多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射／沟道、溅射剥层／背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜。由2MeV^4He^ 离子背散射／沟道分析，确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性；用低能Ar^ 离子溅射剥层，减薄样品外延层厚度后，再做背散射分析，可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息；二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构。     

LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注氧层和表面硅层的厚度,并且还对注量进行了校正.     

强束流脉冲Ta离子注入H13钢的背散射分析

利用从金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流Ta离子,进行Ta离子注入钢的材料改性研究。研究结果表明,在离子注入剂量为5×1017cm-2,平均束流密度为40μA·cm-2,加速电压为42kV下,Ta离子注入能在钢表面形成厚达80nm的合金层。借助卢瑟福背散射(RBS),我们发现表面合金层中Ta的原子百分浓度在15%以上。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

固体乏燃料表面的卢瑟福背散射模拟研究

为了研究固体乏燃料表面核素的种类、含量以及厚度对卢瑟福背散射能谱的影响,通过SIMNRA软件模拟背散射能谱,研究了I、Pm、U等典型核素及核素含量、靶材厚度对背散射能谱的影响.结果表明,不同核素对应不同的能量峰,核素的元素质量数越大,背散射能量越大;核素含量越高,相应的能谱高度(峰面积)越大.此外,能谱的半高宽度与靶材的厚度存在线性关系,能谱的半高宽度正比于靶材的厚度越厚.     

电子背散射衍射分析技术——一种新型的晶体材料研究方法

介绍了一种新型的晶体材料研究方法——电子背散射衍射分析技术.简介了电子背散射衍射分析的发展,阐明了电子背散射衍射产生的机制和电子背散射衍射分析的基本原理。说明了电子背散射衍射分析系统的性能特点,概述了电子背散射衍射分析的应用.     

稀土Yb~＋注入硅单晶所产生非晶层的快速热退火固相外延结晶研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了３５０ｋｅｖＹｂ＋注入Ｓｉ（１００）所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表明，在８００℃－１０００℃的快速热退火温度下，在Ｙｂ＋射程范围以外的非晶层很容易固相外延结晶；但在同样退火温度下，在Ｙｂ＋射程分布范围内非晶层的团相外延结晶则非常缓慢．只有在退火温度高于１２００℃时，整个表面非晶层才完全消失．射程末端附近的复杂缺陷和缺陷杂质复合体是导致这两个不同结晶区域的主要原因．     

含蜡原油的超声背散射

在实验条件下对一种含蜡原油的声背散射进行了测量，用小波变换技术降低信号噪声，提高了信噪比。声背散射现象的出现是原油中蜡晶析出的直接标志，用声背散射信号反蜡晶析出是合适的。     

静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析

首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ⅰ－Ⅴ特性给出了物理考察和解释,然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上,用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势,得到了马鞍状的势分布,而而研究了沟道势垒随偏压的变化。     

C＋注入Si的晶格畸变

本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况     

N+2注入Si的折射率谱和弛豫时间

用TPP－1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50keV，不同注入剂量的N2 ^ 注入Si的折射率谱。计算了单晶硅电极化的弛豫时间，并对上述结果进行了初步地讨论。     

■注入Si 的晶格应变与扩展电阻

本文用全自动化x射线衍射仪给出了As~+注入Si的x射线衍射峰分布。用Levenberg-Marguarat法模拟实验曲线,根据x射线衍射的运动学理论,在试探应变函数和多层模型的基础上,通过自编程序计算给出了As~+注入Si后晶格变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化。同时,测量了As~+注入Si后在不同温度下的扩展电阻,将扩展电阻换算成电阻率。结果表明,离子注入引起晶体微观结构的变化——晶格应变与晶体宏观电学性质——电阻率的变化基本上一致。     

氦离子行为与钨中相关缺陷演化的研究

本文通过离子注入向钨体中注入100keV氦离子,并使用慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同注量的氦在钨体内的行为以及氦相关缺陷的演化.实验结果表明:在不同的氦注量条件下,样品的S-W参数呈相同线性分布显示氦离子的注入会引入同一类型的空位型缺陷,并且随着氦离子注量增加,S参数的增大表明引入空位型缺陷浓度的逐渐增加.通过与其他未退火样品对比发现样品退火后的S参数出现明显改变,该结果表明相对于其他影响因素如注量,钨中空位型缺陷更容易受热效应的影响.     

退火对Ti离子注入LiNbO3光波导的影响

以高质量的LiNbO3晶体为衬底,采用离子注入技术制备出低损耗的LiNbO3光波导。测试了其背散射谱,并对相应的结果做了分析,为解决光波导的横向扩散问题提供了一条可行途径。     

在不同靶温条件下氦离子注入InGaAsP化合物半导体形成高阻层的研究

本文研究了在不同靶温条件下，Ｈｅ＋离子注入Ｎ型（ｎ＝１×１０１８ｃｍ－３）ＩｎＧａＡｓＰ形成的高阻层。结果表明，注入区的表面电阻和注入剂量，注入后的退火条件及注入靶温有关。在高剂量区（＞１×１０１４ｃｍ－２），低靶温（８０Ｋ）高靶温（５２３Ｋ）下注入的样品比室温（３００Ｋ）下注入的样品，具有较高的表面电阻和温度稳定性。卢瑟福背散射（ＲＢＳ）沟道测量的结果表明，这一高阻层和注入形成的非晶层有密切关系。     

N~ 注入参数对 40Cr 钢和 GCr15 钢显微硬度影响的研究

通过正交试验，研究了Ｎ＋注入参数对４０Ｃｒ钢和ＧＣｒ１５钢表面显微硬度的影响。结果表明离子注入使４０Ｃｒ钢和ＧＣｒ１５钢表面硬度得到了提高，且存在一个最佳注入剂量为４×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２。     

离子注入聚醚砜（PES）膜的介电频谱与红外光谱分析

用15keVAr^ 和N^ 注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于0．062，没有松驰特性，是制作布线的理想材料。红外光谱表明，离子注入引起PES膜结构变化。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

高压加速辉光放电离子阵鞘层离子轰击靶阴极的蒙特卡罗模拟

用蒙特卡罗方法模拟计算了辉光放电中脉冲加速离子阵鞘层Ｎ＋１，Ｎ＋２离子到达靶阴极表面的能量分布和入射角分布。研究了靶室不同气压和不同温度下能量分布和入射角分布的变化