基于MgO:PPLN的高功率2μm光参量振荡器

采用1m激光泵浦周期性极化掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器（MgO:PPLN OPO）,实现了高功率2m近红外激光输出.采用Nd:YVO4激光器产生的1m激光泵浦MgO:PPLN OPO,在泵浦功率为7.2W时,获得了5.3W的2m激光输出,转换效率为74％.为进一步获得更高功率的红外激光输出,泵浦源改用Nd:YAG激光器,并对其进行优化设计,提高了Nd:YAG激光器的输出功率和光束质量,用其泵浦MgO:PPLN OPO,在泵浦功率为25W时,获得了9.5W的2m激光输出.     

3~5 μm AgGaS2光参量振荡器的优化分析

研究调Q Nd∶YAG(1.064 μm)激光器泵浦的AgGaS₂光学参量振荡器. 根据三波互作用的相位匹配原理, 分析AgGaS₂光学参量振荡器的Ⅰ类相位匹配角、 角度调谐曲线和有效非线性系数等动力学参数. 计算在小信号近似下, 允许角随输出波长和晶体长度的变化规律, 并讨论允许角对相位失配系数的影响. 在允许的相位失配范围内, 研究晶体长度对转换效率的影响.      

高信息率LiNbO_3光调制器

从调制器的结构和稳定性、同步带宽、调制效率、消光比、插入损耗以及调制晶体尺寸等方面提出高信息速率铌酸锂(LiNbO_3)光调制器的设计。介绍了调制晶体的加工,调制器的装调工艺和性能测试。所研制的LiNbO_3组合调制器,通常其半波延迟电压为35伏(λ=6328A),消光比17dB以上,透过率大于38％,电容为30Pf,理论计算同步带宽约为700MHz,此外还消除了压电谐振。此调制器在光纤PCM可视电话通信联试中获得满意的结果。     

基于MgO:LiNbO3晶体的THz波参量振荡器理论设计

基于晶格振动模受激电磁耦子散射过程的基本原理,对由MgO:LiNbO3(LN)晶体组成的THz波参量振荡器(TPO)的频率调谐特性、增益和吸收特性以及角度匹配方式等方面进行理论研究和分析。研究结果表明,基于MgO:LiNbO3晶体1对称性晶格振动的特点以及优良的非线性光学特性,通过采取适当提高泵浦光功率密度、缩短TPO谐振腔腔长、优化设计晶体尺寸、晶体输出端切角耦合(Angled Surface Coupler,ASC)等方法,完全可以实现LN-TPO的高性能运转。     

1.5μm连续内腔单共振光学参量振荡器运转特性的实验研究

通过内腔单共振光学参量振荡器(SRO),获得了连续单频的1.5μm激光光源.实验采用PPLN晶体为非线性晶体,通过优化设计Nd:YVO4激光器的参数和SRO腔的参数,在LD泵浦功率为18W时,获得了300mW的连续单频1.5μm激光输出.实验与理论相结合,详细分析了SRO的运转特性,并提出了进一步优化SRO的方法.     

光参量振荡器调谐曲线的理论计算

本文导出了相位匹配的调谐方程,采用美国H-89小型计算机,使用Basic语言编制程序,对此方程进行了计算机解,重点计算了纯LiNbO_3晶体光参量振荡器的角度调谐曲线随温度的变化,并与实验作了比较,得出了一些有意义的结果。     

Ho3+:ZBLAN光纤中的3μm与2μm级联振荡辐射

利用美国Thorlabs公司生产的一种Ho3 :ZBLAN光纤,采用F-P腔型结构,在光纤长度为1.8 m时,获得了3μm和2μm波长的微弱级联振荡辐射。对于推动医用光纤激光领域的研究具有重要价值。     

CsLiB6Ol0晶体光参量振荡器的线宽分析

采用355nm脉冲激光作为泵浦源，对影响CsLiB6O10晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析．结果表明，泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大．     

CsLiB6O10晶体光参量振荡器的线宽分析

采用355nm脉冲激光作为泵浦源,对影响CsLiB_6O_(10)晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析.结果表明,泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大。     

LiNbO_3及LiTaO_3晶体的光折变性能研究

光折变效应是电光晶体的一种效应，ＬｉＮｂＯ３及ＬｉＴａＯ３晶体的光折变效应对于该材料的应用具有重要意义，本文从理论和实验两方面研究ＬｉＮｂＯ３及ＬｉＴａＯ３晶体的光析变效应特性，理论分析与实验结果吻合得很好。     

