降场层对SOI LDMOS击穿特性的影响

借助二维器件仿真软件MEDICI对double RESURF（双重降低表面电场）SOI LDMOS进行了深入研究,分析了降场层的浓度、长度、深度等参数的变化对器件击穿特性的影响.结果表明,无论是降场层浓度、长度还是深度,都存在优值,通过优化这些参数,击穿电压由单RESURF结构的222 V提高到double RESURF结构的236 V,而相应的漂移区浓度由6×1015 cm-3提高到9×1015 cm-3,减小了器件导通电阻.降场层的存在缓解了器件耐压与导通电阻的矛盾关系.     

SOI光波导传输机理及其损耗的研究

分析研究了ＳＯＩ光波导传输机理,并对其传输损耗进行了计算,加快ＳＯＩ光波导的实用化。     

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响

为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器...     

极不均匀场中振荡型雷电冲击电压下变压器油击穿特性研究

针对目前振荡型冲击电压和标准冲击电压的等效性研究尚不成熟的问题,采用100、300、400kHz的正极性振荡型雷电冲击电压(OLI)和标准雷电冲击电压(SLI)进行对比,以间距为5mm的针尖和球体作为电极,研究了极不均匀场中变压器油在振荡型雷电冲击电压下的击穿特性,记录了这3种频率的振荡型雷电冲击电压和标准雷电冲击电压的击穿波形,统计并分析了不同雷电冲击电压下的伏秒特性、起始击穿电压和最大击穿时延。结果表明:振荡型冲击电压下的变压器油击穿后会产生一定的振荡,需串接电阻抑制;标准雷电冲击电压的变压器油击穿点主要分布在波峰处,而振荡型雷电冲击电压的击穿点在每个振荡周期的峰值处都有分布;振荡型冲击电压的起始击穿电压随频率升高而上升,最大击穿时延随频率的升高而缩短,但比标准雷电冲击电压长。该研究为现场对变压器进行振荡型冲击耐压试验奠定了基础。     

铝背场以及铝浆成分作用机理

铝浆作为晶体硅电池背电极材料,主要由导电相、无机粘结相、添加剂、载体组成。这些组成部分都对铝浆的性能起到至关重要的影响。对各种组成成分的作用机理以及铝背场形成使用机理进行了综述。     

栅的散射场研究

针对无限长金属圆柱所组成的栅对声波散射形成的散射场问题,在理论分析的基础上,对列出的散射方程编制了计算程序,又以栅的近场散射场为例作了计算,得到了散射场的若干规律。     

晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

巨型功率晶体管场限环研究

通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.     

0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究

为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积。第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响。     

晶体硅太阳电池铝背场的研究

文章比较了两种不同铝浆在相同的烧结条件下,得出两种不同铝浆的烧结情况,通过电镜扫描分析了两种铝浆所含杂质元素及铝浆剖面情况,得出烧结平整性较好,颗粒较小与硅片接触较好以及不含其它杂质复合中心的铝背场,其电池的开路电压和长波光谱响应要好。该部分研究对工业化生产具有较大的参考价值。     

考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型

首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式.借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管的表面场势分布和击穿电压进行了研究,解析结果和仿真结果吻合较好,验证了模型的准确性.最后在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的广义RESURF判据.     

极薄煤层保护层工作面开采技术研究

本文通过事故案例提出极薄煤层保护层开采的必要性,然后从回采工艺、瓦斯治理、三机配套三个方面对极薄煤层保护层开采进行全面、系统的分析、研究。     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.     

单糖薄层层析实验的改进

单糖薄层层析是一个重要的生物化学实验,常规喷雾法显色得不到清晰的图谱。比较了几种单糖薄层层析显色方法,结果表明,将显色剂加入展层剂中,展层后烘干,能得到清晰的色谱斑点,且不同的单糖显示不同的颜色,无杂质干扰,重现性好。     

具有气敏涂层的GMF静态磁机耦合模型及实验研究

为实现超磁致伸缩薄膜(GMF)在微气体传感器领域的应用,需要研究其在气敏涂层条件下的磁致伸缩特性.以几何非线性弹性理论为基础,将磁致伸缩效应等效为GMF上体积力作用下的变形效应,建立了具有气敏涂层的悬臂梁式结构双层GMF低磁场下静态磁机耦合模型,解析了GMF悬臂梁末端的磁场与位移的数学关联.通过对双层薄膜TbDyFe/PI/SmFe和TbDyFe/Cu/SmFe进行试验,验证了磁场与位移数学关联的正确性.结果表明,曲线模型有较好的预测性,具有气敏涂层的GMF表现出更好的磁致伸缩效应.     

薄层扫描法测定酯型儿茶素的含量

目的研究不同种类盐类盐析和不同温度水平对茶多酚粗品中酯型儿茶素含量的影响。方法采用盐析的方法对茶多酚粗品液进行处理，薄层色谱扫描仪进行酯型儿茶素含量的测定。结果在较低的盐浓度下，适当增加盐的浓度（≤5％，质量分数）有利于酯型儿茶素含量的提高，降低茶多酚粗品溶液的温度（40℃）也有利于酯型儿茶素含量的提高。结论采用薄层色谱扫描的方法测定酯型儿茶素的含量具有较高的测量精度。     

棒状薄层色谱法在焦化蜡油族组成分析中的应用

建立了快速测定焦化蜡油族组成的薄层色谱／氢火焰（TLC／FID）检测法，使用2种展开剂可以将试样很好地分成饱和烃、芳烃、胶质和沥青质．以经典柱色谱法测得的数据为基准，考察了方法的准确度，2种方法的绝对偏差不大于3％．同时对方法的精密度进行了考察，相对标准偏差小于5％，方法简单快速，每分析10个样品仅需3h，为蜡油族组成分析提供了一个方便快速的方法．     

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究, 并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较, 分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示, PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势, 但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例, 这会对器件的寿命预测带来影响。 最后给出在PBTI应力条件下, 界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。