扩充数字钳表功能的研究

本文就ＤＴ－２６０数字钳形多用表中增加设置峰值保持功能电路出发，阐明其电路特点，工作原理，设计要求，如何实现从０－１０００Ａ之间瞬态交流电流最大值的测量，数字显示保持。该表操作简便、可靠，具有较高的性能、价格比和实用等特点。     

隔离圈式行星滚子螺旋的研制及其主结构系列化参数的推荐

本文讨论了隔离圈式行星滚子螺旋的主要结构、传动原理、性能特点等，并结合实例，提出了其主结构系列化参数的推荐值．     

基于UC3842的单端反激式开关稳压电源的设计与分析

介绍了UC3842的工作特点，利用UC3842设计了反激式开关稳压电源电路，具体分析了电路的工作原理，对反激式电路中变压器的参数进行了详细的计算．     

电路分析中各类电源的处理方法

在分析线性电阻电路时，如何处理各类电源是至关重要的，也是电路分析理论的难点和重点．总结了电路分析理论中各种电源的处理方法．根据各类电源的特点选择适合的处理方法，能大大地简化电路分析过程．     

微机并行扩展接口卡的设计与应用

介绍一种扩展并行接口卡的设计方案及其应用实例。该卡主要由８２５５芯片、驱动电路、译码电路等组成，具有结构简单、易于制作的特点。     

集成线性霍尔传感器UGN3501T在磁感应强度测量中的应用

介绍一种基于新型集成线性霍尔传感器设计的磁感应强度测量电路，具有电路简单，成本低廉的特点，可用于物理演示实验。     

基于CCII的高输入阻抗三输入单输出双二次电压模式滤波器

提出了一新型三输入单输出电压模式滤波器电路，该电路能实现低通、带通、高通、带阻及全通等五种滤波器，该电路具有输入阻抗高、固有频率与晶质因数独立可调、所有RC无源元件均接地及无源灵敏度低的特点。     

消除干扰的一种新型TTL与非门电路

本文报道了一种新型的ＴＴＬ与非门电路，该电路的特点是，当输入信号突然从高电平跳变到低电平的瞬间，不会产生电源电流干扰尖脉冲。     

结合实例谈利用电工学解集成运放电路

根据集成运算放大器的特点，结合一些具体实例，介绍了利用电工学中的叠加定理和节点分析法分析集成运放电路和列方程求解电路的过程．     

复合域算法的AES S盒电路实现

提出一种基于复合域算法的全定制AESS盒架构，采用传输门逻辑实现了精简的、低功耗数据通道电路．在数据通道中插入异步握手电路控制的锁存器以控制信号抖动的传播，达到降低整个S盒功耗的目的．利用插入随机延时链的方法提高了S盒的抗差分功耗分析能力．在0．25μm CMOS工艺下的S盒电路版图后仿真结果表明，本S盒电路具有低功耗、高安全性的优点，并保持复合域S盒电路所具有的面积小的特点．     

pH值对LAP晶体生长速率的影响

本文通过系列实验，研究了ＬＡＰ晶体的生长速度随溶液ｐＨ值的变化关系，给出了实现ＬＡＰ晶体快速生长的最佳ｐＨ值区间，并从理论上进行了论证。     

β—BaB2o4晶体缺陷的正电子湮没研究

该文首次报道了利用正电子湮没寿命谱检测β-BaB_2O_4单晶的缺陷状况,并结合晶体的生长条件,晶体后处理等工艺,讨论了缺陷的形成机理.     

关于晶体的组成、原子的配位数和Pauling第二规则之间关系的研究

本文系统地考察了晶体的组成(组分数β=2,β=3,β≥4)与配位数之间的关系.提出了配位平衡方程和电子平衡方程。分析了A_xB_y、A_xB_yC_z和A_xB_yC_zD_w等型式的晶体,给出了晶体的组成与配位数相互联系的规律。将此规律应用于离子晶体,推算出原子的配位数和它们在周期表族的编号之间的关系。在配位平衡方程与电子平衡方程的基础上,导出了Pauling由经验得到的静电键规则—Pauling第二规则。     

氧化碲单晶热膨胀行为的实验研究

用热膨胀仪（Ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒ）、热综合分析仪（Ｔｇ－ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）对ＴｅＯ＿２单晶的热膨胀行为进行了实验研究。首次报道了用顶杆法测定３７０～５００℃、沿α和ｃ轴向的ＴｅＯ＿２单晶热膨胀系数α＿α和α＿ｃ；用Ｔｇ－ＤＴＡ法测定ＴｅＯ＿２的熔点并对其热膨胀系数和熔点的关系作了讨论；还从ＴｅＯ＿２单晶的晶体结构和解理特性以及α轴和ｃ轴的化学键键强比较对其热膨胀的各向异性行为作了进一步探讨。     

冰糖结晶率的研究

目前,一般厂家普遍采用传统恒温法生产冰糖,其结晶率为60～65%,最高只能达75%.本文对影响冰糖结晶率的有关因素进行了分析,作了对比实验,找出了提高冰糖结晶率的较佳条件,冰糖结晶率由75%提高到85%以上。     

添加剂对LAP晶体性能的影响

选用（ＮＨ４）３ＰＯ４作添加剂，生长了不同添加量的ＬＡＰ晶体，实验发现：添加（ＮＨ４）３ＰＯ４后，扩大了晶体生长的过饱和温区，抑制杂晶的生长，提高了晶体利用率。     

红外非线性光学晶体硒镓银的生长及性质观测

用改进的布里奇曼法在两温区立式炉中生长出２０×５５ｍｍ硒镓银单晶体．晶体外观无裂纹，完整性好．将晶体沿（１０１）面解理，加工制成１０ｍｍ×１０ｍｍ×９ｍｍ测试样品，在红外显微镜下观察，晶体内部均匀，包裹体及其它缺陷较少．晶体红外透射率在１０．６μｍ附近达６２％．吸收系数为０．０５ｃｍ－１．并对晶体热蚀坑和腐蚀条纹进行了扫描电镜观察．     

掺杂硅酸铋晶体的生长及样品加工

介绍了提拉法生长高质量掺杂硅酸铋Bi12SiO20（BSO）晶体的主要设备、仪器与工艺条件，并在实验的基础上，分析了BSO晶体在加工过程中开裂的原因，并提出了解决的办法。     

氨荒酸配合物的研究进展

氨荒酸盐[S2CNR2（DTC）]及其衍生物早已广泛应用于化学、医学、石油化工等领域，它与所有的过渡金属都可以进行配位，形成螯合物，双齿的阴离子也可以作为桥链两个过渡金属的配体．本文讨论了目前合成的各种氨荒酸配合物的应用，并对一些晶体结构进行了比较．