磁耦合谐振式无线电能传输系统在过耦合区域传输效率分析

该文研究了磁耦合谐振式无线电能传输(MCR-WPT)系统在过耦合区域对等同谐振回路和非等同谐振回路的可实现传输效率。利用等效电路理论建立了MCR-WPT系统的电路模型。通过等效参数与频率、耦合系数的函数关系,分析了频率分裂现象,并推导出频率分裂的闭合方程和等同谐振回路在过耦合区域的传输效率。通过设计环状线圈及相关实验,验证了分析结果与实验结果的一致性。通过数学证明发现,即使在等同谐振回路内出现频率分裂,也可保持传输效率为1个恒定值。研究结果表明,等同谐振回路在MCR-WPT系统过耦合区域可实现高稳定性能。     

二阶串联谐振电路通频带的简捷测量、计算方法

在中频范围内,二阶串联谐振电路通频带的常规测、算方法是利用LC串联电路频率特性曲线,描点测△f=f2-f1,或者由给定电路参数,建立二阶方程,算出f2和f1,求△f,测量和计算都相当麻烦。本文从通频带定义出发,导出了测量和计算通频带的简捷公式,即△f=f_0/Q,和△f=R/2πL。用前式测量,后式直接代参数计算,非常简便。且简捷方法与常规方法比较表明,前者测量误差小于后者。     

GaI_2(X~2A_1)分子的结构与势能函数

应用密度泛函理论B3P86和B3LYP,利用多种基组对GaI2分子的基态平衡结构进行优化,并用优选出的密度泛函B3P86/3-21G方法对该分子的离解能、谐振频率和力常数进行了计算.结果发现GaI2(X2A1)分子的基态稳定构型为C2V,其平衡核间距Re=0.26225 nm、∠IGaI=122.8135°,离解能为1.5303 eV,谐振频率为ω1(a1)=54.7691 cm-1、ω2(a1)=179.4269 cm-1、ω3(b2)=248.9129 cm-1,力常数为fR1R1=0.08995 a.u.,fR1R2=0.01238 a.u.,fR1α=-0.01335 a.u.,fαα=0.01362 a.u..在推断出GaI2的离解极限基础上,应用多体展式理论方法,推导出基态GaI2分子的分析势能函数,该势能表面准确地再现了分子GaI2(X2A1)的结构特征和能量变化.分析讨论势能面的静态特征时得到:GaI+I→GaI2反应中存在鞍点,活化能为144.728 kJ/mol.     

源-负载耦合发夹梳双频带通滤波器的设计

为得到具有高选择性、小尺寸、低成本的双频带通滤波器,提出了一种具有准椭圆函数响应的双频带通滤波器设计方法.该滤波器利用两组工作于不同工作频率的发夹梳型谐振器,因此能够提供足够的自由度去设计两个独立可控的通带.谐振单元之间的混合电磁耦合可以产生可控的传输零点,而源-负载耦合同样能够在通带外产生传输零点,因此混合电磁耦合与源-负载耦合的结合使阻带内具有多个传输零点,可以有效地提高滤波器的选择性和抑制阻带.最后设计加工了一个工作在2.4和5.2 GHz的双频带通滤波器,测量结果与仿真结果吻合良好,验证了该设计方法的有效性.     

互感耦合双回路振荡器的一些特性

一、引言双回路振荡器包括有两个互相耦合的振荡回路,这两个回路或以电容相耦合,或以互感相耦合,或二者兼备,这种振荡器的特点是它有两个自振频率,但只有一个能产生自持振荡。如所周知,这种振荡器的优点是,在两个回路之中,调准其中一个对频率有很大的影响;而调准另一个则对频率影响不大,同时对反馈系数及负载阻抗则影响甚大,这样,调准相应的回路就可以使振荡频率和工作状态都能够在一定的范围内得到平滑的变化。一般的双回路振荡器往往利用电容器耦合,互感耦合之所以少见应用,可能是因为调准较为不便,但根据作者的经验,这一类型的强力振荡器过去之未曾得到应有的重视和普及是不应该的。     

介质谐振器与悬置微带鳍线的耦合系数

介质谐振器具有体积小、重量轻、Q 值高、价格低廉的优点,特别是随着低损耗、高温度稳定性介质材料的发展,它已在很多场合代替了传统的金属腔.用介质谐振器制作滤波器、鉴频器和振荡器,其谐振频率及与电路的耦合系数是两个最重要的参数.本文采用集总参数耦合电路模型,分析计算了圆柱介质谐振器 TE_(01δ)模与悬置微带及单侧鳍线的耦合系数.1 理论分析介质谐振器与各种集成传输线的耦合,是谐振器中的场与传输线的场相互作用的结果(图1(a)).本文把介质谐振器的 TE_(01δ)模等效为磁耦极子,它与传输线盼耦合也就可以转化     

磁耦合谐振式供电系统的频率分裂抑制方法

抑制谐振式供电系统发生的频率分裂在过耦合处系统效率不降低.运用耦合模理论,推导出效率与频率、耦合系数的关系式,并发现频率分裂现象.其原因为谐振线圈的品质因数发生改变.随后本文提出使用电感较大接收端的方法.此方法可以抑制频率分裂且提高传输效率.最后,组建了磁耦合谐振式供电系统实验平台,实验证明此方法有效.     

