004年9月26日通过了由广东省科技厅组织并主持的“X7R抗还原片式电容器介质材料”科技成果鉴定．     

BX特性MLCC电容器的决定因素和设计方法

<正>BX特性电容器是《有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范》(GJB192A-98)中规定的唯一的军用二类电容器,该类电容器不仅要满足TC特性要求,还必须满足TVC特性要     

多层陶瓷电容器端电极附着力研究

结合生产实际,从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手,对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究,制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极,并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平．     

多层陶瓷电容器端电附着力研究

结合生产实际，从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手，对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究，制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极，并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平。     

玻璃——细晶BaTiO3 MLC瓷料的介电性能

研究了不同含量的玻璃加入到细晶ＢaTiO3及多层陶瓷电容器（简称ＭＬＣ）资料系统中,其介电性能的变化。结果表明,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度,系统的介电系数随温度变化平坦,改善了系统的热稳定性。然而,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加,绝缘电阻的减小。玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明,加入玻璃的量应控制在质量分数５．０％左右,这样既能有效的降低系数的烧结温度。同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数,从而得到最佳的介电性能。     

超声波无损探伤技术在MLCC检测中的应用研究

<正>多层片式瓷介电容器[简称:MLCC(欲了解更多?请见本期【科技"生词"解释】]结构简单,通常只包括介质与电极层的交替层以及引出端,其基本功能是贮存电荷。介质通常是钛酸盐和铌酸     

科技“生词”解释

<正>MLCC MLCC是片式多层陶瓷电容器英文Multi-layer ceramic capacitors的缩写。目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性,主要可分为两大     

新型电子元器件"十五"发展八大重点

据信息产业部提供的资料,我国“十五”期间将重点发展的电子元器件如下: 1.表面贴装元器件重点发展贱金属电极片式陶瓷电容器,片式电阻器,片式电感器,片式钽电容器和片式二、三极管。 2.厚膜混合集成电路(HIC)重点开发和生产为通信产品、汽车电子等投资类整机配套的产品以及     

高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷

采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响．所制备的半导瓷经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ，其视在介电常数Ｋｅｆｆ＞３×１０４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０－２，绝缘电阻率ρ＞１０１０Ω·ｃｍ．     

多层陶瓷电容器可靠性的研究

多层陶瓷电容器ＭＬＣ在实际使用中，其电性能参数将会随着时间发生不同程度的偏离，直至电容器被判定为失效。文章分析了多层陶瓷电容器的失效机理及其模型，提出了采用１４０℃、６倍额定电压的高加速寿命实验测试方案，作为国标ＧＢ１７７２－７９标准寿命实验的替代实验。     

MgO—SiO2—TiO2系统Co、Ca离子掺杂的研究

以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg-Si-Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂,并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析.研究表明适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂,减少了系统缺陷,使系统微观结构排列整齐、致密,显著地使损耗从11.3×10-4降低至0.15×10-4,同时使烧结温度降低了近40 ℃.适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能.该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域.     

MgO-SiO_2-TiO_2系统Co、Ca离子掺杂的研究

以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg Si Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂,并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析.研究表明:适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂,减少了系统缺陷,使系统微观结构排列整齐、致密,显著地使损耗从11 3×10-4降低至0 15×10-4,同时使烧结温度降低了近40℃。适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能.该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域.     

高频感应加热法制备了SrTiO3BLC半导瓷

采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、参 、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响，所制备的半导 经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ其视在介电常数Ｋｅｆｆ〉３×１０＾４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０＾－２，绝缘电阻率ρ〉１０＾１０Ω．ｃｍ。     

"LD泵浦小型固体激光器"通过鉴定

1999年 1 2月 2 4日 ,由山东省教委主持在山东师范大学召开了“ＬＤ泵浦小型固体激光器”技术鉴定会 .与会专家认真听取了课题组卓壮教授等同志的汇报 ,实地察看了激光器系统的演示 .经过充分讨论 ,一致认为 :1 )课题组提交的鉴定材料齐全、完整 ,数据可靠 ,各项技术指标均已达到或超过原计划书所规定的指标 ,符合鉴定要求 .2 )该项研究研制了一台半导体激光二极管 (ＬＤ)泵浦Ｎｄ :ＹＶＯ4/ＫＴＰ腔内倍频的小型固体绿光激光器样机 ,激光器输出波长为 5 3 2 μｍ ,激光头外形尺寸仅为 4.2× 9.8ｃｍ .3 )ＬＤ泵浦的小型固体激光器是近年来…     

我校5项科研成果分别被列入广东省“八五”基础性研究十大成就和重点科技攻关十大成就

广东省“八五”基础性研究十大成就和重点科技攻关十大成就评选结果已公布，我校共有5项成果入选，其中3项被列入基础性研究十大成就，分别是：自动控制工程系刘永清教授主持的“滞后大系统的稳定、镇定与控制”；物理系刘有延教授主持的“准晶物理性质研究”；轻工食品学院华黄教授主持的”化工过程系统能量分析及综合优化研究”。2项成果被列入重点科技攻关十大成就，分别是：工业装备与控制工程系程金平教授主持的“塑料电磁动态塑化挤出设备”；无机材料系陈绍茂副教授等人与广东风华高新科技股份有限公司等单位共同完成的“中低温烧结材料片式多层瓷介容器”。我校5项科研成果分别被列入广东省“八五”基础性研究十大成就和重点科技攻关十大成就     

军用数据库管理系统通过鉴定

军用数据库管理系统通过鉴定月前，计算机系数据库与多媒体研究所研制的国防科工委“八五”军用共性软件型号项目“军用数据库管理系统ＤＭ２”在北京通过由国家教委主持的鉴定．张效祥、杨芙清、汪成为、李国杰四位中科院院士参加了鉴定会，与会的还有计算机界２０多位知...     

玻璃—细晶BaTiO_3MLC瓷料的介电性能

研究了不同含量的玻璃加入到细晶 Ba Ti O3及多层陶瓷电容器 (简称 ML C)资料系统中 ,其介电性能的变化 .结果表明 ,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度 ,系统的介电系数随温度变化平坦 ,改善了系统的热稳定性 .然而 ,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加 ,绝缘电阻的减小 .玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明 ,加入玻璃的量应控制在质量分数 5 .0 %左右 ,这样既能有效的降低系统的烧结温度 ,同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数 ,从而得到最佳的介电性能 .     

高性能固体片式铝电解电容器取得突破性进展

2004年7月5日，教育部组织对西安交通大学与福建国光电子科技股份有限公司共同完成的“高性能固体片式铝电解电容器”的中试项目进行了技术成果鉴定．鉴定委员会认真听取了项目负责人徐友龙教授所做的研制报告，鉴定委员会经过质询和认真讨论后一致认为该项目在材料和核心工艺上有重大创新．