部分空间非相干光光生伏打暗空间孤子及其定向耦合器

对部分空间非相干光光生伏打暗空间孤子进行了实验研究.在光折变晶体L iN bO3:F e中,分别观察到由相位掩模和振幅掩模产生的部分空间非相干光光生伏打暗空间孤子及其感应波导,并且由两个部分空间非相干光光生伏打暗空间孤子感应的波导制成定向耦合器,研究了耦合效率与空间孤子之间距离的关系.     

二维金属波导阵列的亚波长自聚焦效应

利用时域有限差分（FDTD）方法对不同入射波长和不同结构参量的Ag波导阵列自聚焦现象进行了数值分析.分析表明：焦点位置与光源到Ag波导阵列的距离s,Ag波导阵列入射面形状以及入射波长有关.随着光源到Ag波导阵列距离s的增大,焦点位置逐渐变远;随着入射面凹陷步长b减小,焦点位置逐渐变远;随着入射面凹陷深度d的增大,焦点位置逐渐变远.入射面的形状可以较大程度影响焦点位置以及焦点处的光强.当Ag波导阵列的结构一定时,自聚焦的焦点位置均与入射波长成线性关系.结果表明,可以通过适当地调节参数得到理想的焦点位置.     

非相干-相干光学转换新方法

报导了一种新的非相干 -相干光学转换方法 ,该方法是基于对介质中光致各向异性的局部擦除 样品放置在两个相互正交的偏振片之间 ,用线偏振的泵浦光在样品中产生稳定的双折射 ,然后通过入射非相干图象光进行局部擦除 ,相干图象由一束He -Ne激光读出 所得相干图象为输入非相干图象的负片 利用偶氮侧链液晶聚合物薄膜样品实现了图象的非相干 -相干光学转换     

阵列波导光栅的色散特性研究

从N×N波分复用器阵列波导光栅的光栅方程出发,讨论了阵列波导光栅的色散原理,并进行了理论推导,得到了信道间隔△f、自由光谱范围和频率响应函数;其光谱响应曲线表明,阵列波导的频响等效为一高斯带通滤波器.讨论得到的相关结果与有关实验结论一致.     

C波段阵列波导光栅的实验研究

对阵列波导光栅型波分复用器/解复用器进行了实验研究,得到其高斯型(40ch×100GHz)和平坦型(32ch×50GHz)的传输谱线图以及主要性能参数的实验结果.     

非相干—相干光学转换新方法

报导了一种新的非相干一相干光学转换方法,该方法是基于对介质中光致各向异性的局部擦除,样品放置在两个相互正交的偏振之间,用线偏振的泵光在样品中产生稳定的双折射,然后通过入射非相干图象光进行局部擦除,相干图偈由一束He-Ne激光读出,所得相干图像为输入非相干图象的负片,利用偶氮侧链液晶聚合物薄膜样品实现了图像的非相干－相干光学转换。     

阵列波导光栅薄膜的制备及性能

以一种特定成分的有机硅为原料，采用溶胶-凝胶法，在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜．通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性，满足光波导器件的要求．分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法．利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅．     

阵列波导光栅复用器的研究进展

文章介绍了阵列波导光栅的构成,讨论了阵列波导光栅作波分复用的工作原理及构成波长路由器,光上路／下路器和光分路器的有关特性,介绍了该器件目前国际最新研究进展。     

光子晶体波导中的慢光研究

利用平面波展开法研究了二维光子晶体线缺陷波导中慢光的传输特性.本文探讨了缺陷波导中缺陷处椭圆形介质柱长短轴的变化对缺陷模式所产生的影响.分析表明,调节缺陷处椭圆形介质柱长短轴的尺寸能得到平坦的导模色散曲线图.可得到的群速度最大值低于0.072c,带边群速度最小值仅为0.002c,慢光模式为单模式,对光的局域更强,而且设计简单的慢光波导结构.     

金纳米粒子二维有序阵列的构筑和电化学性质

在水溶液中用柠檬酸钾还原氯金酸的方法合成了粒径为30～40nm的金纳米粒子,并用透射电镜和紫外可见光谱进行了表征;然后在表面经PVP修饰的导电玻璃上以自组装的方式构筑了金纳米粒子的二维有序阵列,并用扫描电镜和紫外可见光谱进行了表征;以所制备的金纳米粒子二维有序阵列作为电极,对硝基苯酚的电化学响应得到明显提高,金纳米有序阵列电极有望成为检测废水中对硝基苯酚的电化学传感器.     

对于纳米波导阵列传播性质的理论分析

给出了考虑近邻耦合和次近邻耦合下的二维纳米波导阵列的波耦合方程,并且对三波导模型与四波导模型进行了数值的分析.结论表明,在三波导与四波导模型中,方程的本征值之比为负整数,电磁波在波导中的传播可以通过选择不同的耦合系数进行调节.     

高密度有序银纳米球阵列的模板辅助退火制备

纳米结构的有序性对表面拉曼增强光谱（SERS）的均匀性起决定性作用,然而如何大面积制备有序的超高密度贵金属纳米结构依旧是个挑战. 文中提出了一种通过模板辅助退火方法,用于大面积制备结构可控、高密度有序的银纳米球阵列,研究了退火温度、压强和银膜厚度对银纳米球阵列形貌结构的影响. 制备的高密度有序银纳米球阵列可以进一步应用于SRES基底.     

采用质心波长表征GaN基白光LED阵列的平均结温

结温是影响LED性能的重要参数,快速、准确地测量LED结温对LED产品设计、性能检测具有重要的意义。在不同驱动电流下,测量了GaN基白光LED阵列不同衬底温度时的归一化光谱分布,计算其质心波长,分析了质心波长随LED阵列平均结温变化关系,测量了LED阵列结温,并与中心波长法的测量结果进行对比。研究结果表明:经光谱仪测量,质心波长与平均结温变化存在良好的线性关系,且随着驱动电流的改变,直线斜率呈指数关系变化。与中心波长法相比,本方法的测量准确度更高。因此,采用质心波长测量GaN基白光LED阵列结温是一种直观的非接触的有效方法。     

大型毫米波波导缝隙天线阵设计方法研究

为了减少大型波导缝隙天线阵的设计的复杂计算,该文在Elliott设计理论基础上,提出一种新的大型波导缝隙天线阵设计方法。该方法利用传输线理论构造负载阻抗近似表达式,并使用数值迭代法直接计算缝隙的归一化导纳,从而实现辐射缝隙的设计;耦合馈电网络则采用电磁场仿真优化获得。整个设计过程具有计算量小、快速实用的优点。最后,研制了一个工作频带为35.3~39.5 GHz的32×16波导缝隙阵列,测试工作带宽达到了10.6%,H面和E面方向图的3 dB波束分别为4.2°和2.2°。     

快速实现二维DFT的处理器阵列

本文给出了实现二维离散付里叶变换（２ＤＤＦＴ）的两种新阵列，两种结构方案都适用于ＶＬＳＩ技术，可用于多维高速输入输出处理器和ＦＦＴ的结构中。它的优点是减少了处理器元素（ＰＥ＿ｓ）之间的数据交换，并省去了通常所要的矩阵变换操作。     

氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列

对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析．实验结果表明,衬底材料不同时,制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作面阵微透镜阵列的离子束刻蚀速率与离子束能量之间相互关系的实测结果．