激光微织构泡沫铜的氧化铜纳米线制备及其光催化性能研究

本文采用激光织构与热氧化法相结合,以泡沫铜为基底制备具有微阵列结构的氧化铜纳米线(CuO NWs).采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对样品表面形貌及成分进行表征,讨论激光织构表面微结构对氧化铜纳米线生长的促进作用,设计不同的加工参数研究激光织构对氧化铜纳米线生长的影响,并通过光催化降解甲基橙溶液考察了CuO NWs的光催化性能.实验结果表明,经过激光织构的泡沫铜能增大纳米线的生长面积,提高样品表面氧元素的含量,有效地促进生长过程中氧化铜纳米线长度和密度的提高.不同的激光参数对纳米线的生长产生一定影响,具有良好的调控作用.CuO NWs光催化降解甲基橙的降解率可达97%,循环测试5次后的降解率仍可保持在96%,可见其稳定性良好,而且其片状结构更易回收,重复利用率高,具有优异的光催化性能.     

密堆六方结构Ni纳米颗粒的合成及其磁性

采用溶胶-凝胶方法制备前驱体样品, 在氩气气氛中不同温度下热处理得到样品. 利用热分析仪、 X射线衍射(XRD)、 透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)研究材料的合成、 形貌、 结构及其磁性. 结果表明, 经300 ℃热处理的样品为具有密堆六方结构的球形Ni纳米颗粒, 且六方Ni单相具有铁磁性质, 平均晶粒尺寸即超顺磁临界尺寸约为12 nm, 室温下在-800~800 kA/m磁场范围内未表现出饱和趋势, 最大比磁化强度为0.58 (A·m2)/kg, 矫顽力为1.592 kA/m.      

对苯二酚铜、钴(Ⅱ)配合物的合成及表征

采用半固相法合成一水合对苯二酚铜(Ⅱ)和一水合对苯二酚钴(Ⅱ),分别用碘量法和EDTA滴定法测定配合物中铜、钴的含量,通过元素分析、红外光谱、紫外吸收光谱、荧光光谱表征两种配合物的组成.结果表明:采用半固相反应法可以合成一水合对苯二酚铜(Ⅱ)和一水合对苯二酚钴(Ⅱ),在两种配合物的荧光光谱中都出现2个激发峰和1个荧光发射峰,说明过渡金属的对苯二酚配合物可用做潜在的发光材料.     

银单晶纳米线的气相合成及其表面增强拉曼散射特性(英文)

通过气-液-固(VLS)机制,利用热蒸发方法在Ag/ZnO同轴结构纳米线中合成了单晶Ag纳米线.ZnO壳的限制作用被认为是促成了Ag单晶相的形成.通过腐蚀掉ZnO壳而获得的银纳米线,其直径可以通过改变源中银的含量来调控.这些高质量的银纳米线具有明显的表面增强拉曼散射(SERS)增强效果.     

EDTA冠醚衍生物(Ⅶ)——EDTA大环醚双内酯与铜(Ⅱ)、钴(Ⅱ)配合物的合成和性质研究

合成了N,N‘—二羧甲基大环醚双内酯与铜(Ⅱ)、钴(Ⅱ)的4个固态配合物。经元素分析、红外光谱、紫外光谱和热重分析确证,得到了两种组成的配合物:一种为ML·HNO_3·3H_2O,配体中羧氧、叔胺氮直接配位金属离子.另一种为MHL·NO_3·2H_2O,酸式盐。4个配合物中的醚氧或酯氧通过与配位水中的氢原子形成氢键来束缚金属离子。     

含氮多羧酸钴(Ⅱ)-钕(Ⅲ)异核配合物合成和晶体结构

用扩散法合成了配合物[NdCo(NTA)2(H2O)11/3(CH3OH)1/3]·(CH3OH)2/3.10/3H2O(1),晶体属三斜晶系,空间群为P1,晶胞参数为a=0.963 6(2)nm,b=1.044 9(2)nm,c=1.339 3(2)nm,α=107.04°,β=98.25(2)°,γ=103.98°,V=1.217 2(4)nm3,Z=2,配合物具有三维网络结构。配合物[Nd2Co3(EDTA)3(H2O)11·12H2O](2)用水热法获得,属单斜晶系,空间群为C2,晶胞参数为a=1.592 5(3)nm,b=1.465 5(2)nm,c=1.474 1(2)nm,β=116.407(2)°,V=3.081 3(8)nm3,Z=2。每个Nd3+通过羧基桥联3个Co2+,而每个Co2+与两个相邻Nd3+连接构成12员环从而形成二维杂金属层,相邻层之间通过水的氢键作用连接形成三维结构。     

