一种新型高速高分辨率采样保持电路

提出了一种新型的基于运算放大器的开关电容采样保持电路结构.采用速度补偿解决了高速高分辨采样保持电路对放大器要求增益高和速度快之间的矛盾.具体设计了采样保持电路,特别设计了其中的快速时间连续电压比较器.用Chart 0.35μm CMOS工艺,进行HSPICE仿真,结果表明,本文设计的采样保持电路的分辨率为10位,采样速率高于70 MHz/s.     

一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器

基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.     

一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计

在分析各种比较器设计失调消除技术基础上,提出了一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计技术和失调消除技术.该比较器由主动复位和被动箝位的预放大器和输出锁存器构成,具有失调自动校准功能.仿真结果表明,在Chartered 0.35 μm COMS工艺下,电源电压3.3 V,调整后的比较器失调误差为56.8 μV,比较器的精度0.1mV,比较速率100 MHz.     

一种改进的内置和式基准电流源的设计

设计了一种自偏置、共源共栅(cascode)结构的CMOS和式带隙基准电流源电路,用Chart 0.35μm 5 V电压CMOS工艺参数进行了Hspice仿真,结果表明,在-40~85℃温度范围内温度系数为15.2×10-6/℃,电源电压抑制比为-51.8 dB.     

负反馈放大电路的理论计算与仿真

文章利用MATLAB软件编程,对设计的由运算放大器构建的电流串联负反馈放大电路采用方框图分析法进行理论计算．结果表明：闭环增益与开环增益满足基本关系式;引入负反馈后稳定性得以提高,输出电阻增大;同时使用EWB对开环与闭环增益也进行了仿真分析,结果与理论计算一致,从而定量地验证了负反馈放大电路中的结论与关系．     

低失真与高速采样保持电路的设计

设计了一种低失真、高速的开关电容采样保持电路,采用了新型的bootstrapped开关来降低由于开关引入的非线性,并提出了减小放大器的建立时间以减小运算放大器引入的非线性的方法.仿真结果表明在采样速度为40 MHz时,该电路可以得到大于70 dB的线性.     

基于ADXRS6XX陀螺仪高速数据采集系统的研究与设计

针对由多通道运算放大器配置适当电阻网络的方法实现传统的单端/差分转换电路，这种电路存在输出信号不是全差分信号且不具有严格的反相性和同时性、会降低差分式 AD 采样精度等缺点。设计一个来自ADXRS622陀螺仪传感器的单端信号，经抗混叠滤波和 THS4531全差分驱动器调理后，由差分式 AD 转换器ADS8317和DSP完成的数据采集。实验结果表明所设计的调理电路方案可行，确保系统的精度，提高ADC性能。     

影响直流分布式电源系统稳定性的主要因素

在直流分布式电源中，系统稳定性能通过阻抗比Zo/Zi的奈氏曲线来判断，输入输出阻抗决定了系统稳定性．讨论了决定源或负载模块输入输出阻抗的主要因素，如控制回路增益、输入输出滤波等；提出了源模块电压控制环的设计准则，能防止截止频率财近出现的高输出阻抗问题．并定量分析了在不同频率段输入滤波电路对负载子系统的输入阻抗所起的主导作用．     

ADC0809在瓦斯检测监控控制系统中的应用

在单片机应用系统中,常需要将检测到的连续变化的模拟量如电压、温度、压力等转换成数字量,才能输入单片机中进行处理.本文中,笔者以ADC0809在瓦斯检测监控控制系统中的应用为例,介绍了并行A/D转换器ADC0809及其接口电路的应用.     

