Mo2C膜电阻率的研究

介绍了Mo2C膜的制备过程和对其电阻率的测量结果，探索了其导电机理以及沉积时间、基底温度和生长过程对电阻率的影响。利用Gibbs函数极小的原理探索了膜中Mo原子的含量随温度的变化规律，并对电阻率随温度的变化规律给予了解释。结果表明：它的电阻率取决于生长过程和Mo原子的含量；电阻率随基底温度、沉积时间呈非线性变化。     

Mo2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究

对以羰基金属气相沉积制备的Mo2 C膜表面粗糙度进行了测量 ;在测量基础上进行统计 ,找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律 .结果表明 :Mo2 C膜表面粗糙化属快速粗糙化 ,粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征 ;粗糙度随基底温度升高而增大     

Mo2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究

对以碳基金属气相沉积制备的MO2C膜表面粗糙度进行了测量；在测量基础上进行统计，找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律。结果表明：MO2C膜表面粗糙化属快速粗糙化，粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征；粗糙度随基底温度升高而增大。     

Mo2C膜脱附激活能随沉积温度的变化规律

介绍了用金属有机气相沉积(MOCVD)制备Mo2C膜的过程和对膜的颗粒粒径的测量结果,建立物理模型,导出粒子脱附激活能的计算公式,探讨了Mo2C膜的脱附激活能随沉积温度的变化.结果表明:沉积温度低于380 ℃时,Mo2C膜的脱附激活能随温度升高而增大较快;而高于380 ℃时,激活能随温度升高而增大的速度变小.     

MOCVD制备的Mo2C膜粗糙度研究

介绍了金属有机气相沉积制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程和对膜表面粗糙度的测量结果,在测量基础上进行统计,找出Ｍｏ２Ｃ膜的高差分布;应用非平衡统计理论导出表面高差分布公式,结果表明实际测量与理论推导结果一致。     

Mo原子表面扩散激活能的计算及Mo2C膜成膜机理

应用Ｃｏｌｌｉｎｓ模型,计算了Ｍｏ原子表面扩散激活能。根据实验结果,论证了如下结论：在制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６的变化遵从先被基底吸附,发生相变再进行级联式分解的两步机制;其成膜过程是Ｍｏ（ＣＯ）６先分解,再由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ成膜。用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,探讨了成膜的适宜温度。     

论B2C与C2C两种模式的融合和发展趋势

目前电子商务流行B2C和C2C两种模式。通过对当当网和淘宝网的分析,不难发现,B2C和C2C这两种模式各有优缺点,具有很强的互补性。从发展趋势来看,伴随而来的将是一种全新的电子商务运营模式,一个跨模式的全方位电子商务平台很快就会诞生;融合B2C和C2C,不仅可能,而且将是未来电子商务发展的必然趋势。     

化学反应机制的电子结构计算和动力学模拟?北京师范大学的量子化学

在北京师范大学120周年校庆暨化学学科建立110周年之际,本文将结合量子化学群体的研究工作,概要介绍化学反应理论与机制的研究进展．一方面简要回顾化学键理论和分子轨道自洽场计算,重点关注热化学反应途径、能量分解和价轨道赝势从头算等;另一方面围绕激发态电子结构计算和光化学反应机制,探究其核心科学问题,即多态交叉和非绝热动力学．并对量子计算机时代的量子化学的发展前景进行了展望．      

碱度值R、F-含量和Na2O含量对中碳钢保护渣渣膜结晶体的影响规律

采用化学分析、光学显微镜等手段,通过单独改变碱度值R、F-含量和Na2O含量,对河南通宇中碳钢用连铸结晶器保护渣渣膜的结晶率和结晶矿相进行分析,查明了三个变量对结晶率和结晶矿相的影响规律。     

射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.     

DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析

文章通过改变玻璃基温度和靶基间距,采用m(O2)/m(A r)为1∶12.5,溅射功率为190 W,工作真空度为2.2 Pa,用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜,并经真空退火处理,制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分。测试分析结果表明,基片温度在室温或超过350℃,易于生成VO2薄膜,真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷,提高V与O的化学计量比。     

负偏压对反应磁控溅射AlN薄膜的影响

利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压对AlN择优取向产生一定的影响,随着偏压的增大,薄膜表面晶粒尺寸有长大趋势.根据透射谱测试和包络线计算结果可知,薄膜在可见光和红外区域透射率高,随着偏压的增大,薄膜的折射率也随之增大.     

用于薄膜残余应力检测的微指针放大机构

在MEMS器件中应用的各类薄膜材料在制备过程所产生的残余应力,对器件的性能和可靠性具有较大的影响．设计了一种用于残余应力在线检测的柔性铰链放大机构,并对柔性铰链的结构尺寸与放大机构的角变形和转动刚度的关系进行理论建模,利用FEA软件对3种不同类型柔性铰链的转动刚度进行了数值仿真,为用于残余应力检测的微指针结构的放大机构的优化设计提供了前期研究基础．     

Influence of annealing temperature on structure and photocatalytic activity of TiO2 thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering method

Transparent TiO₂ thin films were successfully prepared on high purity silica substrates by DC reactive magnetron sputtering method and annealed at different temperatures. The effects of the annealing temperature （300-600 ℃） on crystalline structure, morphology, and photocatalytic activity of the TiO₂ thin films were discussed. The photocatalytic activity of the films was evaluated by photodegradation of methylene blue solution. With increasing annealing temperature, the photocatalytic activity of the TiO₂ thin films gradually increased because of the improvement of crystallization of anatase TiO₂ thin films. At 500 ℃, the TiO₂ thin film shows the highest photocatalytic activity due to the improvement of crystallization of anatase TiO₂ thin films. When the annealing temperature increases to 600 ℃, the photocatalytic activity of thin film decreases owing to the formation of rutile phase and the decrease of surface area.     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。     

磁控溅射制备TiO_2薄膜及其光学特性研究

采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用紫外-可见光分光光度计和AFM分别表征了薄膜的透射率和表面形貌,用包络线法详细研究了不同衬底温度下TiO2薄膜的光学特性.结果表明:薄膜在可见光波段有很高的透明度,且随着衬底温度的升高,薄膜的透射率略有增加,薄膜的折射率和吸收系数增大,薄膜的光学带隙减小;同时,薄膜表面粗糙度减小,薄膜变得平整.