清华大学微电子学研究所

清华大学微电子学研究所成立于1980年9月5日，座落于清华大学校园内东南部。微电子所另有两个室位于东主楼九区一层和二层，它们是集成电路与系统集成设计研究室和CAD技术研究室。     

二十一世纪微电子光刻技术与设备的发展对策研究

微电子、集成电路的水平是国家地位和综合国力的重要标志。集成电路集成度的增长离不开生产和制作集成电路的光刻设备。本文重点介绍集成电路的制造技术的制作设备的最新发展状况，提出发展我国微电子光刻技术的建议。     

清华大学汽车工程系

经过几十年的发展，清华大学汽车工程系已逐步形成了鲜明特色和独特优势，在汽车工程教育界、科技界和工业界具有较大影响，成为我国培养高层次、高质量的汽车工程科技和管理人才的重要基地，也是我国汽车工程科技研究与开发的重要基地。     

美科学家制成纳米导线集成电路

美国哈佛大学研究人员说，他们借助低温制造技术，用纳米导线在一块玻璃芯片上制造了最基础的集成电路——时钟振荡电路。这一技术既不需要高温，也不需要硅芯片，将来可能取代硅芯片集成电路制造技术。     

纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术

简要讨论纳米CMOS工艺下集成电路的可制造性设计（DFM）技术.首先讨论纳米CMOS中与制造性有关的工艺和器件问题,然后探讨DFM需要的工艺和器件建模工作.最后对包括有可制造性设计技术的集成电路设计流程和能较好地在大规模集成电路设计环境中开发设计/制造交互界面的有关EDA做简单介绍.     

中国集成电路制造供应链脆弱性研究

集成电路产业是衡量国家科技实力与经济水平的重要标志之一.本文通过分析我国集成电路供应链所处的内外环境,针对其脆弱性,研究相关重要影响因子,提出一种系统评价新思路,对我国集成电路供应链脆弱性进行量化分析.以暴露性、敏感性、恢复性作为集成电路供应链脆弱性的三个主要测度,建立指标评价体系,通过改进的灰色关联法,将关联度作为指...     

一项值得重视的低压低功耗超高速集成电路技术--TFSOI技术

本文详细地分析了薄膜SOI器件的特性并指出该器件的许多特性是其固有的。这些特性使得SOI技术对于高可靠、低压、低功耗、高速系统具有极大的吸引力。同时,该技术也适用于千兆位DRAM、片上系统、以及抗辐射加固电路、微电子机械系统、模拟／混合信号电路、智能功率集成电路、便携式通讯系统、高温电子学和量子器件等。因此,SOI技术可能成为21世纪最具竞争力的半导体集成电路技术。     

集成电路装备产业的全球竞争格局与我国竞争态势分析

在文献综述的基础上,通过产业竞争态势研究,分析全球及我国集成电路装备产业的竞争态势,并在此基础上,分析和提出我国集成电路装备产业的发展建议。研究表明,美国、日本、韩国和荷兰仍是集成电路装备产业发展的强国,且各国政府是推动产业发展的主导力量,但全球市场却趋于向东亚转移。我国集成电路装备产业已形成较为完善的产业链结构和产业配套体系,主要集中于上海与北京等地,已初步具备参与全球竞争的基础,但国家科技计划在部分领域仍有缺失。研究提出,我国应在加快形成龙头引领、强化科技布局等方面进一步发挥基础优势,紧跟国际发展步伐,提升产业竞争力。     

