高Tc超导薄膜红外（光）探测器的研究

系统地报道了近年来关于高Ｔｃ超导薄膜红外（光）探测器的研究成果，先后进行了单元分立器件、２×２、２×４集成式阵列器件以及约瑟夫逊结型红外（光）探测器的研究。器件经过１０多次的液氮温度至室温的冷热循环，并在室温下保存两年以上，所得测量结果基本不变。采用具有约瑟夫逊效应的高Ｔｃ超导双晶晶界结的光探测器具有量子效应，其响应速度快于６．３５×１０－７ｓ。     

高Tc超导薄膜微波表面电阻的测量

根据电磁场理论，求解了在矩型波导中载有超导样品时反射系数和透射系数的严格表达式。在２ｃｍ波段上，用微波传输法测定了ＹＢＣＯ超导膜的微波表面电阻，测量结果表明：微波传输法是测量高温超导薄膜表面电阻的一种可行方案，中还对测量结果及误差作了定性分析。     

超导与高Tc超导红外探测

本文介绍了超导电性理论,论述了高TC超导薄膜红外辐射探测器的工作原理、主要性能参量及国内外的研究与发展状况,并提出了今后的研究方向。     

8元线列高温超导薄膜红外探测器的实验研究

对８元线列高温超导薄膜红外探测器进行了实验研究。高温超薄膜为采用电子束蒸发并后退火的方法制备的粒状ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜，器件的图形制备采用湿法刻蚀。探测器的光响应测试是在８－１４μｍ的远红外区。探测器单元为２０μｍ×１００μｍ的微桥。     

超导薄膜制Bolometer器件的微透镜红外增强

采用离子束刻蚀制备线列熔凝石英柱微透镜阵列,准分子激光扫描消融法淀积性能均匀且稳定性良好的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜,湿法刻蚀制备导薄膜器件,微透镜阵列与超导薄膜器件用胶粘合构成组合红外探测器,测试了组合器件在１－５ｍ红外波段的光响应特性。     

射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_y高T_c超导薄膜

本文采用射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_7高T_c超导薄膜,研究了溅射电压、气流、气压、基片及热处理工艺对超导膜成分、相结构及超导性能的影响,所得到的超导薄膜T_c(R=0)=89K,临界电流密度10~4～10~5A·cm~(-2).     

超导薄膜制 Bolometer 器件的微透镜红外增强

采用离子束刻蚀制备线列熔凝石英柱微透镜阵列,准分子激光扫描消融法淀积性能均匀且稳定性良好的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜,湿法刻蚀制备超导薄膜器件,微透镜阵列与超导薄膜器件用胶粘合构成组合红外探测器,测试了组合器件在１～５ｍ红外波段的光响应特性．     

ZnO薄膜的光谱特性研究

目的 在NaCI衬底上制备ZnO薄膜，分析其红外吸收谱。方法 用透射电镜观察并拍摄了薄膜的微观结构，对电镜照片进行测试、分析。结果 表明样品有分形结构，在远红外区有反常吸收，即低频反常色散现象。结论 结果与分形结构反常电导理论取得一致。     

溅射a—GeCNx：H薄膜的红外和拉曼特性

本文首次报道了用溅射反应法制备的ａ－ＧｅＣＮｘ：Ｈ薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性，并观测到因掺碳引起的新的Ｎ－ＣＨｎ的红外吸收峰。     

溅射a-GeCN_x∶H薄膜的红外和拉曼特性

本文首次报道了用溅射反应法制备的 a-GeCN_x∶H 薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性,并观测到因掺碳引起的新的 N-CH_n 的红外吸收峰.     

可见光/红外动态图像转换薄膜性质的研究

研究一种可见光／红外图像转换薄膜．从理论上分析转换薄膜工作的物理机制，并给出热传导方程的解及影响薄膜时间特性和空间分辨力的因素．提出周期结构薄膜方案，以提高转换器的空间分辨力．对薄膜型转换器进行了实验研究，实验测得的薄膜型转换器空间分辨力为6lp／mm，时间常数6ms。辐射波段8～12μm．应用该原理制作的图像转换装置得到的红外图像，可用于对红外成像仪器和设备进行性能检测和标定及红外成像仿真实验．     

复合热释电薄膜红外探测器的制备和性能测试

为解决热释电薄膜红外探测器中的热损失问题,引入了复合热释电薄膜的概念．它利用多孔二氧化硅具有的低热导率特点,有效地减少了热量从热释电层向衬底的热扩散．利用溶胶-凝胶和金属有机物热分解等工艺制备的复合热释电薄膜红外探测器,在温度为420K、频率为10Hz时,电压响应率约为1400V／W,探测器的星探测率D     

氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性

通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄膜的结构.研究了金属Al/a C:F、H/SiMIS结构在不同环境光和不同频率下的电容 电压(C V)特性.红外结果表明,在800cm～1800cm-1和2700～3100cm-1的波数范围内,薄膜存在大量的C——C、C—F和C—H的振动结构.从薄膜的C V曲线的计算结果表明,薄膜当中的缺陷电荷约为1.07×1010cm-2,这些电荷主要局域在C——C双键周围 同时,由于界面陷阱电荷的存在,使得C V曲线随着测试频率的增加向负偏置方向偏移.