用蒸发法制备NEA光电阴极初探

用蒸发法制备负电子亲和势(NEA)光电阴极,探讨了两个可能性:(一)改进现有多碱阴极的工艺规范,制备负电子亲和势光电阴极。(二)用蒸发法制备Ⅲ—Ⅴ族负电子亲和势光电阴极。     

多碱光电阴极单色光电流测试技术研究

多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素,介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电流,测得的曲线有助于分析和指导工艺,从中还可得到光电子逸出深度的信息。该文给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。     

多碱光电阴极光电信息测试结果与分析

该文根据多碱光是阴极光学信息和光电流监控原理，给出了理论模型，研制了测试仪器，例举了测量结果，并对此作了简单分析，理论的多碱光电阴极光学反射率Ｒ（ｄ）和实测的Ｒ（ｄ）比较可以控制阴极成分，并给出阴极厚度的信息、多碱光电阴极的单色光电流Ｉ（ｄ）、光电子逸出深度以及大量的工艺信息，借此可以调整工艺，改善光电阴极的光谱响应。     

反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活

本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。     

多碱光电阴极制备中中间层光谱初探

多碱阴极制备中，中间层的形成是一个重要的工艺过程，其质量好坏直接关系到成品阴极。该文利用自动光谱测试仪研究了多碱光电阴极制备中的光谱响应，初步分析了中间层光谱响应的规律及其对成品阴极光谱响应的影响，指出形成高质量阴极必须有良好的中间层结构。对如何进一步揭示中间与成品阴极定性关系，文中给出具体的实施方法。     

基于光谱响应测试的光电阴极性能评估

NEA光电阴极性能评估的目的就是求出NEA光电阴极有关特性参数,从而进一步分析光电阴极性能优劣的原因。动态光谱响应测试技术为NEA光电阴极的制备及其性能评估提供了实时直观的参考,是获得高性能光电阴极的重要保证。本文通过对NEA光电阴极光谱响应的在线测试,采用曲线拟合方法,实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。     

用微弱信号检测技术研究光电阴极

本文概括介绍了用微弱信号检测技术研究光电阴极的光吸收、组分、电子亲和势、折射率、衰减率和透射率等.并提出用微弱信号检测技术可以改进多碱光电阴极的制备工艺和性能。探索Ⅲ—Ⅴ族负电子亲和势光阴极的蒸发方法,从而降低Ⅲ代夜视器件的成本.     

半透明多碱阴极浅氧敏化研究

根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。     

GaN光电阴极制备净化与激活超高真空系统设计

针对GaN光电阴极制备净化与激活超高真空系统工艺要求特点，我们研究设计了超真空系统总体结构、抽取装置和高温退火净化装置，根据超高真空系统控制的工艺流程、方法和自动控制要求，提出了以PLC和组态软件为控制核心，对净化与激活装置的真空度、温度和升降机构等参数进行控制的方法。并设计了超高真空自动监控系统中的PLC的操作单元、执行单元、数据采集单元、执行机构硬件结构、控制系统人机界面，以及PLC控制程序和组态软件。GaN光电阴极制备净化与激活超高真空系统具有完全的可视化和数字化，抗干扰能力强，可促进阴极制备超高真空装置的应用和工艺水平的提高。     

三碱阴极量子产额谱的研究

本文讨论了Na_2KSb(Cs)光电阴极的量子产额。引进阴极结构参数P和单晶吸收系数α_p(hv),推导了半透明多碱阴极量子产额表达式。通过选择合适参数,求得的S_(20),S_(20R),S_(25),V_(aro),New S_(25)和LEP~*(＊法国电子学和应用物理实验室制备的三碱阴极)光电阴极的量子产额谱与实验完全一致。文中还计算了理想三碱阴极的量子产额。结果表明三碱阴极仍是很有发展潜力的实用光电阴极。     

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。     

S25系列光电阴极的光谱响应计算机拟合研究

该文根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式对Ｓ２５系列阴极（Ｓ２５１，Ｓ２５２，Ｎｅｗ Ｓ２５，Ｓｕｐｅｒ Ｓ２５）的光谱响应曲线进行了计算机模拟，得到了这些阴极的有关特性的内在机理与可能采用的工艺处理方法。     

用XPS对激活过程中的GaAs光电阴极的表面分析

对ＧａＡｓ光电阴极激活过程中各阶段做了Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表面分析，根据ＸＰＳ分析所得数据，改进了激活工艺，提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Ｃｓ和Ｏ２量，并提出了Ｃｓ和Ｏ２在ＧａＡｓ表面排列的模型．     

浸渍钡钨阴极的表面研究

用同步辐射光电发射谱测量了 S 型与 M 型钡钨阴极和清洁钨上覆钡与氧化钡的模拟表面。全部的量测数据都在室温下从新的、寿命初始阶段的阴极上得出。实验表明,S 阴极表面有上 BaO、Ba 与化学吸附氧同时出现,而 M 阴极表面只存在金属钡与吸附的氧。M 阴极的优异发射性能意味着阴极表面的关键性成份是钡,而不是氧化钡。     

光聚合时间对液晶高分子红外反射器件光电性能的影响

本文基于聚合物稳定胆甾型液晶制备了红外反射器件。在外加电场的作用下,聚合物网络中附着的阳离子朝阴极运动,使得靠近阴极附近的网络被压缩,而靠近阳极附近的网络被拉伸,结果使得整个胆甾相想成一定的螺距梯度,从而使得反射带宽变宽。进一步在不同紫外光聚合时间条件下制备电控红外反射器件,光电性能呈现规律性的变化。本文主要根据红外反射器件的光聚合时间不同来探究其对液晶高分子红外反射器件光电性能的影响。     

一种对有机废水间接氧化的膜气体扩散阴极

采用膜结构的气体扩散电解作为阴极对染料进行了脱色研究，对膜阴极(MEA)制备工艺以及催化剂进行了探讨，得到了制备MEA的适宜条件。结果表明，使用MEA作阴极，效果远远优于石墨阴极；铂是膜电极的高效催化剂；膜电极制备的优化条件是造孔剂的含量ω=0．30。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。     

光电倍增管单光子探测器的噪声特性研究

在弱光测量中，暗电流或暗噪声计数是探测系统灵敏阈和测量精度的主要限制，根据光电倍增管的工作原理，光电倍增管中的噪声源主要来自光阴极和二次极的热发射．从本征半导体和掺杂半导体中热发射电流密度探讨了光电倍增管单光子探测器的噪声特性，提出了减小光电倍增管单光子探测器噪声的几种措施，即管子致冷法、磁散焦法、选用光电倍增管的管型、减小检测系统频带宽度．     

负电子亲和势GaN光电阴极特性研究

分析了NEAGaN光电阴极的产生背景,介绍了NEAGaN光电阴极的结构以及工作模式,研究了GaN光电阴极的光电发射机理以及NEA特性的形成原因,P型GaN经过Cs、O处理后的有效电子亲和势约为一1．2eV。分析表明：充分激活后形成的双偶极层是表面真空能级降低的原因,体内产生的光电子按照光电发射的“三步模型”逸出到真空中。