CaO—SiO2熔渣键合结构的分子动力学研究

应用分子动力学计算机模拟方法研究了ＣａＯ－ＳｉＯ２溶渣中的键合结构，模拟结果表明偏径向分布函数ｇｉｊ（ｒ）的特征与Ｘ射线衍射的结果相一致，ＳｉＯｎ四面体中Ｑｎ随组分变化的规律与Ｒａｍａｎ光谱测得结果相吻合。分子动力学计算的振动态密度在６３６￣７３７ｃｍ＾－１和８００￣１２００ｃｍ＾－１处出现峰值，与Ｒａｍａｎ光谱的结果相一致。     

改进的共沉淀法制备Bi系超导体原始粉末及其化学计…

在研究水介质中草酸盐共沉淀法制备Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系多元粉末的化学计量性基础上，提出了一种改进的共沉淀法。特色在于共沉淀反应在一种表面张力比水小的有机溶剂和水的混合溶液质中进行。     

铊系超导体中铁掺杂诱导的氧缺陷研究

利用Ｈａｌｌ系数测量、热重分析和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等多种实验手段并结合有效价键模型计算，研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２（Ｃｕ１－ｘＦｅｘ）３Ｏ９＋ｙ超导体中由于铁掺杂所诱导的额外氧缺陷对载流子浓度和微结构的影响，在低浓度掺杂水平（ｘ＝０￣０．０５）上，铁掺杂样品的超导转变温度与载流子浓度有非常明显的对应关系，零电阻温度Ｔ∞随铁掺杂量线性降低，Ｈａｌｌ系数测量结果也     

电场对Al2O3／Cu摩擦磨损特性的影响及其机理研究

使用自制面接触往复式滑动摩擦磨损实验机，采用质量分数为１％硬脂酸锌水基乳化液作为润滑剂，研究了边界润滑状态下外加直流电场对Ａｌ２Ｏ３／Ｃｕ摩擦副在低速滑动时的摩擦系数和磨损量的影响。实验结果显示：正向电压的施加能够显著地改变摩擦副的摩擦系数，外加电压＋２０Ｖ可使摩擦系数增加约２００％，摩擦系数的改变与外加直流电压的通断是对应的，平均响应时间大约为１ｍｉｎ，初步分析结果表明：外加电场的存在改变了摩擦     

超塑性拉伸似粘性变参数流变方程

给出能精确表达Ｚｎ－Ａｌ２２％，Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ和Ａｌ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｃｒ比较典型的３处超塑性合金的ｌｇσ－ｌｅε关系的多项式，进而用ｍ（ε）和ｋ（ε）的解析表达式求得ｍ和ｋ均变数的似粘性流变方程，方程中包含了与ｍ－ｌｇε曲线相关的３个参数ｍｍ，ｍｋ和η，并且指出，ｍｍ，ｍｍ／ｍｋ越大，合金的超塑性越好，而且Ｂａｃｋｏｆｅｎ方程只是变参数本构方程的一个特例。     

微细光滑管内的气体流动阻力特性

采用短管重现长管中流动状态的方法,测量了内径为１０８．３μｍ的微细管内气体流动的沿程压力分布,并测定了５种内径微细圆管内气体流动的平均阻力特性。结果表明：Ｍａｃｈ数较大时,微细圆管内的压力分布偏离直线分布,管内气体流动的平均Ｆａｎｎｉｎｇ摩擦系－／Ｃｆ与Ｒｅ的剩余只大于不可压流动的理论值１６。微细管内气体流动阻力增加的物理机制为：可压缩性使得流动速度剖面变得饱满,壁面处的速度梯度增加,从而导致流动     