碳基纳电子材料与器件

现代信息技术的基石是集成电路芯片,而构成集成电路芯片的器件中约90%是源于硅基CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor,互补金属-氧化物-半导体）技术.经过半个世纪奇迹般的发展,硅基CMOS技术即将进入14 nm技术节点,并将在2020年之前达到其性能极限,后摩尔时代的纳电子科学与技术的研究变得日趋急迫.目前包括IBM在内的很多企业认为,微电子工业走到8 nm技术节点时可能不得不面临放弃继续使用硅作为支撑材料,之后非硅基纳电子技术的发展将可能从根本上影响到未来芯片和相关产业的发展.在为数不多的几种可能的替代材料中,碳基纳米材料——特别是碳纳米管和石墨烯,被公认为是最有希望替代硅的材料.北京大学碳电子研究团队最新研究结果表明,在14 nm技术节点碳纳米管晶体管的速度和功耗均较硅基器件有10倍以上的优势,进入亚10 nm技术节点后这种优势还将继续加大.2013年9月,美国斯坦福大学研究组在《自然》杂志以封面文章的形式报道制造出了世界上首台碳纳米管计算机.2014年7月1日《MIT技术评论》报道IBM宣布由碳纳米管构成的比现有芯片快5倍的芯片将于2020年之前成型.基于碳纳米管的集成电路技术不再是遥不可及的梦想,现代信息科技与产业的支撑材料正加速从硅到碳进行转变.相较欧美发达国家在2020年之后的非硅基纳米电子学研究领域的巨额投入,我国对非硅基技术尚无布局.为抢占下一代半导体技术战略制高点,建议尽快启动国家碳电子计划,用一个协调的方式来支持包括材料生长、器件制备、模拟和系统设计方面的研究,汇聚优势资源,系统推进碳基信息技术的成型和发展,奠定中国未来的纳电子产业基础.     

硅基光电子发光材料与器件

用光子作为信息载体的光互连是硅集成电路的发展趋势之一,而硅基光互连的实现,必须发展与当前集成电路制造工艺兼容的高效硅基光源.本文概述了近年来国际上硅基光源的主要研究成果,重点介绍了我们研究组在硅量子点、硅晶体缺陷、硅基氮氧化物薄膜和硅基氧化物半导体薄膜发光材料与器件等方面的研究进展.     

最年轻的美国电气与电子工程师学会院士--记微软中国研究院首席科学家张亚勤博士

1998年3月,中国最高学府清华大学迎来了一位传奇人士,世界首富美国微软公司的董事长比尔·盖茨先生来到清华大学.在发表完演讲之后,一个个的问题接踵而至.会议结束后,盖茨惊奇地发现,这与在美国大学与学生的交流完全没有两样.所不同的是,他感觉到这些满脸稚气的学生更显得才华横溢、后生可畏.在飞回美国的飞机上,盖茨作出了一个新决定,就是从印度、日本、中国等国家中,选择在中国投资8000万美金,设立微软中国研究院.     

超低介电常数材料和多孔SiOCH薄膜

集成电路的特征尺寸将降低到0．1μm，这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。目前集成电路的金属连线价质层材料为铝／二氧化硅配置，用电阻更小的铜取代铝作金属连线，用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作介质层成为科学意义重要、应用价值巨大的研究课题，微电子器件正经历着一场材料的重大变革中。本文着重评述了纳米尺度微电子器件对低介电常数(低k)薄膜材料的要求，介绍了多孔硅基低k薄膜的研究进展。     

微纳机电系统(MEMS/NEMS)前沿

微纳机电系统(MEMS/NEMS)将处理热、光、磁、化学、生物等结构和器件通过微电子工艺及其他一些微加工工艺制作到芯片上,并通过与电路以及相互之间的集成来构筑复杂的微型系统.由于微纳机电系统具有高度的交叉性与渗透性,而使其研究和发展呈现出多样性.本文立足于微纳机电系统与集成电路的交叉,侧重讨论微纳机电系统与CMOS集成电路的集成、微纳机电系统技术与纳米技术的融合,以及与现代生物技术的交叉,就一些典型的器件与工艺,介绍一些前沿发展和趋势.     

《中国科学》信息科学编委会名单

执行主编: 杨芙清编委: 于景元 王越 王行刚 王阳元 王启明 尤肖虎 吕建 乌仔贺锉 李三立 沈昌祥 张钱 陈翰馥 林惠民 周炳混北京大学信息科学技术学院计算机软件与理论,软件工程董温美潘云鹤戴汝为中国航天科技集团公司710所控制科学,系统科学北京理工大学通信与信息系统中国科学院计算技术研究所计算机系统结构与计算机网络北京大学微电子研究院微电子与固体电子学中国科学院半导体研究所固体电子学东南大学无线电系通信与信息系统南京大学计算机科学与技术系计算机软件与理论电信科学技术研究院通信与信息系统清华大学计算机系计算机体系…     

