焦化蜡油悬浮床加氢裂化反应

以大庆焦化蜡油为原料,在高压釜中进行悬浮床加氢反应,并对反应后产物进行常减压蒸馏,切割馏分范围为IBP～180℃,180～350℃,350～500℃及大于500℃.考察原料油在不同的反应条件下加氢裂化反应产物分布和生焦情况.结果表明,悬浮床加氢裂化工艺适合加工焦化蜡油;随着催化剂加入量的增大,反应向降低柴汽比的方向进行;在反应温度为440℃时,反应中没有甲苯不溶物出现;反应温度为450℃时,反应产物中出现了甲苯不溶物,甲苯不溶物的含量随着催化剂加入量的增大而减小;随着氢初压的增加,反应向有利于柴汽比增加的方向进行.     

15万t/a焦化蜡油加氢项目经济技术分析

介绍了焦化蜡油的物化性能、市场现状及国内蜡油加氢制造工艺。提出了用兰州石化公司炼油厂延迟焦化蜡油通过加氢处理后作为催化裂化的原料,通过加氢精制后可以有效地脱除焦化蜡油中的硫、氮等杂原子化合物,并能降低残炭,提高焦化蜡油的转化率,增加汽油的收率,以减少催化裂化装置的生焦率和提高装置的裂化性能和处理量。     

焦化蜡油两段提升管催化裂化研究

在两段提升管催化裂化实验装置上,以克拉玛依焦化蜡油为原料,考察了常规单段操作条件(反应温度、剂油比和停留时间)对焦化蜡油催化裂化转化性能的影响及相同转化率下焦化蜡油单段和两段反应产物分布的变化,同时,还对比考察了焦化蜡油、减压蜡油单独进料和混合进料单段反应的差别。实验结果表明,与常规单段催化裂化技术相比,两段提升管催化裂化技术在焦化蜡油催化裂化转化方面具有明显优势,相同转化率下,在大幅度提高轻油收率和液收的同时,还会明显降低干气收率。此外,整体来看焦化蜡油、减压蜡油单独进料要明显优于混合进料。     

焦化蜡油两段提升管催化裂化研究

在两段提升管催化裂化实验装置上,以克拉玛依焦化蜡油为原料,考察了常规单段操作条件(反应温度、剂油比和停留时间)对焦化蜡油催化裂化转化性能的影响及相同转化率下焦化蜡油单段和两段反应产物分布的变化,同时,还对比考察了焦化蜡油、减压蜡油单独进料和混合进料单段反应的差别.实验结果表明,与常规单段催化裂化技术相比,两段提升管催化裂化技术在焦化蜡油催化裂化转化方面具有明显优势,相同转化率下,在大幅度提高轻油收率和液收的同时,还会明显降低干气收率.此外,整体来看焦化蜡油、减压蜡油单独进料要明显优于混合进料.     

薄层色谱法鉴别化妆品中的红霉素

参照现版药典中的薄层色谱方法检测化妆品中红霉素。用甲醇进行提取，以硅胶G预制板为载体，三氯甲烷-甲醇（85：15）为展开剂，乙醇-对甲氧基苯甲醛-硫酸（90：5：5）为显色剂的薄层条件鉴别化妆品中的红霉素，其检测限度可达1．2mg／g。该方法准确、简便、快速，重现性好，适用于化妆品中红霉素的检测。     

焦化蜡油悬浮床加氢裂化反应

以大庆焦化蜡油为原料,在高压釜中进行悬浮床加氢反应,并对反应后产物进行常减压蒸馏,切割馏分范围为IBP～180℃,180～350℃,350～500℃及大于500℃.考察原料油在不同的反应条件下加氢裂化反应产物分布和生焦情况.结果表明,悬浮床加氢裂化工艺适合加工焦化蜡油;随着催化剂加入量的增大,反应向降低柴汽比的方向进行;在反应温度为440℃时,反应中没有甲苯不溶物出现;反应温度为450℃时,反应产物中出现了甲苯不溶物,甲苯不溶物的含量随着催化剂加入量的增大而减小;随着氢初压的增加,反应向有利于柴汽比增加的方向进行.     

高效液相色谱法快速测定润滑油基础油化学族组成的研究

用高效液相色谱法对润滑油基础的化学族组成进行了分离分析。以键合氰基柱和硅胶柱双柱切换的方式,正己烷为流动相,示差折光检测器检测。经典柱色谱分析得到的样品分析结果作为高效液相色谱法对饱和烃、芳烃和胶质分析进行定量校正的依据,使用该种定量校正方法可得到不同产地和馏程的基础油族组成分析的定量校正因子。为了简化数据处理过程、提高分析速度,引入平均校正因子,即同一馏程的样品定量校正因子为多地样品校正因子的平均值,用该种定量校正方法对已知样品和未知样品进行分析,结果表明该方法可以满足润滑油生产工艺中对烃类族组成快速分析的要求。     

焦化蜡油中芳香分的催化裂化特性及其对饱和分裂化性能的阻滞作用

采用糠醛抽提,从焦化蜡油(CGO)中抽提分离出芳香分,考察芳香分的催化裂化反应特性及其对饱和分催化裂化反应性能的阻滞作用。结果表明:糠醛对CGO中的芳烃具有较好的抽提效果,减弱了稠环芳烃对饱和烃的竞争吸附和对其反应的阻滞作用,使CGO抽余油的催化裂化性能明显优于CGO原料油,转化率提高了15.3个百分点,而芳烃抽出油的转化率比CGO原料油降低了16.1个百分点;剂油比对提高芳烃抽出油转化率和目的产品收率的效果最为显著,质量空速的效果次之,而反应温度的效果最差;芳烃抽出油不仅本身很难催化裂化,而且还阻碍了饱和分的有效催化转化,从而使原料的转化率下降,目的产品收率降低,焦化蜡油中的多环或稠环芳烃是制约其有效催化转化的关键因素之一。     