析取逻辑及析取逻辑程序的语义研究

在用不完全知识进行常识推理时，常用缺省方式推导结论，然而当缺省否定算子ｎｏｔ被定义成ｎｏｔ ｐｒｏｖｂｌｅ（不可证）时，析取逻辑程序（ａＶｂ，ｎｏｔ ａ，ｎｏｔ ｂ）应该是一致的，因为ａ不可证且ｂ不可证并不意味ａＶｂ不可证，虽然这是一个很重要的事实，但现有主要的析取逻辑程序语义理论却不能支持它。其主要原因是这些理论都基于传统的一阶谓词逻辑，其中否定ａ且否定ｂ将导致否定ａＶｂ，现提出一种支持上述事实     

C^＋离子注入改善C^＋注入多层TiN／Ti膜特性

用金属蒸发真空弧离子源（ＭＥＶＶＡ）引出的Ｃ＾＋注入多弧离子镀ＴｉＮ多层膜。Ｃ＾＋注入ＴｉＮ膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加，Ｘ射线分析（ＸＲＤ）表明，在注入的膜中ＴｉＣ相已经形成，退火前后ＴｉＮ（１１１）和ＴｉＣ（１１１）为优先生长相，Ａｕｇｅｒ分析表明在单层ＴｉＮ膜中碳原子按Ｇａｕｓｓ型分布，在多层ＴｉＮ／Ｔｉ膜中注入碳原子为多峰的分布。由此可见用Ｃ＾＋离子入形成Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）／ＴｉＮ／     

Cu在非晶合金Fe—Zr—B结晶过程中的作用

利用场离子显微镜－原子探针和透射电子显微镜研究了Ｃｕ在非晶合金Ｆｅ－７Ｚｒ－３Ｂ－１Ｃｕ初晶转变过程中的行为，结果表明，结晶前有富Ｃｕ的原子团簇形成，结晶过程中富Ｃｕ的原子团簇为α－Ｆｅ相提供形核位置，有效提高了α－Ｆｅ的形核密度。     

数字电路的开关级设计理论

在分析数字电路传统设计理论中存在问题的基础上，提出了应用开关变量与信号变量两者来分别描军数字电路中内部元件的开关状态及电路信号，并由此出发建立了开关－信号理论。根据ＣＭＯＳ电路的工作原理，发展了与之相关的开关级设计技术。     

高压微区流动与聚乙烯伸直链晶体束状成核模型

从分析聚乙烯伸直链晶体形成的动力学条件出发，结合乙基纤维素液晶能诱导聚合烯ＥＣＣ生成和高压结晶试样出现分层现象的流动痕迹的实验事实，得出了高压微压流动是ＥＣＣ形成的重要因素这一迄今未见报道的结论，为ＥＣＣ的束状成核模型找到了动力学基础和实验依据，根据晶核形成一消失是相互转化的随机过程这一特点，讨论了束状成核的生长速率Ｇ和表面成速率Ｊ的数学表达式。     

Fe—Mn—C合金中的C—Mn偏聚及其对相变和形变的影响

采用价电子结构理论计算，微观成分的实验测定和ＴＥＭ原位动态拉伸变形试验，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金中的Ｃ－Ｍｎ偏聚及其对相变和形变的影响。结果表明，Ｆｅ－８Ｍｎ－１．２Ｃ合金奥氏体中含Ｃ－Ｍｎ晶胞的ｎＡ值是不含Ｃ晶胞的３．９８倍，是含Ｃ晶胞的１．４０倍；含Ｃ－Ｍｎ晶胞的ｎ＾ＤＣ值是含Ｃ晶胞的２．２１倍，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金奥氏体中存在Ｃ－Ｍｎ原子的微观偏聚，并形成由－Ｃ－Ｍｎ－Ｃ－Ｍｎ－强键络相联结     

子午面内热层环流模型--热层暴时热力学状态及环流变化

介绍了子午面内热层环流模型（ＴＣＭＭＰ模型），并计算模拟了一次单独磁亚暴中极光椭圆带背日面的能量沉降引起的夜半球热层的变化，对计算机结果中热层暴时热力学状态及环流情形的介绍表明，ＴＣＭＭＰ能够系统地描述暴时中低纬热层中各种大、中尺度的变化，同时有力地支持了有关的电离层暴特别是负相暴产生机制的理论。     

