薄膜太阳电池的最新发展——出席第五届国际光伏科学与工程会议

本文介绍了第五届国际光伏科学与工程会议概况及薄膜太阳电池的最新数据,其中包括单结和多结非晶硅电池、多晶CuInSe_2、CdTe电池、薄膜多晶硅和单晶GaAs电池性能。     

α—Si H太阳电池的光照及热处理研究

研究了各种光照和热处理对p-i-n型α-Si：H太阳电池性能和稳定性的影响，发现电池性能的衰降主要表现为填充因子的减小，在80－120度间进行热处理能改善电池的稳定性，并对实验结果进行了分析讨论。     

GaInP/GaAs/Ge太阳电池发展现状

作为航天飞行器能源的GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池在太空环境运行时不仅受到光辐照,同时会受到各种能量的质子、电子等粒子的辐照,导致电池的电学性能发生衰退.太阳电池空间粒子辐照损伤机理及在轨性能退化预测成 为目前研究的重点.     

利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％;势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化.先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量.利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化.优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池的辐照损伤效应

从空间带电粒子辐照下Ga As太阳电池电学性能退化规律、载流子输运规律和辐照缺陷演化规律三个方面论述空间太阳电池的辐照损伤效应和物理机制,分析结果表明,太阳电池电学参数退化模型和载流子输运模型是揭示空间太阳电池辐照损伤物理机制的两个关键.由此,构建空间太阳电池辐照损伤机理的物理模型和理论体系.     

N-CdTe薄膜电极液结太阳电池的光电化学性质

本文报道了由N-CdTe薄膜电极构成的液结太阳电池的基本光电化学性质.电池可表示为:N-CdTe/1MNa₂S、1M NaOH、1MS/C测量了电池的电流-电压、电流-电极电位曲线,确定了光强与光电压、光电流、转换效率的关系.在60mW/cm²光强下,电池的能量转换效率为1~2%.电极的禁带宽度为1.43eV,借微分电容及最大光电位的测定得到平带电位为-1.1~-1.2V (VS·SCE).此外,还试验了对电极与电解液对转换效率的影响.     

质子交换膜燃料电池流道尺寸对电池性能的影响

采用计算流体动力学软件Fluent中的质子交换膜燃料电池PEMFC模块,对流道深度进行数值模拟优化。建立质子交换膜燃料电池单电池模型,研究不同流道深度对燃料电池性能的影响。仿真结果表明,直道型流场的深度越小,电池性能越好,但是过小的流道深度会造成压力损失变大。综合考虑,流道深度取值为0.6mm时,电池输出性能较优。     

深扩散和表面减薄改善硅扩散结太阳电池性能的可能性

前表面复合速度对硅扩散结太阳电池性能的影响已经由许多作者进行过研究^[1~7].     

圆柱形可充MH/MnO_2电池研究

探讨了 AA型可充 MH / Mn O2 电池研制过程中遇到的问题及解决的途径 .对研制的 AA型可充 MH /Mn O2 电池进行了测试 ,结果表明电池充放电性能良好 ,明显优于可充 Zn/ Mn O2 电池 .     

杂多钨酸盐K_n[MW_(11)O_(39)Ni(H_2O)]·xH_2O的氧化还原性质研究

通过极谱和循环伏安法,结合紫外光谱和X射线光电子能谱研究了过渡元素K（?）〔MW_(11)O_(39)Ni(H_2O)〕·xH_2O(M=Si、Ti、Ga、Zr)在溶液中的氧化还原性质,提出了它们的还原机理,杂多阴离子的极谱半波电位顺序为Zr>Ti>Ga>Si,发现杂多阴离子的E_(1/2)与M元素的电负性有线性关系.     

用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷

我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和Si.通过室温离子注入Si和退火处理,证明了GaAs中1.403eV光谱峰与Si及砷空位V_As有关,结合化学及离子微探针分析结果,对未掺InP晶体光谱曲线研究指出,~1.38eV光谱峰是C受主引起的,而1.08和~1.2eV峰分别与磷空位V_p及铟空位V_In有关.     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

可数无穷迭代函数系的分离性质

主要讨论了可数无穷迭代函数系的分离性质.首先,考虑了非空紧子集X上的共形迭代函数系{Si}∞i=0,如果它满足有界畸变性质和弱分离条件,那么|Si(X)|→0.其次,研究了两类特殊的自相似无穷迭代函数系.其中一类中的吸引子是唯一的并且是紧的,并运用加权的关联矩阵来计算另一类的吸引子的豪斯道夫测度.最后,给出了满足分离性...     

磁力泵轴承耐磨损抗腐蚀的实验研究

针对轴承在输送易燃、易爆、剧毒、强腐蚀性介质环境中的特点分析,通过试验证明Si3N4陶瓷轴承和浸锑石墨的优越性是目前较理想的耐磨损、抗腐蚀的磁力泵用轴承.     

Bi:Bi_(12)SiO_(20)晶体的生长及二波耦合效应

用熔盐提拉法生长了Bi：Bi12SiO20（BSO）晶体，采用二波耦合光路测试了晶体的增益系数、衍射效率．实验结果表明：Bi，BSO晶体的光折变性能优于纯BSO晶体。     

模拟空间原子氧对Teflon FEP/Al薄膜性能的影响

采用同轴原子氧模拟装置进行了空间原子氧效应对温控材料Teflon FEP/Al薄膜的影响研究.在束流密度为1.07×1016atoms/cm2·s的条件下,对材料进行不同剂量辐照,研究了Teflon FEP/Al薄膜的质量损失、表面形貌、表面粗糙度和光学性能的演化规律和表面元素的组成变化.试验结果表明,材料的质量损失与原子氧辐照剂量成正比例关系.随着原子氧辐照剂量的增加,材料的表面形貌由平整变为"地毯状"形貌,表面粗糙度、太阳吸收率和太阳吸收率与热发射率的比值发生明显变化,从而导致材料光学性能发生变化.辐照前后材料表面成份组成变化不大.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。