三卤吡啶合钴(Ⅱ)酸晶体的光谱和磁性研究

本文用C_(3v)配体场模型计算了三卤吡啶合钴(Ⅱ)酸晶体HCoX_3·3P_y(X=Br,I)中Co~(2+)离子的电子吸收谱和有效磁矩,理论计算与观测结果一致,这表明三卤吡啶合钴(Ⅱ)酸晶体的立体化学构型属于三角畸变的四面体C_(3v)构型。     

一个钴(Ⅱ)配位聚合物的合成及其结构与性质

以柔性配体1,4-二(2-甲基咪唑-1-基)丁烷(bib)、过渡金属Co(Ⅱ)盐和1,3-金刚烷二甲酸(H_2ada)为原料,采用水热合成法合成配位聚合物[Co(bib)(ada)]_n.用X射线单晶衍射仪测定了配合物的晶体结构,并对其进行红外和紫外等性质表征,重点探究了其在催化降解甲基橙方面的应用和机理.结果表明,配合物属单斜晶体,P2/n空间群.催化实验结果表明,在紫外灯光照下[Co(bib)(ada)]_n对甲基橙有较好的降解效果.     

羟胺-乙二胺-钴(Ⅱ)显色体系与甲醛质量浓度测定的研究

采用正交试验法研究了羟胺-乙二胺-钴(Ⅱ)的显色体系与甲醛反应的最佳条件．最 佳条件为5．00×10-2 mol／L羟胺溶液2．00 mL,1．00×10-1 mol／L乙二胺溶液3．0 mL,2．00×10-1 moL／L钴(Ⅱ)溶液5．00 mL,0．200 mol／L硫酸溶液0．80 mL,加热温度为55℃,加热时间为6 min．甲 醛质量浓度在0．080-3．200μg／mL范围内线性关系良好,检测下限为0．061 0 μg／mL,线性相关系数 为0．998 7．该法可用于饮用水加标回收率实验及脲醛树脂中的游离甲醛质量浓度检测．     

镉(Ⅱ)催化四苯基葸醌卟啉钴(Ⅱ)的配位反应

用722型分光光度法对镉(Ⅱ)催化四苯基蒽醌卟啉与钴(Ⅱ)配位反应进行了系统研究,测定了表现速率常数和动力学相关参数,并据此提出了反应机理,利用回归分析得到了反应的平衡常数和热力学参数.     

密排六方金属中多空位的改进分析型嵌入原子法计算

应用改进分析型嵌入原子法(Modified Analytical Embedded-Atom Method,MAEAM),计算了密排六方(Hexagonal Closed-Packed,HCP)金属(c/a<1.633)单空位形成能以及双空位与三空位的形成能与结合能.空位形成能的最小值或结合能的最大值均表明,双空位稳定结构是第一近邻[1n]、第二近邻[2n]或第三近邻[3n];三空位稳定结构是三空位组成两个第一近邻和一个第二近邻[112]、一个第一近邻和一个第二近邻以及一个第三近邻[123]或三个第二近邻[222].这说明在密排六方金属(c/a<1.633)中存在空位聚集趋势.     

高密度、直立Co-Cu合金纳米线有序阵列的制备

利用一种简化的阳极氧化法制备出高度有序的氧化铝模板.利用电化学沉积法采用恒压直流电沉积模式在氧化铝模板的孔洞中制备了CoCu合金纳米线阵列.用SEM、TEM、EDS、XRD对样品进行了形貌、成分和微结构测试,结果显示,成功制备了大面积有序的CoCu合金纳米线阵列,纳米线尺寸均匀,直径约为70 nm,长度约为30⁴0μm,其长径比为40040μm,其长径比为400⁶00,纳米线的晶粒生长过程中晶面具有一定的择优取向性.     

铁钴合金纳米线有序阵列的制备及其磁性表征

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝（AAO）模板，选摩尔比为1：1的CoSO4和FeSO4混合溶液为电解液，用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备Fe0.5 Co0.5合金磁性纳米线有序阵列．分别用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪对多孔氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析，用振动样品磁强计（VSM）对样品的磁学性能进行测试．结果显示，制备的磁性合金纳米线表面光滑、均匀，纳米线中的晶粒在生长过程中有（200）晶面的择优取向．VSM测试结果表明，纳米线阵列结构具有较高的垂直磁各向异性，当外场沿纳米线轴向磁化时，纳米线阵列有很大的剩磁比（Mr／Ms=0．7）和很大的矫顽力（饱和Hc=1700 Oe），说明样品经适当热处理后，剩磁比和纵向矫顽力普遍得到提高．     

有序氧化铝模板的快速制备及用于钴纳米线阵列

利用自制的氧化槽,结合恒压二次氧化的方法制备出有序的氧化铝模板,每个氧化槽每次可以制备2～4个模板,而且制备步骤简化,极大提高了氧化铝模板的制备效率.采用恒压直流电沉积方法在制备的氧化铝模板的孔中成功组装出了钴纳米线阵列,并分别用SEM、TEM、EDS对其进行了表征,结果显示,制备的钴纳米线阵列排列整齐、粗细均匀,直径约为50 nm,长度约为20～30μm,其长径比为300～1 000,与氧化铝模板的参数一致.     

