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通过对以SrTiO3为基瓷料配方和制造工艺的改进,得到了在-25℃~85℃的温度范围内,介电常数ε大于2200,介电常数的温度稳定性较好的瓷料. 相似文献
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本文研究了铋层化合物Bi2Mn-1RnO3n+3的组成与含量对BaTiO3基瓷料烧结和介电性能的影响.实验结果表明,铋层化合物对BaTiO3基瓷料的降温作用与其组成电负性差值及熔融温度有关,其含量为0.05(mol)的BaTiO3基瓷料的烧温约为1100℃左右.从微观结构分析可推断瓷料烧结过程为过渡液相烧结或典型液相烧结。这类结构的中温烧结瓷料具有较高的介电常数(1600~3000),低的介质损耗(60~200×10-4),小的电容温度变化率(-55~125℃,<15%)和优良的绝缘性能(ρv≥1010Ω.m)。 相似文献
3.
研制一种以SrTiO3-Bi2O3·nTiO2-CaTiO3为主晶相的V组线性电容器瓷料.以三、五族氧化物为改性剂,使容量温度特性线性化;加PbTiO3,使介电常数提高.其介电常数ε>310,电容温度系数αc=(-1500±250)×10-6/℃,其余各项电气、物理、机械性能均符合国际GB5596-85. 相似文献
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复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Dy-Nb、Ce-Nb氧化物复合掺杂对BaTiO3瓷温度特性的影响。结果表明,能使BaTiO3瓷的介电常数-温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因,进行了理论分析和讨论。 相似文献
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研究了不同含量的玻璃加入到细晶 Ba Ti O3及多层陶瓷电容器 (简称 ML C)资料系统中 ,其介电性能的变化 .结果表明 ,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度 ,系统的介电系数随温度变化平坦 ,改善了系统的热稳定性 .然而 ,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加 ,绝缘电阻的减小 .玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明 ,加入玻璃的量应控制在质量分数 5 .0 %左右 ,这样既能有效的降低系统的烧结温度 ,同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数 ,从而得到最佳的介电性能 . 相似文献
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玻璃——细晶BaTiO3 MLC瓷料的介电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了不同含量的玻璃加入到细晶BaTiO3及多层陶瓷电容器(简称MLC)资料系统中,其介电性能的变化。结果表明,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度,系统的介电系数随温度变化平坦,改善了系统的热稳定性。然而,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加,绝缘电阻的减小。玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明,加入玻璃的量应控制在质量分数5.0%左右,这样既能有效的降低系数的烧结温度。同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数,从而得到最佳的介电性能。 相似文献
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研究了Cr2O3,Li2CO3,WO3对于0.90(Sr0.54Pb0.26Ca0.20)TiO3-0.1Bi2O3*3.5TiO2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加Cr2O3对于该瓷料的ε-t曲线有压峰作用;而Li2CO3的掺加有提升ε-t峰作用,介电常数随着掺加量的增加而提高,损耗在45
℃以下随掺加量的增加而提高;WO3的添加也具有提峰作用,并且同时可以降低高温段ε的温度系数. 相似文献
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采用真空高频感应加热法制备SrTiO3晶界层电容器半导瓷,研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响.所制备的半导瓷经二次烧结成的SrTiO3BLC,其视在介电常数Keff>3×104,损耗角正切tanδ≈10-2,绝缘电阻率ρ>1010Ω·cm. 相似文献
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针对微波介质瓷料系统成瓷过程中介电损耗较大且成瓷温度较高的问题,采用湿化学法制备(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3粉体,并采用XRD、IR和TEM等分析方法进行表征.结果表明,800℃灼烧3h所得晶体为三方晶系,平均粒径为34nm.采用这种瓷粉在1060℃制得的瓷件,介电常数ε=508,介电损耗tanδ=4.6×10-4,温度系数αc=-440×10-6/℃,电阻率ρv>1012Ω·cm;当Nb∶Ta=0.7∶0.3,成瓷温度为950℃时,即可获得NPO温度特性.瓷件的介电性能优于固相法,且成瓷温度下降. 相似文献
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《华东理工大学学报(自然科学版)》2017,(3)
通过添加多元助剂降低85瓷的烧结温度,并探讨了TiO_2与CaO质量比的变化对85瓷致密化过程、结构及介电性能的影响。结果发现,添加多元助剂可以有效降低85瓷的烧结温度至1 350℃,适当调节TiO_2与CaO的质量比可进一步提高其致密度,当m(TiO_2)∶m(CaO)=0.5时,85瓷在相同温度下烧结的致密度最高。研究同时发现,通过调节TiO_2与CaO的质量比,85瓷的介电常数在8.0~8.8的区间内能可控地调节,其变化规律与密度变化趋势一致;另一方面,85瓷的Q×f值较低,且其变化与密度无关,可能与烧结助剂较多且其成份变化较复杂有关。 相似文献
12.