近简并区内倍频YAG激光泵浦KTP光参量振荡器的位相匹配

从理论上研究了近简并区内倍频YAG激光（532nm)泵浦KTP晶体光参量振荡器位相匹配的实现，得到了这个区域内在KTP晶体中Ⅱ（A）类和（B）类相互作用的条件，同时计算了II（B）类相互作用的参量调谐范围，走离角和有效非线性系数。     

产生1．3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统

分析了半导体激光器（ＬＤ）增益开关的理论特性。直接调制１．３μｍ国产双异质结ＩｎＧａＡｓ激光器得到重复频率为１．１ＧＨｚ，脉宽为２５～５０ｐｓ的超短光脉冲。     

基于PPLT晶体的瓦级中红外光参量振荡器研究

采用脉冲电场畴反转技术制备了长40mm、厚1mm、周期为28.6μm的钽酸锂超晶格（PPLT）晶体。利用工作波长在1.064μm的Nd：YAG激光器作为抽运光源,未镀膜的PPLT晶体作为非线性工作介质,实现了一台输出信号光波长在1.48gm、闲频光波长在3.8gm的光参量振荡器.在抽运功率为20w,调Q频率为5.1KHz时得到3W的信号光功率输出,中红外光功率大于1.2W,波长调谐范围超过200nm。进一步优化光参量振荡器元件参数,红外激光输出功率还能有较大提高。     

在LicL控制下LiNbO_3:Fe平面光波导的制做

本文介绍了在LiCl 添加剂控制下,y切、掺铁铌酸锂(LiNbo_3:Fe)晶体平面光波导的制做方法。实验观察与测量结果表明光波导中光致折射效应十分显著。     

MgO掺杂KTaO_3陶瓷及其低温介电性质的研究

陶瓷烧结的关键问题,是原子的扩散和迁移,适当的掺杂物在陶瓷烧结过程中能促进缺陷的形成.本文报导以MgO为矿化剂掺杂KTaO_3陶瓷的研究结果.用常规的烧结方法获得了良好的晶粒生长及微结构.在4.2—540K的温度范围内测量了介电系数及介电损耗,发现了一些不同于纯KTaO_3陶瓷的结果.     

射频功率对MgO掺杂镓锌氧化物薄膜性能的影响（英文）

采用磁控溅射技术制备了MgO掺杂镓锌氧化物薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、电阻率、载流子浓度和Hall迁移率测试分析,研究了射频功率对薄膜样品微观结构和电学特性的影响.实验结果表明,所有样品均为六角纤锌矿结构并具有明显的c轴择优取向生长特点,其微观结构和电学特性与射频功率密切相关.当射频功率为125 W时,所制备薄膜的晶粒尺寸最大为52.1 nm、张应力最小为0.082 GPa、电阻率最低为1.54×10~(-3)Ω·cm、载流子浓度最大为5.26×10~(20)cm~(-3)、Hall迁移率最高为7.41 cm~2·V~(-1)·s~(-1),具有最优的结晶性质和电学性能.     

秩2情形mλ（μ）的确定

计算李型有限群的Ｃａｒｔａｎ不变量（见文献「１」）时，必须对Ｗｅｙｌ模的张量积Ｖ（λ）Ｖ（λ）进行ｗｅｙｌ，而分解的关键问题是要确定ｍλ（μ），即Ｗｅｙｌ模Ｖ（λ）内μ的重数。本文将对秩２情形（Ａ２型，Ｂ２型，Ｇ２型）确定ｍλ（μ）。     

基于0.5μm CMOS工艺的高速运放

设计了高单位增益带宽积、大摆率、宽输出摆幅的运算放大器,该运算放采用了两级全差动结构.设计采用增加1个前馈放大级电路,以此产生1个左半平面零点并与第一个次极点相抵消的频率补偿方案,达到了环路稳定的要求.另外,提出一种新颖的共模反馈(CMFB)方案,使共模抑制比达到62dB,电路采用CSMC公司的0.5μm CMOS数模混合信号工艺设计并经过流片.测试结果表明,在单电源3.3 V电压下,运放的直流增益为65.5 dB,单位增益带宽积达350 MHz以及±2.7 V的输出摆幅.     

基于0.6μm CMOS复接器的设计

复接器是光纤通信系统的重要组成部分。文章采用CSMC-HJ0.6μmCMOS工艺设计,工作速率为622Mb/s的4∶1复接器。为了适应高速电路设计的需要,采用源级耦合场效应管逻辑(SCFL)电路形式和树型结构,分析和设计了复接器的系统结构和单元电路,并用SmartSpice进行了仿真。仿真结果表明,电路的工作速率可以达到622Mb/s,且其它各项指标均可达到要求。     

CsLiB6O10晶体光参量振荡器的线宽分析

采用355 nm脉冲激光作为泵浦源,对影响CsLiB6O10晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析.结果表明,泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大.