高性能Fe-Co合金有序纳米线阵列的制备与磁性研究

采用两步电化学阳极氧化方法制备了有序多孔氧化铝模板,通过交流电化学沉积方法在模板中合成了线间距约为62nm、直径约为25nm的Fe48Co52合金纳米线阵列,细致研究了阵列的晶体结构与磁性能．研究表明：沉积态阵列具有体心立方结构．氢气退火处理对阵列的晶体结构没有影响,但是会显著提高阵列的磁性能．退火后,Fe—Co合金纳米线阵列显示了较高的永磁性能,其易磁化方向的矫顽力、矩形度以及单根纳米线的最大磁能积分别约为3．63kOe、0．971以及33．7mol／dm^3 GOe．     

硅微透镜阵列与红外焦平面阵列的单片集成

基于标量衍射理论 ,考虑焦距长度与微透镜尺寸的关系 ,提出了一种新的制作二元光学衍射微透镜的方法———部分刻蚀法 .利用这种方法制作了 2 5 6× 2 5 6硅微透镜阵列 ,并将其与PtSi红外焦平面阵列单片集成在一起 ,使红外焦平面阵列的灵敏度R和比探测率D 都提高了 1.7倍     

环状双核钴配合物的合成、晶体结构及其性质

在水热反应条件下合成了一个新型Co(Ⅱ)配合物[Co2(cpa)2(phen)2(H2O)2](1)(cpa =3-(4-羧基苯基)丙酸、phen=1,10-邻菲罗啉).采用CHN元素分析、红外光谱、差热-热重及单晶X-射线衍射等方法对配合物的晶体结构进行了表征.配合物属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c;晶体学参数:a=1.26192(14) nm, b=1.59916(17) nm, c=1.04130(11) nm,β=111.935(2)°.配合物1为环状双核结构,其基本结构单元由1个Co原子、1个3-(4-羧基苯基)丙酸、1个1,10-邻菲罗啉和1个配位水分子组成,形成畸变的八面体配位构型.相邻的配合物分子间通过氢键的识别作用形成1维超分子链.π···π堆积作用将邻近的超分子链进一步扩展为2维超分子网.     

口径耦合微带天线阵的互耦研究

针对微带天线阵阵元之间互耦的复杂性,给出了用时域有限差分法对口径耦合微带天线直线阵互耦现象进行分析的方法.该方法以口径耦合微带天线单元构成的7单元直线阵为研究平台,借助仿真软件Empire获取数据,结合直线阵和传输线理论导出相应计算公式,并用Matlab进行数据处理.应用该方法分析了互耦阵列的行为,给出了互耦系数的计算方法及其在天线设计中的应用方法.分析结果表明:由于互耦的存在及影响,使中心位置馈电天线阵的方向图出现旁瓣,边缘位置馈电的方向图出现非对称形状;互耦系数随着与馈电单元距离的增大急剧下降,距离4个阵间距以上的天线单元其模值下降到0.01以下.通过实例将该方法分析结果与仿真曲线进行了对比,其吻合程度验证了该方法的精确性.为在互耦状态下微带天线阵的设计提供了参考.     

Nd2(Co1-xFex)17-yCr y化合物的结构和磁性研究

利用X射线衍射和磁性测量研究Nd₂(Co_1-x Fe_x)_17-yCr_y化合物的结构和磁性. 实验结果表明， 这些化合物都具有Th₂Zn₁₇型结构， Cr和Fe替代Nd₂Co ₁₇化合物中Co并未改变晶体结构， 但能引起晶格膨胀. 所有化合物在室温下都表现为易面各向异性. 化合物的居里温度 随着Fe含量的增加和稳定元素Cr含量的减小而升高， 在x=0.5和y=3.3时达到最大值， 而后逐渐减小.     

NiAl(Co)金属间化合物纳米晶块体材料的制备及其性能

采用机械合金化方法获得NiAl(Co)纳米晶粉末,经过热压,成功地制备出NiAl(Co)块体纳米晶材料·其晶粒尺寸约在300～480nm,致密度可达到91%以上,室温压缩屈服强度达到1250～1400MPa,是铸态NiAl合金的31～35倍,室温塑性良好,有大约13%的压缩塑性·其中Ni50Al40Co10纳米晶块体材料压缩率可达30%,而无裂纹产生;Ni50Al45Co5,在980℃高温压缩至195%无裂纹产生,变形均匀·还发现含γ′相的NiAl(Co)的双相纳米晶块体材料压缩性能优于单相NiAl(Co)纳米晶块体材料