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2005年国际磁学会议(INTERMAG2005)于2005年4月3~8日在日本名古屋国际会议中心举行。会议由国际IEEE电气与电气工程协会磁学分会(The Magnetics Society of the Institute of Electrical and Electrical Engineering IEEE)和日本磁学协会(The Magnetics Society of the Japan)共同举办。投稿会议的摘要超过1500篇,有大约1000篇摘要被大会接收。 相似文献
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美国第14届晶体生长及外延会议2002年8月3-9日在西海岸城市西雅图(Seattle,WA)召开,由美国晶体生长协会负责组织。会议主席为Edith Bourret-courchesce和Ken Jackson;美、加、德、英、中、日、瑞士、韩国、新加坡等国250余人参加此次会议。 相似文献
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2002年国际数学家大会思考 总被引:1,自引:0,他引:1
李成岳 《中央民族大学学报(自然科学版)》2003,12(1):91-94
综述2002年国际数学家大会的盛况,分析了中国数学落后的原因,指出中国是一个潜在的数学大国,但目前仍未达到世界一流水平,中国的数学要实现发展和突破,还需借助“三味真火”。 相似文献
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2002年美国控制会议(American Control Conference)于2002年5月6~8日在美国阿拉斯加州安克雷奇市召开。 相似文献
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采用能量极小原理的微磁学方法对异类自旋组成混合Heisenberg自旋体系进行模拟计算,研究比较自由边界条件和周期边界条件下的二维铁磁/反铁磁无规混合系统的磁特性,发现在自由边界条件(FREE)和周期边界条件(PERIOD)下的二维无规混合磁性系统的M—H磁化曲线的阶梯效应中存在异同。通过二维Ising模型和自旋组态的研究,解释自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯效应差异的原因。 相似文献
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采用能量极小原理的微磁学方法对铁磁/反铁磁无规混合圆形磁性系统进行模拟计算,研究自由边界条件下该系统的磁特性.发现系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应,并解释了小自旋的反铁磁耦合是产生这一现象的根本原因,同时,解释了自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯数目增多的原因. 相似文献
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采用微磁学方法研究了磁层间反铁磁耦合强度对SyAF纳米体系磁特性的影响.当SyAF纳米体系上、下磁层间的反铁磁耦合强度不同时,SyAF纳米体系具有两种不同类型的磁滞回线.当磁层间反铁磁耦合强度较小时,体系的矫顽力随反铁磁耦合强度的增大而增大,反磁化机制为反磁化核的形成与传播的反转过程.而当磁层间反铁耦合强度较大时(0.2×10-3J.m-2),体系的矫顽力基本不随反铁磁耦合强度变化,并且在剩磁态为稳定的单畴结构,反磁化机制为类一致反转过程.这类SyAF纳米体系更适合于作为磁信息器件中自旋阀的自由层. 相似文献
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本书是2002年3月4~8日在印度举行的“表面和介面物理学国际会议”论文集。会议的内容包括:表面上的生长,多层膜、结构、电性和磁性,半导体异质结结构,量子器件,催化,由离子-固体相互作用产生的表面和界面变态,新技术。 相似文献
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以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性能的影响.比较模拟结果发现:当磁场垂直于盘的缺口方向时,获得的剩磁态均为磁通闭合磁畴结构,且此时剩磁和矫顽力都随缺口角度的增加呈增加趋势. 相似文献