平面化问题的一种新型神经网络算法

文中针对在大规模集成电路中有重要应用的图的平面化问题，指出了可平面图的平面嵌入是有条件的，只有在特定的顶点顺序下才是可直线嵌入的，并通过给出既满足直线嵌入条件又实现正确布线的能量函数，进而用Hopfield神经网络实现了对可平面图的平面布线和不可平面图的最大可平面子图的寻找和平面布线，并引入模拟退火算法实现网络局部极小点的逃离．实验及与传统方法的比较结果验证了文中所提方法的有效性和可行性．     

华南理工大学纳米技术与分子科学实验室

纳米技术与分子科学实验室创建于2004年6月，隶属华南理工大学材料科学与工程学院，华南理工大学材料科学与工程研究所。实验室经过几年的建设和发展，现已成为有教授（博士生导师）、博士后、博士生和硕士生在内11人的研究集体。     

微藻生物柴油研究文献计量分析

利用Thomson Data Analyzer和Net Draw等分析工具,对SCIE数据库中的微藻生物柴油研究相关文献进行统计分析,得出了微藻生物柴油研究的发文趋势、主要学科领域、重要研究热点、主要国家和机构的论文被引与合作情况,发现微藻生物柴油研究近年来快速发展,涉及的主要学科领域有生物技术和应用微生物学、能源与燃料、农业等,研究热点集中在藻种筛选、微藻培养、脂质生产和提取、生物柴油制备等方面;美国和中国的论文综合影响力较大,澳大利亚和英国的论文质量较高,美国是全球合作网络的中心;清华大学和中国科学院的论文综合影响力较大,清华大学和马来西亚理科大学的论文质量较高。     

应用于微结构制造自治系统的第I类工艺缺陷诊断

在集成电路制造中,通常采用各电学参数的测试值来衡量和评价工艺效果。一种可能的工艺后果是,出现了测量结果偏离预定目标的第I类工艺缺陷。传统上的基于SPC的工艺控制技术,不含工艺诊断的内容,在寻找造成工艺失效的原因时,存在着巨大的困难。本文对集成电路制造过程中所涉及到的几类重要参数间的关系,进行了详细的分析,由此确定造成诊断问题困难的根本原因,在于测试现象与工艺故障因素之间是多对多的关系。通过正交化的方法,可以将测试参数转化成为一组广义参数。广义参数与故障因素之间存在着一对一的联系。这样就找到了一种有效的,从异常的广义参数值确定失效原因的工艺诊断方法。本文对第I类工艺诊断的技术进行了讨论。在集成电路制造自自治系统中,对于I类工艺缺陷的纠正过程,也就是工艺结果不断向工艺目标趋近的过程。     

应用于微结构制造自治系统的第Ⅰ类工艺缺陷诊断

在集成电路制造中,通常采用各电学参数的测试值来衡量和评价工艺效果。一种可能的工艺后果是,出现了测量结果偏离预定目标的第1类工艺缺陷。传统上的基于SPC的工艺控制技术,不含工艺诊断的内容,在寻找造成工艺失效的原因时,存在着巨大的困难。本文对集成电路制造过程中所涉及到的几类重要参数间的关系,进行了详细的分析,由此确定造成诊断问题困难的根本原因,在于测试现象与工艺故障因素之间是多对多的关系。通过正交化的方法。可以将测试参数转化成为一组广义参数。广义参数与故障因素之间存在着一对一的联系。这样就找到了一种有效的,从异常的广义参数值确定失效原因的工艺诊断方法。本文对第Ⅰ类工艺诊断的技术进行了讨论。在集成电路制造自自治系统中,对于Ⅰ类工艺缺陷的纠正过程,也就是工艺结果不断向工艺目标趋近的过程。     

一种基于基片集成波导的基片介电常数测量方法

设计制造微波毫米波微带集成电路必须首先获知介质基片的相对介电常数。然而传统基于介质填充波导的测量方法由于存在介质同波导壁之间的空气间隙和需要制作精确的介质样片，从而导致测量过程复杂，测量结果精度不高。利用基片集成波导的类波导特性及其导体介质之间的无缝隙特性，提出了一种快速准确地测量介质基片介电常数的方法。仿真和实际测试的结果验证了该方法的准确性和有效性。