P型杂质Ga在SiO2—Si内界面分凝规律研究

采用开管方式和SiO2/Si系统,实现了P型杂质Ga在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱（SIMS）和扩展电阻（SRP）分析方法,对已掺Gar 杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ga在SiO2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。     

化合物Ce_3Rh_2Ga_2和Ce_3Rh_3Si_2的晶场效应计算

通过对D.Kaczorowski等人磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+基态简并部分消除得到了双基态.     

采煤工作面瓦斯紊流扩散方程的建立及其探讨

建立了采煤工作面瓦斯三维紊流扩散方程,并对其进一步简化,得到了二维紊流扩散方程,同时提出了它们的应用条件,初步展望了它们在求解采煤工作面瓦斯浓度分布中的应用。     

扩张直内射模的子模与自同态

讨论了扩张直内射模的子模与自同态，指出只有满足某些条件的单同态才能由模Ｍ的自同态导出。同时讨论了扩张直内射模的自同态环的Ｊａｃｏｂｓｏｎ根的一些性质。     

在CeO＿2／SiO＿2催化剂上丁烯－1异构化动力学的内扩散影响

用外循环流动玻璃无梯度反应器研究了ＣｅＯ＿２／ＳｉＯ＿２催化剂上丁烯－１异构化动力学的内扩散影响。当用３０～４０目催化剂时丁烯－１异构化在动力学区域。当催化剂厚度增大到４ｍｍ时反应在内扩散区域进行。催化剂有效因子在０．０５８～０．１２之间，说明内扩散影响严重。丁烯－１异构成ｃ－２－丁烯的催化剂有效因子比丁烯－１异构成ｔ－２－丁烯的要小。用Ｒｕｎｇｅ－Ｋｕｔｔａ方法计算了丁烯－１在催化剂孔内的分压分布。     

关于造型基础课程课题设计的探究

造型基础是工业设计专业的一门基础课程,因而探究该课程的课题设计十分必要,不仅对学生的引导有一个合理的定位,对该课程的课程建设也可提供有益的借鉴。     

环上模的Fuzzy同态

在环的Fuzzy同态基础上 ,给出了环上模的Fuzzy同态和F 子模、F 线性空间等概念 ,进而得到R 模的模糊同态基本定理及其模糊同构定理 .     

技术创新扩散模型的探析

技术创新的扩散或转移是技术进步的重要阶段或标志．对Raz,刘文阁和朱稼兴分别提出或者修正的技术转移的受方状态的模型进行了分析和实证研究,指出S形模型仍是描述创新扩散的一种简单、实用、拟合程度较高的一种模型．进而对朱稼兴所修正的模型进行了改进,得到了技术扩散中学习方技术发展状态的一个长期模型．     

晶闸管铝镓闭管扩散工艺的计算机模拟

为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终分布则着重考虑扩散系数的变化。与实验样品的扩展电阻探针测试数据进行比较后表明,本工作所用模型与实验结果有较好的吻合,适宜于在实际工艺过程中使用。     

高职酒店类专业课程双语教学模式构建研究

对高职院校双语教学研究现状分析的基础上,通过探析后现代课程观对高职酒店类专业课程双语教学模式构建的启示性意义和指导作用,提出了针对高职专业课程双语教学模式构建的相关操作原则,为高职院校双语教学模式的可行性和可操作性研究提供了理念借鉴。