用电镜对CoCr垂直磁化薄膜观察磁畴随温度的变化及居里点检测(英文)

本文研究了CoCr垂直磁化薄膜的磁畴随温度的变化。垂直磁化点畴变化为面内磁化羽状畴的转变温度在升温过程中为350℃。本实验测得CoCr膜的居里点T_c约在600℃附近。本文也分析了H_k或K_u随温度的变化要比M随温度的变化更快。这支持了垂直磁各向异性根源主要来自磁晶各向异性。显微照片也显示了自发磁化点畴的尺寸要比膜表面晶粒或膜断面晶柱的尺寸都要大,并都处在单畴状态。     

磁性薄膜磁畴图像的傅里叶光谱

提出一种快速估测大面积磁性薄膜磁畴结构的方法－－傅里叶光谱分析法，利用偏振光透射半透明磁性薄膜产生的法拉第旋转效应，让穿过磁性薄膜后具有不同偏振面的光再经过检偏器，调整检偏器的晶轴方向使之与某一部分光的偏振面垂直，于是一部分偏振光消光，而另一部能够通过，在足够远处便得到了代表磁性薄膜畴结构的衍射光谱，这种方法可用于磁性薄膜的参数估计及磁性薄膜畴壁动态特性研究。     

加磁场制备FeCuNbSiB软磁合金薄膜的畴结构和巨磁阻抗效应

本文研究了用射频溅射法制备的Fe73．5CulNb3Si13．5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析．探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响．在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am^（-1）降为60Am^（-1）,磁阻抗效应有较大提高．加横向磁场制备的Fe73．5CulNb3Si13．5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜．经300℃退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38％,横向磁阻抗比为27％,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47．5％／kAm^（-1）和11．3％／kAm^（-1）．     

磁性薄膜磁畴图像的傅里叶光谱

提出一种快速估测大面积磁性薄膜磁畴结构的方法──傅里叶光谱分析法．利用偏振光透射半透明磁性薄膜产生的法拉第旋转效应,让穿过磁性薄膜后具有不同偏振面的光再经过检偏器,调整检偏器的晶轴方向使之与某一部分光的偏振面垂直,于是一部分偏振光消光,而另一部能够通过,在足够远处便得到了代表磁性薄膜畴结构的衍射光谱,这种方法可用于磁性薄膜畴参数估计及磁性薄膜畴壁动态特性研究．     

磁畴形成的原理探索

本文运用量子力学和固体物理学分析铁磁物质及其磁畴形成的原理     

微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并、封闭畴和钩形畴转变及Ｎｅｅｌ壁状态转变等一系列过程     

垂直磁记录介质Co－CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

应用Ｌｏｒｅｎｔｚ显微术观察了反应蒸镀的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的磁畴结构。当垂直各向异性场Ｈ＿ｋ和磁化强度相对垂直取向比增加时，它的磁畴结构从典型的１８０°面内畴变成点状畴，后老是单轴垂直磁各向异性介质的一种典型特征。用ＶＳＭ测量的ＯＲ的角度依赖性显示了垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜中存在一定量的面内磁化强度分量。结合对矫顽力Ｈ＿ｃ，剩磁矫顽力Ｈ＿（ｃｒ）和磁滞损耗Ｗ＿ｈ的角度依赖性测量结果进行分析，可以得出结论：这种垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的反磁化机理是磁矩的涡旋式（Ｃｕｒｌｉｎｇｍｏｄｅ）非一致转动过程。     

CoCr的选择蒸镀和垂直磁化膜的研究

用电子束蒸镀CoCr制备垂直磁化膜时发现膜成分受众多因素影响,而成为CoCr膜实现垂直磁化的首要问题。选择蒸发是造成成分控制困难的主要原因。本文对有关问题进行了研究,分析计算了理论公式,与实验作了比较,结果符合得很好;对选择蒸发及其对各种制膜工艺的影响;及CoCr膜垂直磁化性能;膜的微观结构和磁畴,都进行了研究和必要的讨论。     

