光照在CdS光敏电阻中引起的噪声

本文报导了由于光照在CdS光敏电阻中引起的噪声的测量结果,并对噪声产生机理做了分析。指出对于用做弱光讯号探测的CdS光敏电阻,用掺杂造成电荷倍增效应的方法来提高器件灵敏度是不合适的。     

光敏电阻及其应用

光敏电阻是一种无极性的纯电阻,其阻值随入射光的强弱而改变。我们把电阻随入射光的强弱改变的现象称为半导体的光电效应。该文讲述的是可见光光敏电阻在各种实际电路的连接及原理。先是讲述了光敏电阻的构成、电阻变化原理、电阻的阻值变化特征等。并重点阐述了光敏电阻的应用,重点介绍的是其在照相机自动曝光控制电路中的应用、应急自动照明灯电路中的应用及其在火灾报警电路中的应用。     

热敏电阻与光敏电阻

阐述了光敏电阻和热敏电阻的特性、种类及其各自的优缺点,并根据其特点介绍了它们在人们生活、生产中的应用情况。     

光敏电阻特性的研究

通过对用光电转换测量仪所测出的光敏电阻特性的一些数据、图像的研究 ,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性和光谱特性。     

光敏电阻特性的研究

通过对用光电转换测量仪所测出的光敏电阻特性的一些数据、图像的研究、验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性和光谱特性。     

光敏电阻特性的实验研究

简要介绍了光敏电阻的工作原理及基本特性,用实验方法研究了光敏电阻的伏安特性、光照特性、光谱特性,光照强度与光电流之间以及入射光波长与亮电阻之间的关系。实验结果表明,在光照强度较弱时,光敏电阻的电压与电流满足线性关系,在光照强度较强时,电压增大的同时,电流增大的更快;在一定工作电压下,当受到一定波长范围的光照时,对于同一波长的入射光,随着光照强度的增强,光电流在增大,亮电阻在减小;对于不同波长的入射光,在相同光照强度下,随着入射光波长的增大,光电流先增大,后减小,而亮电阻先减小,后增大。表明光敏电阻对光具有选择性。     

光敏电阻起爆爆炸装置的特性研究

为了确定依靠光敏电阻起爆爆炸装置的特性,以不同类型光敏电阻为研究对象,制作模拟装置,在不同光强和温度的情况下进行实验研究,通过对实验数据与制式电雷管起爆条件进行比较,得到了相关结论,能够为今后此类案件爆炸装置还原以及排爆提供一些有价值的参考借鉴。     

光敏电阻的SPICE瞬态分析子电路模型

研究了一种应用ＳＰＩＣＥ（集成电路通用模拟程序）现有元器件条件，模拟含有时变器件电路的技巧。应用多项式逼近光敏电阻随发光强度变化曲线，将其转换为光敏电阻随时间变化曲线，结合受控电压源，产生ＳＰＩＣＥ程序描述的光敏电阻子电路模型。该方法可实现对含有时变电阻电路的ＳＰＩＣＥ瞬态分析。分析结果表明，光敏继电器开关电路的输出电压曲线与实际要求相吻合。这一方法同样适用于分析含有随时间、发光强度、温度等物理量连续变化的非线性电容电感元件电路。     

多晶体热弹性弛豫中的红外发散响应

本文应用红外发散模型计论多晶体内的热弹性弛豫过程。在用热力学理论和热传导定律处理固体热弹性弛豫的基础上,考虑了由界面内无序的多休相互作用导致的红外发散响应,修正了熵产生的速率方程,导得热弹性内耗峰公式。此公式得到实验的证实,由此解释多晶体内热流引起的内耗峰的增宽和不对称性。     

三维多晶体材料微结构的力学响应计算

材料微结构细观力学响应的数值计算对于识别"材料结构弱点",评估微裂纹的启裂、扩展,预测微结构材料损伤后的材料性能,推演"微结构虚拟失效"行为具有重要的意义.利用自主开发的材料微观组织结构仿真软件ProDesign构造出三维多晶体材料微结构的代表性体积单元,通过C语言程序设计、Python脚本语言混合编程的方式,实现对商业有限元软件ABAQUS前处理的二次开发,从而有效地实现三维多晶体材料微结构的细观应力响应计算.     