微波介质特性高温测量方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
简要介绍了目前温度高达1000℃以上的介质材料复介电常数测量技术的发展现状,分析了高温介质材料复介电常数测量中的关键技术,给出了多种材料复介电常数随温度变化的曲线。 相似文献
13.
采用真空高频感应加热法制备SrTiO3晶界层电容器半导瓷,研究了掺杂材料、参 、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响,所制备的半导 经二次烧结成的SrTiO3BLC其视在介电常数Keff〉3×10^4,损耗角正切tanδ≈10^-2,绝缘电阻率ρ〉10^10Ω.cm。 相似文献
14.
测定了铌锌酸铅基弛豫型铁电体PZN-BT-PT(83/10/7)在不同偏压条件下介电行为随温度的变化,通过介电常数导数与温度关系的研究,有效地分离出了弛豫型铁电体极性微区的偏压响应特征,得到了一系列特征温度,并发现介电常数与介电损耗的特征温度之间有着必然的内在联系. 相似文献
15.
采用二次烧结法制备SrTiO_3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1 440℃烧结2 h时达到最佳,介电常数为24 000,损耗在0. 02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中. 相似文献
16.
烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用不同的烧结温度(900~1300℃)制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了烧结温度对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理。烧结温度越高,Bi2O3挥发越严重,氧化锌压敏瓷的晶粒尺寸越大,电位梯度越低。研究结果表明,当烧结温度为1100℃时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1μA。 相似文献
17.
采用线变零起始电压法,对Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基陶瓷样品在-150-1760℃温度范围内的超慢介电驰豫进行了详细测试;并结构普适型驰豫函数进行了实验数据的有效拟合,实现了介电常数从时域向频域的傅利叶转换,从而得到该样品的超低频(10^5-10^-1Hz)介电频谱、温谱。 相似文献
18.
为了降低汽车铝质热交换器钎焊温度,防止高温软化,研究了一种钎焊温度比Al-Si钎料低的Zn-Al-Cu钎料.着重讨论了微量Cu含量对Zn-Al钎料熔点、强度、钎焊性能等的影响.研究结果表明,在Zn-Al系钎料中加入微量的Cu,对钎料熔点无影响,其熔点均在三元合金共晶温度373.5℃左右;微量Cu在Zn-Al系合金中形成以Zn为基的含有铝和铜的η相(富锌相)固溶体及含锌和铜的β相(富铝相)固溶体,提高了Zn-Al系钎料的强度、硬度,但使其延伸率降低.该合金完全能替代Al-Si系钎料用于汽车热交换器的钎焊,焊接温度可降低200℃左右,可以防止因炉温偏高造成铝质热交换器钎焊时的高温软化现象. 相似文献
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低温烧结PZT压电陶瓷的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现,在PZT陶瓷中添加少量低 熔玻璃(xB2O3-чBi2O3-zCdO)可使烧结温度从1250℃降低至960℃。其性能参数: Kp≥0.52~0.56,Qm≥1000,ε33T/ε0=800~1200, tgδ≤5×10-3.借助于扫描电镜 (SEM)、电子探针微区分析(EPMA)、X光光电子能谱分析(XPS)和体积烧缩速率的 测量,对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论,所研制的低温烧结瓷料 巳用于制备独石压电陶瓷变压器,其空载交流升压比可高达 9 000以上。 相似文献
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真空钎焊不锈钢接头重熔温度的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
陈建民 《石油大学学报(自然科学版)》1999,23(4):71-73
利用金相试验和差热分析方法,系统地系统了用镍基钎料钎焊1Gr18Ni9Ti时钎缝的重熔温度随钎焊工艺变化的规律。研究结果表明,熔化钎料与母材间的相互扩散是影响钎缝重熔温度的主要因素。当通过扩散使钎缝组织变成纯固溶体时,钎缝的重溶温度将大幅度提高。BNi-1a、NBi-2和BNi-5钎缝的重熔温度可分别提高到1235℃,1230℃和1397℃。NBi-7钎缝的重熔温度提高幅度较小,在试验条件下仅提高 相似文献