附加δ势垒对一维半无限深势阱影响的研究

通过对添加δ势垒的一维半无限深势阱的薛定谔方程进行求解，得到了粒子运动的波函数和能级的相关公式，分析发现，δ势垒的添加以及它的强度与位置的变化对能级都有影响。对比不含δ势垒的一维半无限深势阱的能级，探究δ势垒的添加对原能级产生的影响，并利用Mathematica作图来直观显示这一影响。     

利用Schr(o)dinger表象和Heisenberg表象对束缚能级与散射波幅极点的再讨论

在波函数含时状态下,利用Schrodinger表象和Heisenberg表象对一维δ势阱束缚态及势垒散射问题进行了讨论,给出了一维δ势阱束缚能级是δ势垒散射波幅极点的更普遍性证明.     

利用Schrdinger表象和Heisenberg表象对束缚能级与散射波幅极点的再讨论

在波函数含时状态下,利用Schrdinger表象和Heisenberg表象对一维δ势阱束缚态及势垒散射问题进行了讨论,给出了一维δ势阱束缚能级是δ势垒散射波幅极点的更普遍性证明.     

四终端铁磁/半导体/铁磁异质结的自旋输运性质

提出了含有δ势垒的四终端铁磁/半导体/铁磁异质结模型,研究了该模型透射概率的性质.结果表明:透射概率随半导体长度的增加产生周期性振荡,且与δ势垒强度及电子的自旋方向相关,Rashba自旋轨道耦合强度、外磁场对透射概率均有影响.     

双抛量子阱中的类似"δ"势结构

在双抛量子阱(Double Parabolic Quantum Well)中令势垒厚Lb＝0,可得到类似"δ"势结构,在此基础上计算了"δ"势阱中的电子能级和类氢杂质的结合能,分析了"δ"垫垒的变化对能量和结合能的影响.     

粒子在非均匀环上的量子行走

通过用硬币算符参数来等效量子势,研究了分离时间量子行走在封闭环上的散射动力学,讨论了单势垒和双势垒对粒子概率分布的影响。当环的格点数N=8时,单势垒破坏了无势垒时分布概率随时间周期性变化的特性,而双势垒又使得周期变化特性重新显现出来,但周期扩大一倍;当两个粒子在含有两个势垒且N=8的环上量子行走时,它们的联合分布概率也呈周期分布,在半周期的时刻,两个粒子的位置刚好调换,而且这些特性与两粒子初始的硬币态是纠缠态还是非纠缠态无关。     

求解一维散射问题的Lippmann-Schwinger方法

给出了用一维Lippmann-Schwinger积分方程处理量子散射问题的形式理论,计算了δ势垒和方势垒的贯穿系数和反射系数,并与直接求解薛定谔方程的方法所得的结果进行了比较．结果表明,用Lippmann-Schwinger积分方程求解一维散射问题比较简便和有效,而且所得结论和直接法完全一致。     

单电子量子同心环的基态特性

给出了单电子量子同心环基态能量随其半径和势垒的变化规律, 并根据动力学和不确定关系对变化规律进行分析,  通过密度函数显示基态的电子几率分布. 结果表明, 即使基态能量小于势垒, 电子在势垒中的几率也不为零.     

k个不同型部件串联系统的最优更换策略

引入并研究了一种δ-冲击下的几何过程维修模型:假设由k个不同型部件组成的串联系统,受到的冲击来自冲击间距服从威布尔分布的的更新过程,当冲击间距小于阈值时,部件故障导致系统失效.在更换策略M=(N1,N2,...,Nk)下,得出了平均费用率表达式,并通过数值模拟获得最优更换策略M=(N*1,N*2).     

金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

平面波通过强度不相等的两个δ势垒时的共振散射与亚稳态的描述

对平面波通过强度不相等的两个δ势垒（阱）的定态薛定锷方程作了理论计算，得到了此问题的解。然后讨论了解的物理含义，着重分析了入射波产生共振透射的条件及其亚稳态的描述方法。     

三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数

建立了三势垒共振隧道结构的物理模型,应用量子力学和固体理论,求出了电子的波函数和几率分布,以具有势阱材料In0.53Ga0.47As和势垒材料In0.52Al0.48As的纳米系统为例,探讨了电场对三势垒共振隧道结构电子几率分布和势垒贯穿系数的影响.结果表明:当能量较小时,电子的几率主要分布在第1势阱中,而当能量较大时,则主要分布在第2势阱,在势垒中电子几率很小;电子随能量的几率分布有波动性,在共振能附近的几率极大,共振能随着电场强度的增大而减小;电场的存在会使电子的最可几位置向入口势垒方向移动,而使电子贯穿势垒系数减小;电子势垒贯穿系数随能量增大而增大,当能量较小时,其数值及其随能量的变化都较小,当能量较大时情况则相反.     

有限长周期δ势原子链能级的确定

用递推的方法解了上有限长周期δ势阱和δ势垒的原子链的薛定谔方程，得到了确定这此原子锭能级的递推公式，可以用计算机计算确定能级，这为微材料能级结构的理论研究提供了一个有价值的方法。     

单层石墨烯多势垒结构中的输运及能谱特性

利用传递矩阵的方法研究了单层石墨烯中势垒个数N=1、3、5、7、9、11时,等高方形势垒和对称的阶跃势垒结构中电子的隧穿几率和电导.通过周期性势垒中的能带结构对载流子隧穿特性进行分析.结果表明,在多势垒结构中,仍存在Klein隧穿效应.单层石墨烯的隧穿几率和电导依赖于势垒高度、势垒宽度、入射能量和入射角度,还受到势垒形状的影响.能带结构中显示有能级分布的区域表明势垒和势阱间载流子状态匹配,出现隧穿共振,在载流子隧穿谱中对应地体现.相应的在多势垒结构中,可以通过调节势垒结构参数来控制单层石墨烯的电导.     

环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型

肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.     

PIN型a-Si太阳电池中的结电场分布、耗尽区宽度和最佳i层厚度的设计与计算

本文用自恰法严格计算了pin器件中的pi和in分离势垒区中电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)及耗尽区宽度W,然后缩小i层厚度使之部分重迭,再用电场迭加厚理算出耗尽区中的电场分布,在此基础上根据全收集条件δ_(gmin)=μ_fτ_pε_(min)算出最佳i层厚度X_e,发现当i层的费米能E_f向E_i靠近和gmin下降时,引起W和X_c显著增大     

静压下ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态

运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态问题,讨论了其基态、第一激发态和第二激发态本征能量及相应的各级本征函数,同时与无应变的情形进行了比较分析.数值计算结果表明,应变使电子的能级降低,能级间距减小,且导致波函数的隧穿几率增加.静压效应显著降低能级和能级间距.因此,讨论电子在应变型异质结构中的散射问题时,需要计入材料间由于晶格不匹配而产生的应变效应的影响.     

一维双势垒散射问题

利用转移矩阵方法,求解粒子通过任意势垒的透射系数及反射系数,并同时给出粒子分布的几率密度分布曲线.     

一维双势垒散射问题

利用转移矩阵方法,求解粒子通过任意势垒的透射系数及反射系数,并同时给出粒子分布的几率密度分布曲线.     

隧道效应中偏压的作用

从隧道扫描势垒模型出发,用量子力学计算导出隧道电流与针尖间的偏压、间距、及它们的逸出功之间的关系.偏压的作用主要是提高针尖上电子的能量,使针尖上的电子比样品上的电子更容易穿过势垒,从而形成隧道电流.