在U（t，t′）方法框架下局域态密度的计算

在U(t，t′)方法框架下，推导出对有单个缺陷势随时间作简谐变化的直流电场下驱动的紧束缚模型的单体格林函数．我们通过格林函数计算出了态密度，局域态密度的计算显示了在Wannier—Stark共振态之间有新的态出现．     

在U(t,t'''')方法框架下局域态密度的计算

在U(t,t')方法框架下,推导出对有单个缺陷势随时间作简谐变化的直流电场下驱动的紧束缚模型的单体格林函数.我们通过格林函数计算出了态密度,局域态密度的计算显示了在Wannier-Stark共振态之间有新的态出现.     

免疫系统局域记忆态的研究

研究了独特型网络ＡＢ模型和Ａｎｄｅｒｓｏｎ等人提出的动态局域记忆态的记忆问题。通过计算机数据模拟的方法计算这种记忆态对抗原清除所需时间，发现抗体清除抗原所需时间是随抗体数密度变化的，同抗原初次侵入系统时抗体清除抗原所需时间比较，两者相关不大，和出局域记忆态是不一定能实现免疫记忆的结论。     

渐近准周期势场中电子的局域态,扩展态和迁移率边界

应用数值方法研究了一维渐近准周期势Ｖｎ＝λｃｏｓ（Ｑｎ＋αｎν）（０＜ν＜１，及为无理数）中运动的电子的能级和波函数，发现当λ＞２时，所有的态都是局域态，而当λ＜２时，存在着扩展态、局域态和迁移率边界．我们研究了它们与参数Ｑ，α，ν的关系，发现能带结构由Ｑ决定，而α，ν是无关的参数．     

半导体—金属—半导体双界面结构的电子态

本文用一个金属薄层夹在两个不同的半无限半导体之间的模型,在一个简立方金属和两个具有氯化铯结构的半导体的基础上发展了格林函数理论。首次得到了半导体—金属—半导体结构的格林函数。有了这些格林函数,可以使我们很容易地研究这样的系统所有的电子特性。作为应用例子,文中给出了局域界面态的计算。对两种特殊的半导体—金属—半导体双界面的研究表明,界面态可以存在,也可以不存在,取决于半导体的禁带和半导体与金属间的耦合强度。当存在界面态时,发现有两个界面态并且它们随金属薄层的原子层数的变化有一个非常相似于Ruderman-Kittel类型的振荡行为。     

广义Fibonacci准周期系统(双生子模型)能谱性质的格林函数—重整化群研究

本文利用格林函数——重整化群方法数值研究了一种广义Fibonacci 准周期系统(双生子模型)的能谱性质。结果发现,在E=0附近,电子态密度连续变化,即表现出周期系统的性质,这不同于Fibonacci 链的情况。至于声子谱,则表现出与Fibonacci 链相同的性质。     

一维无序体系的振动局域态

 应用点阵动力学的方法以及五对角对阵矩阵本征矢算法,考虑原子间次近邻相互作用,计算了一维无序体系的振动本征态的分布.结果表明与电子本征态分布一样,无序体系的声子态分布也具有局域性,且局域程度与本征频率的大小、体系无序程度以及系统大小有密切的关系.     

准周期光子晶体的态密度

本文研究了准晶光子晶体的局域态密度和全态密度.结果表明,准晶光子晶体的局域态密度分布具有和准晶光子晶体完全相同的对称性,带隙内光子晶体中的态密度很小,不同的准晶光子晶体的局域态密度随介电材料的占空比的变化是不同的,这对构造准晶光子晶体是非常重要的.准晶光子晶体的全态密度所显示的带隙和透过率显示的带隙的一致性表明准晶光子晶体在某种程度上是各向同性的.     

低维纳米材料异常红外性能的局域电场诱发机理研究

低维纳米材料具有异常的红外性能,其本质与纳米材料的尺度、结构、与外场的相互作用等密切相关.本文利用电偶极子间相互作用近似计算了多粒子体系纳米粒子间的局域电场,表征了球形纳米粒子表面及附近局域电场随粒子半径R的变化,以及CO分子吸附于球形纳米粒子表面时的受力及分布情况.结果在一定程度上诠释了低维纳米材料异常红外性能的本质.     

