离子注入的~(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中的射程分布．将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒｅｘｐｐ与ＴＲＩＭ９０程序计算的Ｒｃａｌｐ值符合得很好，而ΔＲｐ的值符合较差，ΔＲｅｘｐｐ普遍大于ΔＲｃａｌｐ．上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

TS—1沸石合成过程中模板剂用量对钛进入骨架的影响

以ＴＰＡＢｒ为模板剂、ＮＨ３．Ｈ２Ｏ为碱源，水热条件下合成了ＴＳ－１沸石，采用ＸＲＤ、ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ、＾２９ＳｉＣＰＭＡＳＮＭＲ、＾２７ＡｌＣＭＡＳＮＭＲ、＾１３ＣＣＰＭＡＳＮＭＲ等表征手段详细研究了模板剂不同用量对钛进入骨架的影响。     

Si^＋和Ti^＋注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Ｓｉ＾＋（１００ｋｅＶ，５×１０＾１７ｃｍ＾－２）和Ｔｉ（１００ｋｅＶ，３×１０＾１７ｃｍ＾－２）注入Ｈ１３钢注入微观结构的变化，结果表明，离子注入后板条状马氏体完全消失，Ｓｉ＾＋注入导致注入层晶粒细化，而Ｔｉ注入导致注入层非晶化。     

双束注入的晶格应变

用双晶ｘ射线衍射仪测出了注入能量为１８０ｋｅＶ,不同注入剂量和不同退火温度的Ｎ＾＋＋Ａｓ＾＋双束离子注入的摇摆曲线。利用离子注入的多层模型,试探应变函数和ｘ射线衍射的运动学理论,借助于计算机,用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ－Ｍａｒｕａｒｄｔ最优化法拟合实验曲线,给出了不同剂 退火温度晶格应变随注入深度的变化。     

As^＋注入Si中的晶格应变

本文借助于双晶Ｘ射线衍射和椭圆偏光谱研究了注入能量为１６０ｋｅＶ,不同剂量６和不同退火温度（５００－７００℃）Ａｓ＾＋注入Ｓｉ的性质。用Ｘ射线衍射的动力学理论和多层模型拟 了双晶衍射的摇摆曲线,得到了晶格应变随深度的分布。     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．     

砷钼杂多阴离子薄膜修饰电极的电化学特性及？…

用电化学沉积法制备了Ａｓ－Ｍｏ杂多阴离子修电极，在０．３ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４溶液中及０．７０Ｖ～０．００Ｖ电位范围内，该电极具有三对可逆氧化还原表面波，它们分别对应于Ａｓ－Ｍｏ杂多阴离子中Ｍｏ的三个２电子氧化还原过程，这三对表面波分别对ＮＯ２＾－ＩＯ３＾－及ＡｓＭｏ１２Ｏ＾３４０离子具有电催化活性，文中给出了其催化机理及浓度响应范围。     

在WFW网络下的动态数据变换

本文介绍在ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＷＩＮＤＯＷＳＦＯＲＷＯＲＫＲＯＵＰＳ３．１（以下简称ＷＦＷ）网络环境下用ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＶＩＳＵＡＬＢＡＳＩＣ３．０（以下简称ＶＢ３．０）实现不同计算机之间动态数据交换的方法，并给出了主要程序     

SiC2分子电子光谱的ab initio研究

在ＭＲＳＤＣＩ／ＤＺ＋Ｐ水平上，计算了ＳｉＣ２分子７个电子态Ｘ＾１Ａ１，＾３Ｂ２，＾１Ｂ２，＾３Ｂ１，＾１Ｂ１，＾３Ａ２和１＾Ａ２的平衡构型和激发能。所得Ｘ＾１Ａ２和＾１Ｂ２态的平衡构型以及Ｘ＾１Ａ２→＾１Ｂ２的激发能和实验值符合很好。     

用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究

ＧａＡｓ中Ｓｉ的定量分析是典型的ＳＩＭＳ分析课题，有明确的应用背景。文中对影响ＳＩＭＳ定量分析的一些基本因素进行了实验研究，用Ｏ２＋源和Ｃｓ＋源对均匀掺硅和离子注入硅的ＧａＡｓ样品进行了定量分析，考察了实验的稳定性。     

C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜,ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０＾４Ωｃｍ,具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ Ｐ＾＋,ＢＢｒ３＾＋,Ａｒ＾＋和Ｈｅ＾＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０￣１０＾１６ｃｍ＾－２的离子注入,Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有ｎ型掺杂作用,离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂,引起薄膜     

计算加权Moore—Penrose逆AM^＋,N的一个改进的并 …

利用ＰＲＥＰＡＲＴＡＦＴ和ＳＡＲＷＡＴＥ Ｄ Ｖ＾〔６〕的一些结果,给出一个计算回权Ｍｏｏｒｅ－Ｐｅｎｒｏｓｅ逆ＡＮＭ＾＋的改进的并行算法,改善了文献〔８〕中提出的算法。在与ＰＲＥＰＡＲＴＡＦ Ｐ和ＳＡＲＷＡＴＥＤＶ文〔６〕中相同的假设下证明了改进的并行算法的时间复杂性和处理机台数分别为Ｔ＾－＝０（ｌｏｇｎ）＾２）,Ｐ＝ｍａｘ｛「ｍ／ｎ」＾２ｎ＾α／ｌｏｇｎ,２ｒ＾１／２ｎα／（ｌｏｇｒｌｏｇｎ）     

