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文军 《徐州师范大学学报(自然科学版)》2011,29(1):62-64
超晶格是指由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜,两种材料的"势垒-势阱"结构就是量子阱.通过使用理想的无限深势阱模型和三角势阱模型,讨论了超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.沿超晶格生长方向能量量子化,量子化能量构成了一系列子能带(微带),体系电子态密度与能量无关. 相似文献
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电子在组分超晶格中的运动问题等效于电子在一维方形势阱中的运动问题。由于电子所经受的相互作用势是一维周期势,情况与K-P模型类似。利用转移矩阵方法对理想情况下超晶格量子阱的能带结构和透射谱特征进行了研究,而且对非理想情况下的透射谱进行了分析,结果表明系统存在局域态。 相似文献
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超晶格量子阱的空穴跃迁与材料的光电性质 总被引:1,自引:0,他引:1
引入正切平方势描述了量子阱中的空穴运动行为。在量子力学框架内,把空穴的Schrodinger方程化为超几何方程,用系统参数和超几何函数严格地给出了系统的本征值和本征函数。结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关,只需适当调节系统参数便可望得到不同光电特性的量子阱材料。 相似文献
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量子阱超晶格和方形截面量子阱线超晶格中极化激元的色散关系被详细讨论.在量子阱超晶格和量子阱线超晶格中,我们得到了四支(不是两支)极化激元模. 相似文献
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由电子在一维三势阱、三势垒体系中能量状态的数值结果,说明了超晶格和多量子阱属性的区别。 相似文献
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本文研究了三元准周期超晶格的电子共振隧穿性质。结果表明:准周期超晶格结构的自相似性导致了电子透射率谱的自相似性;随着代数的增加,高透射率的区域越来越集中于某一小的能量范围;电子透射率较大的能量对应着电子的扩展态,电子透射率较小的能量对应着电子的局域态,电子透射率介于两者之间时,对应着电子的临界态。 相似文献
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超晶格量子阱中的量子力学效应 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体超晶格由于其特殊的结构,产生了许多新的量子现象.以GaAs/AlAs结构为例,运用薛定谔方程,结合边界条件,对量子阱现象进行了浅析,求得阱中的二维电子气在沿材料生长方向上的能级是分立的,即量子阱中由于局域效应存在着一系列的子能级,且从电子的能态密度的定义出发,计算出其二维电子的能态密度与能级无关. 相似文献
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外加偏压情况下三元准周期超晶格的高能态电子隧穿性质 总被引:1,自引:1,他引:1
本文应用Airy函数和散射矩阵方法研究了外加偏压对三元准周期超晶格高能态电子隧穿性质的影响.
结果表明,
不同外加偏压下,高能态电子透射率谱在一定范围内有显著的变化.
随着偏压的增大,透射峰位置向低能量区域移动. 相似文献
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应用δ函数势模型和散射矩阵方法,研究了势阱中的杂质对三元准周期超晶格电子隧穿性质的影响。结果表明,杂质对三元准周期超晶格的电子共振隧穿谱有明显影响。改变δ势垒高度会引起透射峰的移动;杂质放在势阱中的不同位置,也会使得电子透射率谱发生变化。 相似文献
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BS模型通过简单的演化规则体现出复杂的演化动力学.将BS模型应用到舆论传播模型,在模型中植人一个新的参数一节点的质疑度,它是表示该个体对某一件舆论信息提出质疑的程度.质疑度越小,表明个体对舆论信息越相信,反之,越不相信.通过对模型性质研究和数值模拟发现,带有质疑度改进的BS模型上的舆论传播具有许多生物界进化的相似性.模型中的质疑度等性质在网络随时间演化充分时间后,网络能够自组织达到一个稳定临界态,稳定临界态指数也可以计算得到. 相似文献
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利用Chebyshev多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱(MQW)系统的束缚电子级公式,并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应MQW系统量子能级的差异。 相似文献
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微机具有较强的控制和数据处理能力,应用于电子自旋共振(E.S.R)实验能完成数据采集、贮存、ESR信号显示和数据实时分析处理。采用插接式硬件接口和BASIC语言及6502机器语言相结合编程,满足了人机对话,快速采样、快速图形显示和数据处理等要求;应用“光标”技术能测定有关ESR信号的各参数,它能应用于类似的磁共振实验。 相似文献
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核磁共振测井是目前发展最快的测井方法,简要介绍了核磁共振测井方法和技术发展情况.核磁共振技术是核磁共振测井的基础,由于它涉及较深的微观理论,着重从量子力学和经典电动力学两个方面介绍核磁共振机理推导过程,并进行了研究和对比,说明两者的区别和联系,以明确核磁共振测井技术研究中的一些基本概念和术语. 相似文献
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本文利用透射电子显微分析技术对20Mn钢复相组织的变形和断裂规律进行了原位观察,研究变形过程中组织结构对强化过程的影响,特别是形变强化指数、变形量和组织三者之间的关系;同时对试验钢的断裂机制进行了分析,即观察扩展裂纹前沿位错组态的变化及裂纹的动态扩展过程。 相似文献
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郭子政 《内蒙古师范大学学报(自然科学版)》2002,31(3):225-229
考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子迁移率随压力的变化,提出了非自由基超晶格系统的等效外延层模型.研究表明,内部应变和衬底对系统的电子迁移率随压力变化有重要影响,自由基和非自由基系统中电子迁移率的压力特性有很大区别. 相似文献