量子阱中电子扩展态态密度与分离求和向连续积分过渡的问题

本文分析了现有文献中关于量子阱中电子扩展态态密度计算的几种结果的差异性和原因,从而论证了我们采用的格林函数方法所得结果的正确性．     

低维浅势阱中束缚态存在条件的研究

利用定态格林函数方法，详细地研究了一维、二维浅势阱中束缚态问题，结果表明：低维浅势阱中必须存在束缚态。     

不同对称性条件下光子晶体局域态的演化

光子晶体不仅可以用来调控自发辐射,还可以用来控制光的传输和局域.研究采用平面波展开法进行模拟计算.首先改变光子晶体H1缺陷及其附近介质柱的半径,使得光子晶格缺陷处超晶胞的旋转对称性具有C6v,C3v或C2v等点群的性质;然后分析二维圆形介质柱三角光子晶体的局域态在光子禁带中演化.计算结果表明：随着介质柱的半径的变化,光子晶体局域态会发生变化,其演化表现出阶段性;同时随着对称性破缺程度的加深,会有更多缺陷态进入光子禁带.计算选择硅（Si）作为介质柱材料,主要为硅基光子晶体激光器的选模提供理论参考.     

点内库仑相互作用对三量子点系统输运性质的影响

本文利用非平衡格林函数运动方程方法,研究了与两个电极耦合在一起的三耦合量子点系统中,点内部的库仑关联或阻塞与点间的耦合强度对体系输运性质,即对系统微分电导和系统态密度的影响.通过理论计算发现,由于量子点上的局域态密度的不同从而导致系统微分电导或隧穿性质的不同,会开启新的Kondo输运通道,也会增强一些原有的输运通道.     

非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程对CuO2平面外和平面内同时存在非磁性杂质时对gossamer超导体电子局域态密度的影响进行了研究。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性。当平面内杂质不是很强时,平面外杂质使其附近超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而由于平面内外同时存在的杂质而导致CuO2平面内电子的分布在更大范围内在纳米尺度上存在着显著的不均匀性。     

三粒子纠缠态的局域信息研究

本文在研究了各方共享三粒子态提取局域信息的量子信息处理方法的基础上，计算了三粒子W态的局域信息，并且计算了一个三粒子纠缠态的特例。     

金属─半导体界面附近的空位电子态

本文用紧束缚模型发展了金属一半导体界而附近的空位理论．研究结果发现：空位对它附近区域的态密度有一定影响；空位的生成能随空位一界面间距的变化是一个振荡函数．对文中所考虑的界面，空位趋向于朝界面处吸引；当系统中同时存在两个空位时，由于介质极化，空位之间要发生间接相互作用，其间接相互作用能随空位一空位间距的改变发生振荡．     

多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体局域态密度影响的研究

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面内多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,而在杂质点附近由于杂质的存在产生零能量诱导峰,同时超导相干峰受到强烈抑制。随着杂质间距的增大,杂质点附近超导相干峰受到的抑制逐渐变小,同时零能量诱导峰的强度也随着变小。     

一维渐近周期势场中电子态的进一步研究

研究了处在一维渐近周期势ｖｎ＝ｖｃｏｓ（Ｑｎ＋ａｎｖ）（０＜λ＜１）中运动的电子态的特性，从理论上分析了Ｑ＝２π／４时，扩展态和局域态存在的条件，解析地得到了迁移率边界的值。然后，进行了数值计算，数值结果与理论结果符合的很好。     

长程有序作用的量子海森堡铁磁链的相变性质研究

在无规相近似理论框架下,运用格林函数方法研究了一维带有长程有序作用的量子海森堡铁磁模型,结果发现,如果自旋相互作用采用指数衰变r-p形式,当1〈p〈2时，系统在一定温度下存在相变；当P≥2时在有限温度下系统处于不存在相变的顺磁相．理论计算结果和蒙特卡罗模拟结果及其它理论结果较为一致．     

有限维对相干态的构造及其魏格纳函数

构造出了一类新型的有限维对相干态,讨论了它们的正交归一完备性.基于魏格纳算符的纠缠态表示,获得了有限维对相干态的魏格纳函数.根据魏格纳函数的负值特征,讨论了此态的非经典性质.