铁磁海森堡薄膜的磁学性质的解析研究

使用变分累积展开方法．研究了铁磁性薄膜的磁性．给出了作为薄膜厚度函数的自发磁化强度的解析表达式．作为一个特例，给出了立方格点上自旋1／2铁磁薄膜的自发磁化曲线、磁滞回线和矫顽力的三级近似结果，并对结果作了分析和讨论．     

磁性颗粒膜的铁磁共振

从理论上分析了颗粒膜在铁磁共振（FMR）场以上由于颗粒形状、尺寸、取向、百分含量及温度的效应．分析了斜置共蒸发沉淀而成的CoxAg1-x颗粒膜（百分含量（0．2〈x〈0.85）、体积填充因子以0．17〈f〈0．85））与Hτ的关系,在室温下FMR的Hιτ（f）-f曲线显示,在系统的逾渗点f=fp≈0．3时产生突变,这变化与铁磁（FM）颗粒的聚集增长相关联,这种关联是在f〉fp时与单一超顺磁相（SPM）颗粒比较．另外,对Fe—SiO2颗粒膜其Hτ（f）-f曲线的分析也显示在逾渗点f=fp≈0．28时产生不连续的跃变．磁性颗粒膜的这一性质提供了有效探明第一类磁逾渗材料的相转变途径．     

自旋分别为1/2及3/2的双层铁磁薄膜磁性分析

采用变分累积展开的方法．考察了由自旋分别为1／2及3／2的两个铁磁单层膜组成的双层膜系统的自发磁化强度随温度的变化情况，特别是在自旋为3／2单层的单粒子各向异性对这种变化的影响，获得了这种变化的特征行为．     

铝对FeN薄膜结构和磁学特性的影响

铝的添加使ＦｅＮ薄膜变成非晶，并在ＦｅＡｌＮ薄膜中形成某些柱状物，材料粒度变小，ＦｅＡｌＮ薄膜矫顽力也变小．多层膜的效果，阻断了微粒沿垂直于膜面方向的生长，从而进一步降低其矫顽力．同时铝的添加，也增加了样品饱和磁化强度的热稳定性．     

两带各向异性超导体的磁通量子化——以MgB2为例

以MgB2为例，用两带各向异性Ginzburg-Landau理论分析了两能隙超导体的磁通量子化现象，总的来说，两能隙超导环内的磁通是磁通量子的整数倍，两带对应的磁通线根数相同，且一根σ带磁通线与一根π带磁通线所携带的磁通之和为一个磁通量子。     

制备磁性阴离子交换树脂的影响因素及机理

探讨化学转化法制备磁性阴离子交换树脂过程中几个主因素对处理后树脂中Ｆｅ＾２＋与Ｆｅ＾３＋的含量及质量磁化率的影响,找出磁性树脂质量磁化率与Ｆｅ＾２＋、Ｆｅ＾３＋比例之间的关系,确定最合适的制备条件,并利用粉末Ｘ－衍射技术对制备的磁性树脂的磁性成分进行研究,进而在此基础上对树脂磁化的机理进行了理论分析。     

非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性研究

磁光存储材料的研充,最重要的是探求实用化磁光介质薄膜材料和制备工艺.非晶稀土-过渡金属(以下缩写为RE-TM)材料,适于使用制作磁光盘已崭露头角,由三元合金Gd-Fe-Co或Tb-Fe-Co膜做成的磁光盘样机已经问世.在以(Tb,Gd)_x-(Fe,Co)_(1-x)为基础的合金薄膜系列里,Tb-Gd-Co比Gd-Fe-Co有更大的矫顽力,这对提高存储密度是有利的.此外,Tb-Gd-Co材料还可以提供稍大的克尔(Kerr)旋转角θ_k和宽温特性.近年来,人们很重视非晶Tb-Gd-Co膜的研究,Togami首先报道Tb-Gd-Co膜,随后,Luborsky等人从实验肯定Tb-Gd-Co膜用作磁光介质的稳定性.为使Tb-Gd-Co材料达到实用化,本文研究了溅射参数对非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性的影响,获得了比较好的