弛豫铁电多晶体的强场特性

本文介绍了弛豫铁电多晶体的研究、发展及其电致伸缩性质。论文中比较了三种典型铁电弛豫体:PMN—PT、PLZT和掺杂BT多晶材料的强电场特性。实验发现,当温度偏离T_(av)时,PLZT多晶体出现越来越强的电滞后现象,导致其微位移器件的回零复原温度特性变坏。用电学方法,在碱土金属离子B位掺杂的BT多晶体中可以观察到超顺电相的所谓微畴——宏观畴的场诱相变过程。作者指出,化学缺陷控制原理可用于调节电致伸缩材料的强场特性,控制器件的复原特性。     

形变铜多晶体的胞壁位错分析

本文应用线形精炼方法,对形变多晶铜的X射线的精细结构进行了分析,透射电子显微镜的观测分析结果表明,多晶铜中存在“胞结构”,并提出了一种计算多晶体胞壁位错的方法。     

多晶体钛形变孪晶的电子显微分析

用透射电子显微镜(TEM)对密排六方多晶钛在拉伸变形中形成的孪晶进行了观察分析。并采用六方晶系孪晶面的变换矩阵对孪晶电子衍射花样进行了标定。结果表明，单个出现的凸透镜状粗大孪晶为(102)，平行排列的板状孪晶为(112)，孪晶内存在高密度位错。     

提高CDs光敏电阻最高工作电压的一种方法

用 Cds 光敏电阻探测光讯号的线路图如图一。R 为 Cds 光敏电阻的暗电阻,R_L 为负载电阻,E 是偏压。R.H.Harada 用此线路推导了跨在负载电阻上的讯号或光生电压ΔV 为:ΔV=Δi/q_L=Eq_LΔq/(q+q_L)(q+Δq+q_L)如果Δq 比 q 或 q_L 小很多,上式可以简化为ΔV=Eq_LΔq/(q+q_L)~2……(1)其中:q=1/R;q_L=1/R_L;Δq 为光电导。从公式(1)可以看到,在一定的光讯号下引起的讯号电压ΔV 依赖於 E,Δq,q_L.R_L 值的选取要考虑和光敏电阻匹配。为了提高讯号电压,一个途径是,用在 Cds 光敏电阻中掺入灵敏中心,形成电荷倍增效应来提高Δq,但这种方法对弱光探测不太合适,因为它可能带来严重的噪声.另一个途径从公式(1)看到,可以提高 Cds 光敏电阳的工作电压。ΔV 和 E 成正比。一般的     

多晶体晶粒尺度三维组织建模及可视化

采用基于Monte Carlo Potts模型的仿真技术对单相多晶体各向同性晶粒组织进行了三维建模,利用OpenGL图形接口,在所建多晶体组织模型数据结构的基础上进而实现了三维可视化和任意角度观测,结果表明,所建几何图像模型可以很好地仿真预定细观组织结构参数的三维多晶体组织,不但满足模型化研究所要求的统计意义上的准确性,而且非常符合实际材料显微组织的多变性特征,可望用作细观尺度多晶材料加工过程数值模拟和细观力学计算的基本组织模型。     

多晶体金属疲劳寿命的非平衡统计模型

为了研究晶粒尺寸对多晶体金属疲劳寿命的影响，基于疲劳断裂非平衡统计理论和界面能模型，导出了多晶体金属的疲劳寿命随晶粒尺寸和应力振幅的变化公式．在其它参数保持不变的情况下，得出细晶粒多晶体金属的平均疲劳寿命随晶粒尺寸和应力振幅的增加而减小的结论．并对2种特定细晶粒多晶体材料的晶粒尺寸和应力振幅对疲劳寿命影响的理论结果与实验结果进行了比较．结果表明所得理论与实验结果比较吻合。     

二维多晶体材料微结构的力学响应计算

为了研究二维多晶体材料微结构细观尺度的力学性能和失效行为,将材料微结构细观力学响应的数值计算建立在材料微观组织结构的代表性体积单元(RVE)上.利用已开发的材料微观组织结构仿真软件ProDesign构造出二维多晶体材料微结构模型,采用C程序设计和Python脚本语言混合编程的方法,开发出用于材料微结构有限元网格划分与细观应力响应计算的软件AutoRVE,这对评估微裂纹的启裂、扩展,预测复合材料微结构材料损伤后的材料性能,推演微结构"虚拟失效"行为具有指导意义.