SeNn(n=0,+1,+2,-1)基态及SeN低激发态a(4ⅡI)、A 2Ⅱ势能函数与稳定性研究

采用6-311 G**基组、B3LYP方法对SeN＜n(n=0, 1, 2,--1)分子离子基态进行了结构优化和频率计算,用TDB3LYP/6--311 G"含时方法对SeN分子低激发态a(4Ⅱi)、A 2Ⅱ进行了计算,得到SeNn(n=0, 1, 2,--1)分子离子基态和SeN分子激发态a(4Ⅱi)、A 2Ⅱ的平衡几何结构、电子状态、谐振频率、偶极矩、离解能De等相关性质,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数(Be、αe、ωe、和ωeXe)和力学性质.理论计算值与相关文献值吻合较好,说明用B3LYP(TDB3LYP)/6-311 G**方法计算SeNn(n=0, 1, 2,-1)分子离子基态和SeN分子激发态微观结构性质是可行的.计算结果表明Se Nn(n=0, 1, 2,-1)分子离子基态是可稳定存在的,其稳定性次序为SeN-SeNSeN SeN2 .     

宽频带微波振荡

概要:本文用灯塔管2C40做成的柵极接地式微波振荡器,其谐振回路采用同轴式谐振空腔,当选 L_=3/4λ;L_=5/4λ时,振荡范围为:λ=9.8cm～22cm.当选     

双管推挽超音频偏磁振荡电路探讨

在盒式收录机教科书中,给出的双管推挽偏磁振荡原理电路如图1示。图中,振荡变压器B_1的次级线圈L_4与电容C_4、C_5,抹音磁头线圈L_E等组成谐振选频回路,决定偏磁振荡信号的频率。但厂家生产的收录机实际线路中,往往在B_1的初级线圈两端并联一电容器C_6,组成另一个谐振回路(如图1中虚线所示)。本文的目的在于说明两个问题:(1)图1给出的双管超音频推挽振荡电路可否等效为图2所示的集基耦合多谐振荡电路?(2)在具有两个谐振回路的双管推挽振荡电路中,偏磁振荡的频率如何决定?两谐振回路各自有何作用?     

BCl分子激发态A~1Π、a~3Π_1的势能函数与垂直激发能

为了弄清BCl在金属蚀刻中的机理,了解BCl分子激发态势能函数和稳定性的基本信息是必要的.运用群论及原子分子反应静力学方法,推导出了BCl分子低激发态A1Π、a3Π1的电子态及相应的离解极限;使用SAC/SAC—CI方法,6-311 g(d)**基组对BCl分子低激发态A1Π、a3Π1的平衡结构和谐振频率进行了几何优化计算,并对BCl分子低激发态A1Π、a3Π1进行了单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell—Sorbie函数,得到相应电子态的势能函数解析式,利用得到的势能函数计算了相对应的力常数(f2、f3、f4)和光谱数据(Be、αe、ωe、ωeχe),数据值分别为:基态BCI(X1Σ )的Re=0.1867 nm,De=1.4855 eV,Be=0.6228 cm-1,αe=0.0060 cm-1,ωe=810.2001 cm-1,ωeχe=4.981 cm-1;激发态BCI(a3Π1)的Re=0.1726 cm,De=6.1151 eV,Be=0.6843 cm-1,αe=0.0039 cm-1,ωe=897.8493 cm-1,ωeχe=5.2800 cm-1;激发态BCI(A1Π)的Re=0.1722 nm,De=7.1515 eV,Be=0.6799cm-1,αe=0.0085 cm-1,ωe=784.5359 cm-1,ωeχe=12.88 cm-1.结果与文献数据相符合;在基态的平衡位置处,计算了从基态到A1Π、a3Π1态的垂直激发能,其值分别为7.6291 eV,10.1023 eV.     

2维光子晶体波导结构的耦合特性研究

利用有限时域差分法对2维3角晶格空气缺陷及介质柱缺陷波导结构的传输特性进行研究,讨论了耦合长度和耦合间距对空气缺陷波导、缺陷介质柱半径大小等对介质柱缺陷波导耦合性能的影响.结果显示:(1)耦合长度越长、耦合间距越小,空气缺陷波导的耦合性能就越好,适当调节耦合长度和耦合间距可得到任意分光比的光耦合器;(2)缺陷介质柱的半径ra＜0.1a时,随着ra的增大耦合作用明显减弱,但在0.325～0.344(a/λ)范围内,耦合波导和直接波导的透过率比值基本保持为1:1,这对于功率分配器的研究具有一定参考价值.     