单片机在数据采集系统中的应用

一、引言 在数据采集系统中,对一个变化范围较大的信号或对多个输入范围差异较大的信号合用一个运算放大器进行放大时,如果采用增益固定的放大器,当信号较小时,测量精度较低。若采用高精度的Ａ／Ｄ转换器,由于其价格昂贵,势必造成硬件电路投资大。本文利用增益可调整的测量放大器与内部带有Ａ／Ｄ转换器的东芝单片机ＴＭＰ８７Ｃ８４６Ｎ组成一种经济实用的数据采集系统。 二、数据采集系统的硬件电路设计 数据采集系统的硬件电路如下图所示。 １．软件可编程放大器ＡＤ５２６。 ＡＤ５２６是一种可通过软件设置放大倍数的专用放大器…     

一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC

介绍一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC.该电路的核心由采用rail-to-rail输入的比较器和R-2R网络结构的DAC组成.针对可测性设计的要求,电路结构简单紧凑,功耗低,芯片面积小.同时也提出,基于该ADC的一种适合于蓝牙射频电路的测试方法,通过该方法可以较好地对蓝牙射频电路的功能和性能进行监控和测试.芯片采用TSMC的0.35μm标准CMOS工艺制造,面积仅为0.15mm2.测试结果显示,在3.3V工作电压下,分辨率可达7位,且在高频工作环境下表现出很好的抗干扰特性.     

光谱连续的脉冲真空紫外(VUV)辐射源研究

报道了一种光谱连续的真空紫外辐射源的设计和特性研究。为提高其辐射强度,辐射源设计在高气压、短脉冲状态工作。实验测得当充氢0.2~0.9MPa、极距0.4~0.8mm时,辐射源击穿电压为4~10kV,脉冲宽度1.2~2.2×10^-7s.与充氢压强、极间距有关,用Meek的击穿判据,理论计算了击穿电压,用放电通道膨胀理论,计算了放电脉冲宽度,发现两者都与实验基本相符。真空紫外辐射源的轴向光谱辐亮度,用一事先标定好的真空紫外光谱探测系统测量,其连续光谱辐射主要在140~160nm和175~200nm两个区间,来源于氢分子辐射,其最大积分轴向辐亮度可达11mW/Sr·cm²。     

基于以太网的智能金属管浮子流量计

根据磁阻传感器的角位移测量原理,提出智能金属管浮子流量计的设计方案。该方案采用低功耗MCU和高精度ADC实现对流量的数字化采集和智能控制,应用LMBP算法实现高精度的静态特征曲线拟合;通过裁减TCP/IP协议,在以太网上实现了流量计与用户的数据通信。实际运行表明,设计的流量计系统运行稳定可靠。     

硅片直接键合机理研究

提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200-400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1-3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm²/V·sec及320cm²/V·sec.     

提高ADC动态范围的研究

在一定的转换精度要求下,对大动态模拟信号进行转换,要求A/D的分辨率要高,这在实际应用中是不经济的。本文就这一问题提出了相应的解决方法,引入了对数放大器,根据其输入与输出之间的对数关系,将对数放大器和A/D转换器组合,可在不增加A/D位数的情况下处理大动态输入信号,有效地提高了ADC的动态范围。     

基于LS-SVM的温度传感器非线性关系拟合及参考端温度补偿

文章编号: 提出一种基于最小二乘支持向量机(LS-SVM)的温度传感器非线性关系拟合模型,并根据温度传感器的输入 输出特性给出两种方案对参考端温度进行补偿. 建立了LS-SVM回归模型,利用LS-SVM超强的学习能力对温度与电势 间的非线性关系进行精确拟合. 两种方案均可对参考端温度进行有效补偿,其中方案2 可根据参考端温度、传感器实测 电势对实际温度直接拟合,简化了补偿过程,提高了识别精度. 实验表明,LS-SVM回归法及文中所提出的补偿方案能很 好地逼近实际温度,提高测量精度.     

MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25μm CMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于10%.     

高性能2．5Gbps PCI Express并串转换电路的设计

并串转换电路作为PCI Express物理层（PHY）发送端的重要模块之一，将来自PCS（Physical coding sublayer）子层的10bit并行数据转换成1bit串行数据．该文提出并实现了一种高性能并串转换电路，采用0．18μm工艺版图实现，反标寄生参数后使用spice进行仿真，仿真结果证明该电路可在1．0GHz～1．5GHz稳定工作，其最高数据传输速度达到3Gbps，完全达到了预期效果．