新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究

提出了一种简单可行的CNT-FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF₂薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验.     

氧化锌薄膜的紫外光致发光的低能带尾发射

利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光,氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成,峰的中心位置分别是在3．31和3．22eV,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线(1-LO)．而在82K下,紫外发射谱是由光子能量分别在3．371eV,3．358eV,3．316eV,3．235ev和3．166eV峰组成．它们分别是自由激子,束缚激子和自由激子的一阶(1-LO)、二阶(2-LO)和三阶(3-LO)的声子伴线．根据变温光谱结果,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子(1-LO)伴线。     

氧化锡UPF的表面性质分析

对采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡超微粒子薄膜（ＵＰＦ）进行了ＳＥＭＸＲＤ及ＡＥＳ的表面分析、并讨论了不同基体薄膜表面性质的影响。     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

非均匀基底薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行了计算机模拟,研究了在有缺陷的基底下,沉积粒子的能量和入射率对薄膜生长的影响.通过模拟发现,随着沉积粒子的能量提高或入射率的降低,沉积在基底上的粒子逐步由各自独立的离散型分布向聚集状态转变形成岛核.分析表明,这些变化是由于能量粒子的介入使得表面粒子的扩散能力增强,而入射率越小,每一步中对应粒子的扩散时间就越长,所以大量粒子能够充分扩散.     

150 keV电子辐照下直拉硅的缺陷演化及其电学性能

研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnOm复合体,且随辐照注量的增大缺陷浓度升高.对于不同导电类型的直拉硅,P型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而增大并趋于饱和,而N型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而减小并趋于饱和.     

退火气氛对铽掺杂氧化锌纳米薄膜发光性能的影响

以Zn(Ac)_2 2H_2O和Tb_4O_7为原料,采用溶胶-凝胶、浸渍-提拉技术在单晶硅(100)衬底上制备了铽掺杂的氧化锌(ZnO∶Tb)薄膜。分别在氮气和氢气气氛下对薄膜进行退火处理,并进行了XRD、IR、EDS和AFM表征,同时结合荧光光谱测试详细研究了退火气氛对薄膜发光性质的影响。结果表明,经氮气和氢气气氛处理的薄膜中,ZnO∶Tb粒子均具有六方纤锌矿结构,且排列致密均匀,相应的ZnO∶Tb粒径分别为59和45 nm。经氮气气氛处理的ZnO薄膜,掺杂前后的发光情况变化显著,由485 nm的蓝光发射移到382 nm的紫外发射。用氢气进行退火处理时,掺杂前后薄膜的荧光光谱都由强的紫外发射和弱的蓝光发射组成,但掺杂后薄膜的紫外光发射减弱,蓝光发射增强。薄膜层数为3、Tb掺杂量为3.85 mol%时,ZnO∶Tb薄膜的荧光发射效果最佳。     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

SnO_2簿膜(掺Sb)光学气敏选择性的实验研究

郑顺旋等人观察到常用的气敏-电阻型材料氧化锡薄膜的光学性质和气敏特性有关.这一发现突破了近半个世纪以来氧化物的气敏特性仅与电阻有关的模式.使得可以用光学量去探索至今还未清楚的氧化物气敏机理.也为新型气敏传感技术提供了有效的敏感材料.然而与气敏-电阻效应一样,纯SnO_2器件的气敏-光学效应对各种还原性气体的灵敏度几乎相同,因此制造出气体选择性良好的元件很不容易.为了提高SnO_2薄膜气敏光学效应的气体选择性,在纯SnO_2薄膜中掺杂了0.1wt%的Sb.实验观察     

衬底偏压对磁溅射生长氮化碳薄膜的影响

采用非平衡磁溅射方法，在不同衬底偏压条件下，在Ｓｉ（００１）衬底上制备出氮化碳薄膜，实验发现，氮化碳薄膜的沉积率取决于衬底偏压。通过对红外、电子能量损失谱的测试分析发现，衬底偏压对氮化碳薄膜中原子间的键合情况也有一定影响。     

电子注中的束缚电子对

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.     

自由电子受激辐射的电子对量子理论

本文认为自由电子受激辐射来源于电子对的量子跃迁.计算了电子对的跃迁几率.给出了自由电子受激辐射产生条件.     

利用CBP作为缓冲层增加有机发光器件的效率

制备一种利用4，4′-N，N′-dicarbazole—biphenyl（CBP）作为超薄空穴注入缓冲层．CBP作为一种较好的缓冲材料，改善了有机发光器件的性能．CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴，从而平衡了空穴和电子的注入．有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高．当缓冲层CBP为4nm时，最大电流效率在8V时达到5．66cd／A，这是没有缓冲层器件电流效率的近1．5倍．     

电弧放电法中碳纳米管的微结构控制

通过分析不同放电条件下得到的阴极沉积物形貌和微结构,提出整体温度较低的沉积物边缘具有较高的局部温度和较大的碳离子流;并提出阴极上存在两种电子反射机制:边缘区域的冷阴极场致电子发射,引起边缘硬壳的形成;中心区域的热电子发射,为碳纳米管的生长提供必要的条件.     

Ce掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其性能表征

采用水热法制备了稀土铈（Ce）掺杂的ZnO纳米棒,并利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和光致发光谱（PL）对样品进行表征．结果表明：Ce成功的掺入到ZnO中,掺杂的ZnO纳米棒有较好的结晶质量,直径约为8nm．另外,随着Ce的掺入,紫外峰峰位发生红移,这是因为掺杂后带隙变窄,从而导致了紫外峰的红移．     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

ZnO纳米树叶的可控生长及发光动力学

对用化学气象沉积法制备的ZnO纳米树叶进行了简单的控制生长及变温光致发光研究．实验表明,低温光致发光由中性施主束缚激子（D^0,X）和导带自由电子向受主能级的跃迁（FA）组成．D^0,X的强度随温度的升高迅速下降,发生热淬灭．最后热离化为自由激子（XA）,成为占主导地位的峰．受主能级可能是N替代0形成的受主缺陷能级．受主能级可能是N替代0形成了N0受主缺陷能级．     

铝硅磷掺杂碳纳米锥场发射性质的理论研究

采用第一原理密度泛函理论方法,分别研究了铝、硅和磷原子掺杂碳纳米锥的几何结构和电子结构,进而研究其场发射特性．计算结果表明：与纯碳纳米锥相比,铝和硅原子掺杂对其场发射性能的提升意义不大,磷原子易于掺杂在碳纳米锥顶部,引起其费米能级附近最高占据分子轨道明显提升,功函数和离化能降低．计算结果表明,磷掺杂碳纳米锥体系是较好的场发射材料．