低能氩离子刻蚀在高深度分辨率杂质分布测定中的应用

300eV的低能氩离子刻蚀与SIMS技术相结合,研究了高深度分辨率杂质深度分布测定的可能性。采用石英晶体的频率变化与微量天平称重的方法对~(48)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率进行了校准。实验表明,离子刻蚀去层度的精度可以达12左右;经过~40)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率与未经~(40)Ar~+注入的Si试样有明显的差别。测定了300keV的~(40)Ar~+离子注入Si中的深度分布,测量结果与理论计算进行了对比。     

Er~(3+)/Yb~(3+):KY(WO_4)_2晶体能量传递特性

测量了在室温下Er3+/Yb3+:KY(WO4)2(KYW)晶体的吸收光谱和荧光光谱,利用Judd-Ofelt理论计算得到晶体中Er3+离子的光谱参量.根据Dexter理论计算了Er3+/Yb3+:KYW晶体中能量共振临界距离R0、掺杂离子的平均距离R及能量传递作用参数C,分析Er3+/Yb3+:KYW晶体中Er-Er间和Yb-Er间的能量传递特性.     

SD—400keV离子注入机调试报告

一、引言 SD—400keV离子注入机是一种多用途离子注入机,它具有注入元素种类多、能量调节范围广、扫描面积大等特点,可以注入从质量数为1的氢离子直到质量数大于200的重离子;能量从50keV到400keV连续可调;具有垂直扫描和非垂直扫描两种功能。本机主要用于功能材料、固体材料改性和功能器件的研究以及离子与固体相互作用的基础研究等领域。     

Cu+离子注入α-Al2O3晶体的光吸收与荧光谱测量

将注量为5×1016/cm2和能量为150～390keV的Cu+离子,在不同温度下注入α-Al2O3单晶试样,并在还原气氛中进行不同温度下的热退火处理,然后对试样进行光吸收和荧光测量.测试结果表明,不同能量及不同温度条件下的Cu+离子注入不同晶向的α-Al2O3晶体后,均发现该晶体在紫外可见光区域发生强吸收,而经退火后吸收强度大幅度下降.通过对光吸收谱进行高斯拟合以及荧光谱分析确认,Cu+离子注入蓝宝石晶体产生的点缺陷主要为F心,F+心,F2+心和F2+2等阴离子空位缺陷.     

离子注入机后减速的研究

制作大规模集成电路要求低能量、大束流的注入。为了适应这一工作的需要,我们在400keV离子注入机上采取了使离子束在较高能量下传输,在靶附近再把能量降低的方法,这种方法就叫做后减速。     

KPb2Cl5晶体中掺杂Er3+和Eu3+离子占据格位倾向性的原子模拟研究

本文采用经验势原子方法模拟研究了稀土Er3+和Eu3+离子掺入KPb2Cl5晶体的格位占据情况,其中经验势参数通过拟合KPb2Cl5、PbCl2、ErCl3、EuCl3晶体结构得到.在此基础上,研究了KPb2Cl5晶体的本征缺陷和替代缺陷,而且通过溶解反应能计算发现,掺杂Er3+/Eu3+离子更倾向于占据Pb2格位,并由最近邻的K空位缺陷提供电荷补偿.这一结论与文献报道的KPb2Cl5:Eu3+光谱分析结果一致,为Er3+掺杂KPb2Cl5占据格位实验假设提供理论支持.     

籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能

为定向生长出铈掺杂溴化镧（LaBr3:Ce）晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr3:Ce晶体在137Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合 Ф 20 mm×5 mm 溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr3:Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22Na（511 keV）。制备了6×6的LaBr3:Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm。利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm。制备出的LaBr3:Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域。     

Er/Yb双掺杂Li_6Y(BO_3)_3晶体的偏振光谱性能

采用提拉法生长得到了Er/Yb双掺杂的Li6Y(BO3)3晶体,测定了晶体中实际的Er3+和Yb3+离子浓度,在室温下记录了晶体的偏振吸收和发射光谱,测定了1 030 nm和1 535 nm处的荧光衰减曲线,并计算了Yb3+与Er3+离子间的能量传递效率。相比于Er3+离子单掺杂Li6Y(BO3)3晶体,Er/Yb双掺杂晶体在1 000nm附近处的吸收明显增强,在1 550 nm波长附近宽达200 nm的宽带发射以及Yb3+与Er3+离子之间有效的能量传递表明Er/Yb双掺杂的Li6Y(BO3)3晶体是一种潜在的可用于可调谐及超短脉冲激光的介质。     

石墨烯沉积氮离子注入TiO_2纳米管的光电性能

为了提升TiO_2纳米管的光电性能,使用离子注入技术将氮离子注入钛片基底,在石墨烯掺杂的电解液中对氮离子注入过的钛片进行阳极氧化,形成石墨烯沉积氮离子注入TiO_2纳米管(GO-N+-TiO_2NTs).通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)和拉曼光谱对TiO_2纳米管进行表征和元素分析,利用电化学工作站对GO-N+-TiO_2NTs的光电性能进行研究.结果表明:与未经处理的TiO_2纳米管(TiO_2NTs)相比,GO-N+-TiO_2NTs的电子还原性能显著提升,在未经紫外光照的情况下,电化学交流阻抗降至5115Ω,紫外光照下的光电流密度达到12m A/cm2,GO-N+-TiO_2NTs的光电性能明显提高.     

氧化锌质子辐照效应的SRIM模拟研究

利用SRIM-2003软件模拟10～110 keV质子辐照下质子与氧化锌之间的微观交互作用,并计算了质子的能量传递、能量损失、射程以及氧化锌的阻止本领.结果表明,质子与氧化锌之间的交互作用主要源于质子与氧化锌核外电子之间的非弹性碰撞过程,氧化锌的辐照损伤以电离效应为主;辐照损伤区主要集中在90～700 nm的射程范围内,10～110 keV质子辐照能够模拟氧化锌在外空间的光学退化.