薄层色谱法新型展开剂的研究进展

薄层色谱法目前是医药生产和化工染料分离有效成分的常用方法之一,薄层色谱法分离混合物的优点:分离速度快、效率高、适用性强、操作简便等。本文以薄层色谱法分离二甲基黄和苏丹Ⅲ混合液为例,对薄层色谱新型展开剂的研究进展进行综述。     

薄层色谱法分析壳寡糖

建立壳寡糖的薄层色谱（TLC）分析条件。通过对各种展开剂的实验，确定壳寡糖的TLC最佳的展开剂是乙酸乙酯：乙醇：水：氨水=5：5：4：0.3。壳寡糖溶液上行展距为8cm，采用浸渍法显色。本文方法分离效果好，简便，重现性好。     

单糖薄层层析实验的改进

单糖薄层层析是一个重要的生物化学实验,常规喷雾法显色得不到清晰的图谱。比较了几种单糖薄层层析显色方法,结果表明,将显色剂加入展层剂中,展层后烘干,能得到清晰的色谱斑点,且不同的单糖显示不同的颜色,无杂质干扰,重现性好。     

薄层扫描法测定酯型儿茶素的含量

目的研究不同种类盐类盐析和不同温度水平对茶多酚粗品中酯型儿茶素含量的影响。方法采用盐析的方法对茶多酚粗品液进行处理，薄层色谱扫描仪进行酯型儿茶素含量的测定。结果在较低的盐浓度下，适当增加盐的浓度（≤5％，质量分数）有利于酯型儿茶素含量的提高，降低茶多酚粗品溶液的温度（40℃）也有利于酯型儿茶素含量的提高。结论采用薄层色谱扫描的方法测定酯型儿茶素的含量具有较高的测量精度。     

九牛造苯提取物的薄层层析

以九牛造(Euphorbia Hylonoma)粗粉为原料用苯提取,提取物浓缩后,经薄层层析及柱层析后得到4种组分A、B、C、D.     

热焦化防砂机理分析

热焦化防砂是通过向地层内注入热空气使原油在高温下发生反应从而将地层砂固结的一种防砂新技术.通过对焦化处理后的岩样组成进行组分分析,探讨了原油胶结机理.揭示出氧化作用使原油的部分原生胶质变成沥青质,沥青质受到高度的缩合作用而成为高分子量的苯不溶物.因此适合焦化防砂的油层,其原油必须含有一定量的原生胶质和沥青质.     

微乳液在氨基酸薄层色谱中的应用

以十二烷基硫酸钠－－正丁醇－－正己烷－－水微乳状液作为一种全新的展开剂,进行了23种氨基酸的薄层色谱分析。研究结果表明,当微乳液为油包水型和油水双连续型（含水量10％－60％）时,氨基酸的Rf值多在0.2-0.8之间,层析效果较好。     

焦炉煤气组分气相色谱分析法分析条件

通过正交实验设计,结合其他参数的测定,得出气相色谱法分析焦炉煤气详细的实验数据,对分析条件的影响作了讨论。实验结果表明,柱箱温度是影响分析的主要条件,载气的流速、检测器温度和检测器桥电流的影响并不显著。经实验确定的最佳分析条件:载气流速为56 mL/min;柱箱温度为室温;检测器桥电流为120 mA;检测器温度为100℃。     

用局部组成活度系数模型计算原油中石蜡沉淀量

准确描述固相的非理想性是计算复杂流体的气液固相平衡的关键。从原油中沉淀出来的石蜡多由正构烷烃组成 ,其晶格结构主要是正交相 (斜方晶格 ) ,特别是在低温时可能是惟一的晶格结构 ,而局部组成模型能够较准确地描述正交相的非理想性。将局部组成活度系数模型用于复杂石油流体中石蜡沉淀量的计算 ,并与正规溶液理论模型进行了比较。结果表明 ,对于高温石蜡沉淀量的计算 ,两个模型均能给出较好的结果 ,但对于低温石蜡沉淀量的计算 ,局部组成活度系数模型能取得较满意的结果。     

焦炉煤气组分气相色谱法分析实验研究

为了找到焦炉煤气组分气相色谱法分析最优的分析条件,使用自装柱,通过正交实验设计,研究了分析条件对分析结果的影响。结果表明:最优分析条件为:载气流速:43ML/min;柱箱温度:室温;检测器桥电流:120mA;检测器温度:100℃。通过分析可得出如下结论:柱箱温度是影响分析的主要条件,而载气的流速、检测器温度和检测器桥电流的影响并不显著。     

薄层SOI场pLDMOS击穿机理研究

为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通的问题,提出一种基于场注入技术的薄层SOI场pLDMOS(p-channel lateral double-diffused MOSFET).通过建立该场pLDMOS的穿通机制数学模型,分析了其4种击穿机理:背栅穿通、沟道横向穿通、横向雪崩击穿和纵向雪崩击穿.仿真结果表明,场注入技术穿过厚场氧层向下注入硼杂质,通过控制注入能量和体区浓度获得浅结深,从而提高器件对背栅穿通的抵抗力;优化的沟道长度和埋氧层厚度分别消除了沟道的横向穿通和纵向雪崩击穿;双层场板结构调制器件表面电场分布,避免了器件过早地横向雪崩击穿.在优化器件相关结构参数和工艺参数基础上,成功基于1.5 μm厚顶层硅SOI材料研制出耐压300 V的场pLDMOS.相比较于常规厚层场pLDMOS器件,顶层硅厚度由大于5μm减小到1.5 μm.