快中子发生器屏蔽的Monte－Carlo估计

本文介绍的是一个在微机上实现的计算快中子屏蔽的Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ程序．采用历次飞行法对结果进行统计估计，对中子发生器周围的屏蔽作了简单模拟，结果表明采用的物理模型是正确的．该程序改进后也可用于多次散射的计算，或模拟其他中子源的屏蔽，故有一定的实用价值．     

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究林茂清（原子核科学技术研究所）随着空间技术和核技术的发展，半导体器件的核加固已取得不少成果．在制造工艺中加固的晶体管抗辐射平均水平有了较大提高．然而，由于材料和工艺的复杂性，即使用同一材料同时加固的同批晶体管，...     

邮件辐照系统屏蔽的Monte Carlo计算

为评价电子束邮件辐照系统的屏蔽设计,采用Monte Carlo程序包EGSWIN系统以及MCNP4C,对屏蔽计算的方法进行了研究。针对深穿透问题,提出了等效算法。利用EGSWIN对电子束打铝板所产生韧致辐射的能谱、方向和强度进行计算,给出等效光子源。引入指数变换和权重窗的减方差技术,用MCNP4C对屏蔽结构进行了模拟,在较短的时间内以较高的精度得出结果。通过与经验公式计算以及实验结果的比较,验证了所采用方法的正确性。     

低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

电子束净化烟道气的Monte-Carlo模拟

该文利用MonteCarlo方法，采用PENELOPE（Penetration and Energy Loss of Positrons and Electrons）软件包，通过对电子束辐照烟道气物理过程的模拟，给出烟道气中的能量沉积分布，结果表明，二维Layer程序能用于气体的模拟，同时，也为加速器位置的设计提供了理论依据。     

沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响

报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.     

Monte Carlo模拟电子在球壳模型中的能量沉积分布

高能电子和物质相互作用是一个级联簇射（shower) 物理过程。空间飞行器防护系统就是利用这一原理,通过宇宙中的电子在飞行器中产生的shower电子,来了解其中半导体器件的有关信息。该文利用Monte Carlo,采用PENELOPE（Penetration and Energy Loss of Positrons and Electrons)软件包,对电子在飞行器中的运动过程进行模拟,给出球壳和半导体材料中的能量沉积分布,为空间飞行器的防护提供了理论依据。     

电子辐照灭菌中剂量深度分布的分析

为研制加速器电子束邮件灭菌安全系统,用MonteCarlo(MCNP)程序模拟计算了4.5MeV电子束辐照复印纸和聚苯乙烯时吸收剂量随深度的变化。计算分析了邮件灭菌中电子束的能量、入射角度、复印纸厚度及上下铝衬底材料等对辐照效果的影响。结果表明,受照物质中的吸收剂量呈先增后减的趋势;电子束能量越高,穿透深度越大,吸收剂量峰值变低;入射角度变化,穿透深度不变;衬底材料可提高受照物质上表面的吸收剂量。结果与实验符合,验证了模拟的可信性,也显示出MCNP计算的速度快、效率高、应用灵活等优点。     

新型3D合金屏蔽效能的MCNP模拟

用Monte Carlo程序(MCNP)模拟研究不同掺杂组分与不同掺杂质量分数合金对低能X射线谱的屏蔽效能. 模拟结果表明： 合金的屏蔽效能与掺杂组分原子序数呈正相关, 与掺杂质量分数呈正相关（ΔZ>0）或负相关（ΔZ<0）; ΔZ绝对值越大, 合金的屏蔽效能变化越大, 且变化幅度与掺杂质量分数呈正相关; TaW合金的屏蔽效能最好, 掺杂质量分数的变化对其屏蔽性能影响最小; 在低能能谱范围内, 不同能量X射线透射率的MCNP模拟结果与实验结果基本一致.     

BⅠ等电子序列离子基组态能量的相对论屏蔽理论计算

作者以相对论多体微扰理论为基础，提出了一种相对论屏蔽理论计算等电子序列离子基组态能量的方法．用该方法和作者设计的FORTRAN程序，对BⅠ(Z=5～60)等电子序列离子的基组态能量进行了理论计算研究，计算结果与已有的实验结果十分接近，表明该计算方法是可行的。     

基于Matlab GUI的《半导体器件物理》教学仿真平台开发

针对《半导体器件物理》课程物理概念多且难以理解、实验设备昂贵等问题,利用Matlab GUI开发了教学仿真系统软件。该系统包含了半导体物理和半导体器件中基本概念的典型物理模型,具有交互性强、界面友好、操作简单、图像动态性强等特点。该系统用于《半导体器件物理》的辅助教学,有助于加深学生对该课程内容的理解和掌握,激发学生的学习兴趣和提高课堂教学效果。     

一种基于四叉树的半导体三角网格生成方法

通过对半导体器件模拟中网格划分原理的分析，提出了一种基于四叉树结构的有限元三角网格生成方法，进行了面向对象的编程实现。结果表明，这种网格生成方法是行之有效的。     

VMJ器件的红外特性

垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改进方案.     

基于遗传算法的半导体器件模型参数提取

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。     

多结器件稳态模型的分歧解分析

本对多结半导体器件方程模型的分歧解进行了分析。首次引入了慢变化变量作为新参数，确定了ｐｎｐｎ器件模型出现分歧解的条件，证明了该模型多稳态的存在性，同时给出了ｐｎｐｎ器件作为晶闸管工作的一个必要条件。     

圆壳式半导体器件管壳温度分布的数值解及其应用

本文给出圆壳式半导体器件管壳温度分布稳态数值计算模型、计算方法及计算程序,按国家标准进行温度试验得到器件管壳温度分布的计算结果。     

盾构机刀盘与土体相互作用模拟分析

土压平衡盾构机的安全掘进施工主要依赖于盾构机刀盘与土体的相互作用,使得地表的变形得到有效控制。基于Rankine的土压力理论,研究了盾构机刀盘合理土压力的设置问题,模拟了盾构机刀盘与土体的相互作用。研究表明,仅从保证地表既不隆起又不沉陷的约束条件考虑,掘进工作面从主动土压力到被动土压力存在较大的范围。考虑到减少刀具磨损和节约能源问题,推荐理想的掘进工作面土压力为静止侧向土压力。     

抛放弹弹射机构优化设计

该文应用内弹道、气体动力学和优化设计理论建立了抛放弹弹射机构的优化设计模型。针对某一类型的弹射装置，应用复合形优化方法对影响悬挂物(导弹或炸弹)的弹射性能的若干参数进行了优化设计。计算实例表明，通过优化设计得出的设计变量参数，可以使悬挂物的最大弹射加速度明显减少。该优化设计模型为改进现有型号的气动力工作性能提供了有力工具。     

电子束在不同介质界面附近剂量跃变的蒙特卡罗模拟

在许多辐射剂量的应用中，都会涉及到如何精确地计算两种介质界面附近的剂量问题。作者用不同的多次散射模型，对多种介质界面附近的剂量跃变进行了蒙特卡罗模拟，并与相应的实验结果进行比较，研究了使用不同的多次散射模型对计算结果的影响。     

贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等