Si^＋／As^＋双离子注入SI—GaAs对注入层电激活均匀性改？…

研究了单（Ｓｉ＾＋）双（Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋）离子注入半绝缘砷化镓电激活的均匀性,结果表明,ＬＥＣＳｉ－ＧａＡｓ衬底中深电子陷阱能级均匀性分布好坏,对注入层电激活性有一定影响,当ＳＩ－ＧａＡｓ中碳含量小于５＊１０＾１５ｃｍ＾－３时,对注入层电激活影响不大,采用多重能量Ｓｉ＾＋注入,可改善栽流子纵向分布的均匀性,采用Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子注入可改善ＬＥＣ ＳＩ－ＧａＡｓ衬底中ＥＬ２横向不均匀分布对电     

Mg^2＋—ADP—钒酸根三元体系的核磁共振法研究

用＾５１ＶＮＭＲ滴定法研究在Ｍｇ＾２＋－ＡＤＰ－ＶＯ４＾３－三元体系中的物种分布，通过分析用Ｍｇ＾２＋一ＡＤＰ－钒酸根混合溶液时＾５１Ｖ核磁谱峰的变化，指出溶液中形成了Ｍｇ－Ｖ２Ａ２（Ｖ２Ａ２为两个钒酸根和两个ＡＤＰ分子形成的双核配合物的简写）和Ｍｇ－ＡＤＰＶ（ＡＤＰＶ代表一个四面体钒酸根单体与ＡＤＰ中的β－磷酸根缩合形成的酸酐），测得Ｍｇ－Ｖ２Ａ２及Ｍｇ－ＡＤＰＶ的形成常数分别是７２．５ｍｏｌ＾     

Keggin结构钼硅稀土杂多蓝的合成及性质研究

合成了钼硅稀土二电子、四电子杂多蓝ＬｎＨ３〔ＳｉＭｏ１０＾ＶＩＭｏ２＾ＶＯ４０〕·１２Ｈ２Ｏ和ＬｎＨ５〔ＳｉＭｏｇ＾ＶＩＭｏ４＾ＶＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ,其中Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,通过ＩＲ,ＵＶ,ＴＧ－ＤＴＡ,ＸＰＳ,ＥＳＲ磁化率等对杂多蓝进行表征。结果表明,杂多酸盐还原为杂多蓝后,结构上发生了轻微的畸变。     

ESTABLISHING AN ORGANIC CHEMISTRY MICROSCALE LABORATORY PROGRAM

ＥＳＴＡＢＬＩＳＨＩＮＧＡＮＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＳＴＲＹＭＩＣＲＯＳＣＡＬＥＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹＰＲＯＧＲＡＭ￥ＡｒｔｈｕｒＲ．Ｍｕｒｄｏｃｈ（ＭｏｕｎｔＵｎｉｏｎＣｏｌｌｅｇｅ，Ａｌｌｉａｎｃｅ，Ｏｈｉｏ，ＵＳＡ）（Ｖｉｓｉｔｉｎｇｐｒｏｆｅｓ...     

ATECHNIQUEOFTHETELEVISUALMICROSCOPICMEASUREMENT

ＡＴＥＣＨＮＩＱＵＥＯＦＴＨＥＴＥＬＥＶＩＳＵＡＬＭＩＣＲＯＳＣＯＰＩＣＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳｈａＺｈｅｎｓｈｕｎＸｕＨｕｉｐｉｎｇＸｉＭａｉＰｅｎｇＺｉｐｉｎｇＦｅｎｇＸｉａｏｎｉｎｇ（ＭｏｄｅｒｎＰｈｙｓｉｃｓＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＤｅｐｔ...     

掺杂NASICON型化合物结构的固体NMR研究

应用固体高分辨＾３１Ｐ和＾２９ＳｉＮＭＲ技术，以Ｐ原子和Ｓｉ原子作为结构探针，对以ＬｉＴｉ２Ｐ３Ｏ１２和Ｎｑ３Ｚｒ２Ｓｉ２ＰＯ１２为基质的几种掺杂固溶体快离子导体系统的晶体结构进行了系统的研究。并利用Ｐ原子第二配位层阳离子场强与其化学位移的关系，确定不同化学位移＾３１ＰＮＭＲ谱线和固溶体结构中以Ｐ原子为中心的局部结构单元Ω＾０之间的关系，从＾３１Ｐ和＾２９Ｓｉ化学位移的变化，解释了结构中Ｐ原子和Ｓ     

29～1100keV能区^59Co中子俘获截面的测量

在２．５ＭｅＶ静电加速器上，用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ反应作为中子源，用活化法相对于Ａｕ的中子俘获截面，测量了２９￣１１００ｋｅＶ能区＾５９Ｃｏ（ｎ，ｙ）＾６０Ｃｏ的反应截面，并将测量结果与现有数据作了比较。