几个常用的自感系数计算公式的应用

普通物理中同轴电缆自感系数的计算是常见的一例，而通过Ф=LI计算所得的结果与W=1/2LI^2计算结果不同的比较，强调了在教学中应对公式“L=Фm/I”的正确理解．即“在数值上等于回路中的电流为一个单位时，穿过此回路所围面积的磁通量．”实验表明L与回路形状、大小以及周围介质有关．这里要注意的是“回路”这一模型，且回路还是单一的．     

Si2S（X^1A1）分子的结构与势能函数

应用多种方法多种基组对Si2S分子的基态结构进行优化,并用优选出的密度泛函B3P86/6-311 G(3d2f)方法对该分子进行了进一步的频率计算.结果发现:Si2S (X1A1)分子的基态稳定构型为C2v,其平衡核间距Rsis=0.213 3 nm、∠SiSSi=67.982 6°,离解能为9.233 2 eV,同时计算出了谐振频率及力常数.在推断出Si2S的离解极限基础上,应用多体展式理论方法,导出了基态Si2S分子的分析势能函数,该势能表面准确地再现了分子Si2S (X1A1)的结构特征和能量变化.分析讨论势能面的静态特征时得到SiS Si→Si2S 反应中不存在势垒,为无阈能反应.     

压电/压磁条环磁电复合材料的逆磁电效应

研究了压电/压磁条环磁电复合材料在弯曲谐振频率下的逆磁电效应(CME),其中压电材料为锆钛酸铅(PZT),压磁材料为镍锌铁氧体(NiZn ferrite).由于PZT与镍锌铁氧体环之间的机电耦合,该磁电材料在一阶弯曲谐振频率和一阶纵向谐振频率处的逆磁电系数明显大于非谐振频率处的逆磁电系数.在一阶弯曲谐振频率下,该磁电材料在H=190 Oe、E=200 V/cm测得较大磁感应强度(B_m≈2.13×10~(-5)G).B_m在-130 OeH130 Oe间呈现的磁滞现象源于镍锌铁氧体环压磁效应和PZT铁弹效应的共同作用.在H=0 Oe、±50 Oe,利用不同变化趋势下的磁场及周期性通断的交流信号实现了三稳态磁感应强度的转换.     

线性非齐次递归式的求解

利用平移算子法、矩阵理论分别给出了由线性非齐次递归关系式an+2=αan+1+βan+f(n)(其中n∈Z+∪｛0｝,a0,a1,f(n)给出所确定的数列an’(的通项公式。     

Simon方程与kraut—kennedy方程之间的联系

本文找到了反应高压下熔解时熔解压强与熔解温度之间关系的Simon方程P_m=A〔(T_m/T_o)~n-1〕与反应高压下的熔解温度与等温压缩之间关系的Kraut-Kennedy方程T_m=T_m~o(1+C△V/V_o)二者的联系。由Simon方程导出了Kraut-Kennedy方程。得到了Kraut-Kennedy系数C与Grüneisen参量r之间的关系式;C=2(r+2/3)/(B-1),提供了一种由熔解参量计算r的途径,理论与实验符合得较好。     

有限元-无限元耦合法在桩-土动态反应中的应用

推导了4+2节点动力无限元的位移形函数及坐标形函数,进而得到具有不同波动组合位移衰减形式的二维谐振无限元,并运用通用有限元软件建立了单桩动力荷载下的有限元-无限元(FEM-IEM)耦合模型,分析了竖向、水平及弯矩谐振作用下不同类型单桩在不同土性中的动力反应.计算结果证明,本文提出的耦合方法在计算效率和精度上具有优势.     

AlI,AlI_2分子的结构与从头计算

应用密度泛函B3P86方法,采用DGDZVP基组对AlI(X1∑+)进行了理论计算,得到它的微观几何结构,力学性质和光谱性质,结果表明AlI的平衡核间距为0.258 56 nm,基态离解能为4.006 eV,谐振频率为308.361 7 cm-1,并得到它的Murrell-Sorbie势能函数.应用密度泛函B3P86/3-21G,优化出AlI2(X2A1)分子稳定构型为C2v,其平衡核间距Re=0.258 88 nm,∠IAlI=122.432 5°、离解能为5.278 4 eV,同时计算出了力常数及谐振频率.在推断出AlI2的离解极限此基础上,应用多体展式理论方法,导出了AlI2基态分子的解析势能函数,该势能面准确地再现了AlI2(X2A1)分子的结构特征和能量变化.     

弱光测试用选频放大器

本文描述了为测弱光用的选频放大器,当f_0=85Hz,Δf=2Hz时,噪音2×10~(-7)伏,在室温条件下用此放大器可以测到10~(-12)流明的弱光。“弱光测试”要求一台噪音低、放大倍数高、通频带窄、稳定性和线性好的选频放大器。本文简述装调“弱光测试用选频放大器”的过程中所碰到的主要问题的分析及其解决的方法和措施。弱光测试用选频放大器的性能指标:放大倍数为2.17×10~5、噪音电平为2.0×10~(-7)伏、通频带宽为2周/秒、中心频率为85.6周/秒。