AgCu合金的内氧化的微观结构与机制

研究了Ｃｕ含量（原子分数）分别为０．８％，３．３％，６．３％和９．５％的ＡｇＣｕ合金在７５０℃以及在８５０℃的内氧化。发现ＣｕＯ颗粒能在含有０．８％，３．３％和６．３％Ｃｕ的合金表面较均匀形核析出，而Ａｇ－９．５％Ｃｕ合金表面有ＣｕＯ颗粒簇集中析出的现象；并且，内氧化的形核与长大情况随Ｃｕ含量或氧化温度的变化而明显不同，氧化温度及Ｃｕ含量低时，ＣｕＯ的析出与长大规律符合Ｂｏｈｍ－Ｋａｈｌｗｅｉｔ经     

球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变

Ｘ射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α－ＳｉＣ向β－ＳｉＣ的转变。高分辨电子显微术证实α－ＳｉＣ中的６Ｈ－ＳｉＣ向β（３Ｃ）－ＳｉＣ的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的。其基本过程是不全位错的运动使６Ｈ的一个（３，３）堆垛向（４，２），（５，１）至（６，０）堆垛序过渡，形成６层３Ｃ－ＳｉＣ的｛１１１｝堆垛，相继进行这一过程即可完成６Ｈ－ＳｉＣ向３Ｃ－ＳｉＣ的     

Si过渡层Co／Cu／Co三明治膜巨磁电阻效应的影响

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜，研究了不同厚度的Ｓｉ过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响，发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到０．９ｎｍ时表现出明显的各向异性，而过渡层工小于０．９ｎｍ时基本上呈各向同性，巨磁电阻的各向异性可由三明治膜的平面内磁各向异性解释，在Ｓｉ过渡层和金属Ｃｏ层的界面处相互扩散形成具有（３０１）择优取向的Ｃｏ２Ｓｉ诱导了三明治膜的这     

（Cr,Fe）7C3中面缺陷的研究

揭示出１种钢和２种铸造合金的（Ｃｒ，Ｆｅ）７Ｃ３面缺陷特征，将电子衍射－矩阵分析同面缺陷迹线分析相结合，并利用基体胞和２个旋转胞所构成的复合倒空间，全面地确定了（Ｃｒ，Ｆｅ）７Ｃ３中（０１１）和（０１３）面缺陷，建立了（Ｃｒ，Ｆｅ）７Ｃ３的晶体学模型。     

Al2O3-SiC纳米复合陶瓷中的残余应力分析

用Ｘ射线衍射的方法测定了Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的残余应力，建立模型，计算了残余应力，并与实验测定结果吻合，探讨了纳米复合陶瓷的增韧补强机理。     

H2／O2可燃系统着火时间的极值和临界特性研究及应用

提出了P-T图上反映可爆平面着火时间分布特征的极小值L曲线、极大值H曲线和临界值C曲线，其与临界爆炸曲线一起，使得人们对P-T图上任一状态点能否爆炸以及爆炸过程实现的快慢能够获得全面了解．这3条曲线可以用1．2k1=ks[Ms]，（k11/k10＋1）k1=ks[Ms]和2k1=ks[Ms]来描述，从而为这些表达式赋予了物理解释，同时也为建立这3条曲线提供了新的途径．基于着火时间的等值线图，用热爆炸理论阐述了爆炸临界曲线具有“Z”字形．进一步，基于着火时间预测平板混合层超燃过程的点火距离，得到了合理的结果．     

主分量分析算法的收敛性

分析了基于随机样本（Ａｋ）的主分量分析算法的收敛性。与前人的工作相比，在较弱的条件下证明了算法ａ，ｓ，收敛到矩阵Ａ＝ＥＡｋ的特征向量和特征值。